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「半导体衬底」を含む例文一覧

該当件数 : 9



在其他实施例中,可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成,并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で(または、該半導体基板に)形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で(または、該半導体基板に)形成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在表面发射半导体激光器 128A中,上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体衬底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー(DBRミラー)128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー(DBRミラー)128eと、n型半導体基板129fが積層される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6A为表示图 5的 CMOS图像传感器的高灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图,图 6B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势 (potential)电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图;

【図6】図5のCMOSイメージセンサの高感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 7A为表示图 5的 CMOS图像传感器的低灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图,图 7B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图;

【図7】図5のCMOSイメージセンサの低感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成,其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの(同一の半導体基板上に設けられているもの)として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

以具有与像素阵列部件 10分离的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的模块形式示出了成像装置 8。 然而,不必说,如关于所述器件 1描述的那样,可以使用具有在相同的半导体衬底上与像素阵列部件 10集成地形成的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的固态成像器件 1。

なお、このような撮像装置8は、駆動制御部7およびカラムAD変換部26を、画素アレイ部10と別体にしてモジュール状のもので示しているが、固体撮像装置1について述べたように、これらが画素アレイ部10と同一の半導体基板上に一体的に形成されたワンチップものの固体撮像装置1を利用してもよいのは言うまでもない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3所示,根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18,以及负电压发生电路 19。

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板(チップ)11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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