「半導体アレイ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。

在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10の例では、複数の回路ブロック200が半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められている。

在图 10中的示例中，在半导体基底 SUB2A上以阵列布置多个电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

シンチレータで可視光に変換された光は、基板1上にアレイ状に配置されたセンサ部103の半導体層21に照射される。

已经通过闪烁物被转换成可见光的光照射到在基板 1上以阵列设置的传感器部 103的半导体层 21上。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶装置54としては、不揮発性半導体メモリ、ハードディスク駆動装置、ディスクアレイ装置などが使用される。

存储装置 54可采用非易失性半导体存储器、硬盘驱动装置、磁盘阵列装置等。 - 中国語 特許翻訳例文集

露光ユニット52は、画像データに基づいて駆動されるLEDアレイ等の半導体レーザ以外の光源を用いたものであってもよい。

除了半导体激光器以外，曝光单元 52可采用包括例如配置成基于图像数据被驱动的 LED阵列的光源。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態では、正電源302や負電源304を有する電源部300を、画素アレイ部10、駆動制御部7、カラムAD変換部26、および参照信号生成部27が形成される半導体領域（半導体チップ）とは別に設けている。

进一步，在本实施例中与半导体区域 (半导体芯片 )(其中形成像素阵列部件 10、驱动控制部件 7、列 AD转换部件 26和基准信号产生部件 27)分离地提供包括正电源 302和负电源 304的电源部件 300。 - 中国語 特許翻訳例文集

換言すれば、画素ブロック160(−0〜−3、・・)を含む画素アレイ部110Aとセンス回路121A（−0〜−3、・・）を含むセンス回路部120Aは各々異なる半導体基板上にアレイ状に配置されることが望ましい。

换句话说，希望包括像素块 160-0、160-1、160-2、160-3的像素阵列部分 110A和包括感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的感测电路部分 120A应该被以阵列分别布置在不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本構成の場合、たとえば画素アレイの行数が1ブロック分で満たされ、ブロックが列方向に並ぶだけの場合は、全ての回路を同一半導体基板上に形成することも可能である。

在该配置的情况下，当像素阵列的行数是一个块中的行数，并且仅在列方向布置各块时，可以在同一半导体基底上形成所有的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

5. ウェハレベルオプティクス（WLO）技術を用いて前記半導体基板上に作製された光学素子をさらに備える請求項1に記載のカメラアレイ。

5.如权利要求 1所述的相机阵列，所述相机阵列还包括使用晶片级光学 (WLO)技术在所述半导体基底上制作的光学元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1を参照して、この半導体装置100は、CMOSイメージセンサであって、光を電気信号に変換する画素（CMOSセンサ）が行列状に配置された画素アレイ73と、列ごとに設けられ、画素アレイ73から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するコラムADC72とを備える。

参看图 1，半导体器件 100为 CMOS图像传感器，包括像素阵列 73和列 ADC 72。 像素阵列 73为以行和列布置的像素 (CMOS传感器 )矩阵，并且像素阵列 73用于将光转化为电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック200は半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められており、それらは一斉に並列動作しながら各々の回路ブロック200内で選択された画素のデータを判定し、光子の入射数をカウントしている。

在半导体基底 SUB2A上以阵列布置电路块 200，并且每次并行操作以对来自每个电路块 200中选择的像素的数据进行判决，并且计数输入光子的数目。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このような撮像装置8は、駆動制御部7およびカラムAD変換部26を、画素アレイ部10と別体にしてモジュール状のもので示しているが、固体撮像装置1について述べたように、これらが画素アレイ部10と同一の半導体基板上に一体的に形成されたワンチップものの固体撮像装置1を利用してもよいのは言うまでもない。

以具有与像素阵列部件 10分离的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的模块形式示出了成像装置 8。 然而，不必说，如关于所述器件 1描述的那样，可以使用具有在相同的半导体衬底上与像素阵列部件 10集成地形成的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的固态成像器件 1。 - 中国語 特許翻訳例文集

MFD100においては、筐体102、レーザモジュール104、光学光伝導体（OPC）106、OPCカートリッジ108、転送メカニズム110、フューザ112、エリアアレイCMOS（相補型金属酸化膜半導体）画像センサ114、光源116、透明表面118、入力トレー120、ピックメカニズム122、ガイド124、およびカバー／出力トレー126が図示されているように連結されている。

MFD 100包括壳体 102、激光模块 104、光学光电导体 (OPC)106、OPC匣 (cartridge)108、传动机构 110、上色辊 (fuser)112、面阵互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器 114、照明源 116、透明表面 118、输入托盘 120、拾取机构 122、导向器 124以及盖 /输出托盘 126，如图所示进行耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板（チップ）11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。

如图 3所示，根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18，以及负电压发生电路 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集