「半導体基板」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

そして、第1の半導体基板SUB1と第2の半導体基板SUB2は積層される。

第一半导体基底 SUB1和第二半导体基底 SUB2层叠。 - 中国語 特許翻訳例文集

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板10は、例えばシリコン基板からなる。

例如，半导体基底 10是硅基底。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

固体撮像装置1Aは、平板状の基材2に半導体基板3が貼り付けられ、半導体基板3の上にシンチレータ部4が設けられている。

固体摄像装置1A在平板状的基材 2粘贴着半导体基板 3，在半导体基板 3上设有闪烁器部 4。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。

在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。

闪烁器部4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。 - 中国語 特許翻訳例文集

シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。

闪烁器部 4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。

再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。

再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、 A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述したように、各画素DPXは、対応するセンス回路121を含む支持回路の上に、異なる半導体基板で積層されて形成される。

如上所述，将各个像素 DPX布置在包括相关联的感测电路 121的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

あるいはメモリ154Aは別途第3の半導体基板を用いて、センス回路の下側にさらに積層して設置しても良い。

可替代地，存储器 154A可以被层叠地布置在感测电路之下的第三半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10の例では、複数の回路ブロック200が半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められている。

在图 10中的示例中，在半导体基底 SUB2A上以阵列布置多个电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、リセットまたは読み出しを行うための画素DPXの駆動回路の少なくとも一部は、画素DPXと同一の第1の半導体基板SUB1に形成されることが望ましい。

此外，希望用于要复位或经历数据读出的像素 DPX的驱动电路的至少一些形成在与形成像素 DPX相同的第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本構成の場合、たとえば画素アレイの行数が1ブロック分で満たされ、ブロックが列方向に並ぶだけの場合は、全ての回路を同一半導体基板上に形成することも可能である。

在该配置的情况下，当像素阵列的行数是一个块中的行数，并且仅在列方向布置各块时，可以在同一半导体基底上形成所有的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、撮像素子が多くの画素を持つ場合には、画素ブロック160（−0〜−3）は、対応するセンス回路121A（−0〜−3）を含む支持回路の上に異なる半導体基板で積層されて形成されることが望ましい。

然而，当成像器件具有多个像素时，希望像素块 160-0、160-1、160-2、160-3应该层叠地形成在包括各个感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

換言すれば、画素ブロック160(−0〜−3、・・)を含む画素アレイ部110Aとセンス回路121A（−0〜−3、・・）を含むセンス回路部120Aは各々異なる半導体基板上にアレイ状に配置されることが望ましい。

换句话说，希望包括像素块 160-0、160-1、160-2、160-3的像素阵列部分 110A和包括感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的感测电路部分 120A应该被以阵列分别布置在不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板SUB2Aには、複数の回路ブロック200を制御するための制御回路210、並びに、回路ブロック200の出力のためのデマルチプレクサ（DEMUX）220、レジスタ群230、転送線240、および出力回路250が形成される。

在半导体基底 SUB2A上形成控制多个电路块 200的控制电路 210、用于解多路复用电路块 200的输出的解多路复用器 (DEMUX)220、寄存器 230、传送线 240、以及输出电路250。 - 中国語 特許翻訳例文集

5. ウェハレベルオプティクス（WLO）技術を用いて前記半導体基板上に作製された光学素子をさらに備える請求項1に記載のカメラアレイ。

5.如权利要求 1所述的相机阵列，所述相机阵列还包括使用晶片级光学 (WLO)技术在所述半导体基底上制作的光学元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、カラム方向に互いに隣接する2個の画素PXでは、半導体基板SB1に拡散層DF1が形成されることでフォトダイオードPD1、PD1´が構成されている。

在图 3中，在列方向上相互邻接的两个像素 PX中，通过在半导体基板 SB1上形成扩散层 DF1而构成光电二极管 PD1、PD1′。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4において、カラム方向に互いに隣接する3個の画素PXでは、半導体基板SB2に拡散層DF2が形成されることでフォトダイオードPD2、PD2´、PD2´´が構成されている。

在图 4中，在沿列方向相互邻接的 3个像素 PX中，通过在半导体基板 SB2上形成扩散层 DF2而构成光电二极管 PD2、PD2′、PD2″。 - 中国語 特許翻訳例文集

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128eと、n型半導体基板129fが積層される。

在表面发射半导体激光器 128A中，上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体衬底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部111、垂直駆動回路112、カラム処理回路113、出力回路114、および、制御回路115は、図示せぬ半導体基板（チップ）上に形成されている。

像素部 111，垂直驱动电路 112，列处理电路 113，输出电路 114以及控制电路 115形成在半导体基板 (芯片 )(未示出 )上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部（いわゆる撮像領域）3と、周辺回路部とを有して構成される。

如图 1所示，本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部，上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2，每个像素 2都包括光电转换部。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック200は半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められており、それらは一斉に並列動作しながら各々の回路ブロック200内で選択された画素のデータを判定し、光子の入射数をカウントしている。

在半导体基底 SUB2A上以阵列布置电路块 200，并且每次并行操作以对来自每个电路块 200中选择的像素的数据进行判决，并且计数输入光子的数目。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板3の主面上には、画素部Pm,nが配列された受光部10A，信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aが形成されて集積化されており、また、信号入出力や電力供給の為のボンディングパッド50が形成されている。

在半导体基板 3的主面上，形成有排列着像素部 Pm，n的受光部 10A、信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A而集成化，另外，形成有用于信号输入输出及电力供应的焊接垫 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板3の主面上には、画素部Pm,nが配列された受光部10A，信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aが形成されて集積化されており、また、信号入出力や電力供給の為のボンディングパッド50が形成されている。

在半导体基板 3的主面上，形成有排列着像素部 Pm，n的受光部 10A、信号读出部 20、A/D转换部 30(参考图 1)及控制部 40A(参考图 1)而集成化，另外，形成有用于信号输入输出及电力供应的焊接垫 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図5のCMOSイメージセンサの高感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 6A为表示图 5的 CMOS图像传感器的高灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 6B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势 (potential)电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図5のCMOSイメージセンサの低感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 7A为表示图 5的 CMOS图像传感器的低灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 7B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。

在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このような撮像装置8は、駆動制御部7およびカラムAD変換部26を、画素アレイ部10と別体にしてモジュール状のもので示しているが、固体撮像装置1について述べたように、これらが画素アレイ部10と同一の半導体基板上に一体的に形成されたワンチップものの固体撮像装置1を利用してもよいのは言うまでもない。

以具有与像素阵列部件 10分离的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的模块形式示出了成像装置 8。 然而，不必说，如关于所述器件 1描述的那样，可以使用具有在相同的半导体衬底上与像素阵列部件 10集成地形成的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的固态成像器件 1。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板（チップ）11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。

如图 3所示，根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18，以及负电压发生电路 19。 - 中国語 特許翻訳例文集