「半導体レーザ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

次に、面発光型半導体レーザ128Aの動作原理について説明する。

接下来，将描述表面发射半导体激光器 128A的操作原理。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、発光部121としては、端面発光型の半導体レーザでも良い。

注意，作为发光单元121，可以采用边沿发射半导体激光器。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1では、二次元光導波路層と、発振モードを切り替えられる半導体レーザと、半導体レーザからの出射光の光路を切り替える光路交換構造体を有する。

专利文献 1公开了次级光波导层 (secondary optical waveguide layer)、具有从一种到另一种进行切换的多种振荡模式的半导体激光器，以及光程切换结构 (其中，切换从半导体激光器发射的光束的光程 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、例えば、半導体レーザの駆動のために電流を吸い込むタイプの駆動部121aにおいては、半導体レーザだけに先に電源が入ることで、意図しない電流が流れると、破損する可能性がある。

此外，在吸取用于驱动半导体激光器的电流的驱动单元 121a中，例如，如果首先仅开启半导体激光器且无意地将电流提供到其，则可能出现击穿。 - 中国語 特許翻訳例文集

露光部は、図示しない半導体レーザ光源、ポリゴンミラー、複数のレンズ等から構成され、レーザ光を生成する。

曝光部由未图示的半导体激光源、多面反射镜、多个透镜等构成，生成激光。 - 中国語 特許翻訳例文集

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128eと、n型半導体基板129fが積層される。

在表面发射半导体激光器 128A中，上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体衬底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

LD部152は、表面が一様に帯電された感光体153に半導体レーザを照射することにより感光体153に静電潜像を形成する。

LD部 152通过对表面均匀带电的感光体 153照射半导体激光而在感光体 153上形成静电潜像。 - 中国語 特許翻訳例文集

光出射部152aは、例えば、発光ダイオードや半導体レーザ等の発光デバイスであればよい。

发光单元 152a可以是诸如发光二极管或半导体激光器的发光装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

露光ユニット52は、画像データに基づいて駆動されるLEDアレイ等の半導体レーザ以外の光源を用いたものであってもよい。

除了半导体激光器以外，曝光单元 52可采用包括例如配置成基于图像数据被驱动的 LED阵列的光源。 - 中国語 特許翻訳例文集

レーザ半導体媒体の注入電流を増加することは、レーザ光線を出している波長を大きくし、一方、駆動電流を減少することは、全く逆になる。

增大激光器半导体介质的注入电流加长了激光发射波长，而减小驱动电流将起相反作用。 - 中国語 特許翻訳例文集

書込み処理部22は、表面が一様に帯電された感光体ドラム26に半導体レーザーを照射することにより感光体ドラム26に静電潜像を形成する。

写入处理单元 22通过对表面均匀地带电的感光鼓 26照射半导体激光而在感光鼓 26上形成静电潜像。 - 中国語 特許翻訳例文集

光路交換構造体は、半導体レーザの発振モードの切り替えに応じて、光導波路層における放射角を変化させ、出射光が光導波路層を伝播するように配置される。

排列光程切换结构以便根据半导体激光器的振荡模式的改变而在光波导层中改变辐射角，并且在光波导层中传输发射光。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、固体撮像素子1Aの光通信部12Aにおいて、半導体レーザだけに先に電源が入ることで意図しない電流が流れて、破壊することを防ぐことができる。

因此，在固态图像拾取元件 1A的光通信单元 12A中，可以防止由于当首先仅开启半导体激光器时提供的无意电流所引起的击穿。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方で、より高速な応答性能を有するレーザーダイオード（LD；Laser Diode）やスーパールミネッセントダイオード（SLD；Super luminescent Diode）等の半導体発光素子も候補に挙げられている。

同时，还提出将具有高速响应性能的半导体发光元件，诸如激光二极管 (LD，Laser Diode)或超辐射发光二极管 (SLD，Super Luminescent Diode)，也作为候选。 - 中国語 特許翻訳例文集

露光ユニット52は、画像読取装置130で読み取られたブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの各色の画像データに基づいて半導体レーザ（不図示）を駆動し、各色のレーザ光を画像形成ステーション30B〜画像形成ステーション30Dに配光する。

曝光单元 52被配置成基于由图像读取装置 130读取的与各种颜色即黑色、青色、品红色和黄色对应的图像数据项驱动半导体激光器 (未示出 )，以将与各种颜色对应的激光图像分配给图像形成站 30A至 30D。 - 中国語 特許翻訳例文集

MFD100においては、筐体102、レーザモジュール104、光学光伝導体（OPC）106、OPCカートリッジ108、転送メカニズム110、フューザ112、エリアアレイCMOS（相補型金属酸化膜半導体）画像センサ114、光源116、透明表面118、入力トレー120、ピックメカニズム122、ガイド124、およびカバー／出力トレー126が図示されているように連結されている。

MFD 100包括壳体 102、激光模块 104、光学光电导体 (OPC)106、OPC匣 (cartridge)108、传动机构 110、上色辊 (fuser)112、面阵互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器 114、照明源 116、透明表面 118、输入托盘 120、拾取机构 122、导向器 124以及盖 /输出托盘 126，如图所示进行耦合。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集