「半波ポテンシャル」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

一方、導光部材202から出射されると共に拡散板67で拡散され、読取原稿Gに直接向かう光Lの一部は、光LGのように、矢印X方向で読み取り位置X0から導光部材202側にずれた反射位置X2に向かうと共に、反射位置X2で反射されて拡散光となる。

从导光构件 202出射并被扩散板 67扩散而直接朝读取原稿 G传播的一部分光L(例如光 LG)传播至沿箭头 X的方向从读取位置 X0朝导光构件 202侧偏移的反射位置 X2，并在反射位置 X2处被反射并成为漫射光。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、副走査方向で読み取り位置X0から反射板79側では、反射板79が第1ホルダー51の端部51Cよりも光軸LTに近い配置となっているが、反射板79の取り付け位置については、拡散板67から出射された光LBの反射状態に基づいて設定されるため、光軸LTから反射板79までの距離が12mm以内であってもよい。

在读取位置 X0在慢扫描方向上的反射板 79侧，反射板 79被放置成比第一保持件51的端部 51C更靠近光轴 LT，但是由于反射板 79的安装位置基于从扩散板 67出射的光 LB的反射状态设定，因而从光轴 LT至反射板 79的距离也可在 12mm以内。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、導光部材65から出射されると共に、拡散板67で拡散されて読取原稿Gに直接向かう光Lの一部は、光LEのように、矢印X方向で読み取り位置X0から導光部材65側にずれた反射位置X2で反射されて拡散光となる。

从导光构件 65出射并被扩散板 67扩散而直接朝读取原稿 G传播的一部分光 L(例如光 LE)在沿箭头 X的方向从读取位置 X0朝导光构件 65偏移的反射位置 X2处被反射并成为漫射光。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図5のCMOSイメージセンサの低感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 7A为表示图 5的 CMOS图像传感器的低灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 7B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

筐体やその他の部材による反射の影響を受けないし、一方のアンテナ136から放出したミリ波信号を誘電体伝送路9Aに閉じ込めて他方のアンテナ236側に伝送できる。

没有外壳或一些其它部件的反射的影响，并且从天线 136辐射的毫米波信号可以限定到介电传输路径 9A并传输到其它天线236。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図5のCMOSイメージセンサの高感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。

图 6A为表示图 5的 CMOS图像传感器的高灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图，图 6B为表示复位动作时的半导体衬底内的电势 (potential)电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

一方、導光部材65から出射されると共に拡散板67で拡散されて読取原稿Gに直接向かう光Lのうち、光LG（図9（a）参照）の拡散角よりも大きい拡散角度で出射された光LHは、矢印X方向で反射位置X2（図9（a）参照）よりも光軸LTから離れる側にずれた反射位置X5で反射されて拡散光となる。

在从导光构件 65出射而被扩散板 67扩散并直接向读取原稿 G传播的光 L之中，以比光 LG(参见图 9A)的漫射角更大的漫射角出射的光 LH在沿箭头 X的方向朝比读取位置 X2(参见图 9A)更远离光轴 LT的一侧偏移的读取位置 X5处被反射并成为漫射光。 - 中国語 特許翻訳例文集

ミラー素子147がオフまたはフロート状態で配置される場合、それが1つ以上の追加的な出力ポートに向け直されることができるDMD108へ、次に光を反射するミラーストリップ140の以降のもの上へ、光路182が反射されることができる点に注意する。

注意，如果镜元件 147位于关断或浮置状态中，则可以将光路径 182反射在镜条 140的随后的那个上，该镜条140的随后的那个继而将光反射回DMD 108，光从DMD 108可以被重新引导到一个或多个另外的输出端口。 - 中国語 特許翻訳例文集

ミラー素子147の場合のような、二度目にDMD108に入射する切換え波長の成分を反射する任意の選択された数のミラー素子を適切に傾けることによって、選択された出力ポートまたはファイバに向けられる光が、選択された量だけ減衰されることができる。

通过适当地倾斜任何选择的数量的、反射第二次入射在DMD108上的切换波长的分量的镜元件，例如在镜元件 147的情况下，可以将被引导到所选择的输出端口或光纤的光衰减所选择的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、本構成例では嵌合構造（スロット構造4A）を利用してミリ波閉じ込め構造（導波路構造）のミリ波信号伝送路9（この例では誘電体伝送路9A）を構築しているので、筐体やその他の部材による反射の影響を受けないし、一方のアンテナ136から放出したミリ波信号を誘電体伝送路9Aに閉じ込めて他方のアンテナ236側に伝送できる。

特别是在本配置示例中，因为利用装配结构 (即，插槽结构 4A)来构造毫米波信号传输路径 9，所以在本示例中，毫米波限定结构 (即，波导结构 )的介电传输路径 9A不受外壳或其它部件的反射的影响，并且从一个天线 136辐射的毫米波信号可以传输到另一天线236侧，同时限定在介电传输路径 9A。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、境界線cより上方の表示範囲bには、使用者がタッチ操作では設定を変更できない各種情報を表す表示オブジェクト（以下、第2の種別の表示オブジェクトという）が表示されている。

另一方面，在边界线 c上方的显示范围 b中显示表示不能由用户改变设置的各种信息的显示对象 (以下称为第二类型显示对象 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、また、当業者によって理解されるように、動作504は、見失われたすべてのPDUが、アクセス端末と通信している基地局またはeNBにレポートされるまで、1または複数回数反復され、ここで、最初の見失われたPDUは、部分的ステータス・レポートに関連付けられたACK SNフィールドへ挿入される。

因此，且如知晓此所致力于的领域的人员将了解，动作 504可重复一次或一次以上直到所有遗漏 PDU已报告给与接入终端通信的基站或 eNB为止，其中将第一遗漏 PDU插入到与部分状态报告相关联的 ACK SN字段中。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上、一実施形態における撮像装置によれば、被写体輝度が所定輝度以上、および、撮像フレームレートが所定のフレームレート以上のいずれか一方が少なくとも成立する場合であって、かつ、被写体輝度が所定輝度より高い上限輝度以下の場合に、画像のダイナミックレンジを拡大すると判断する。

以上，根据一个实施方式中的摄像装置，在被摄体亮度为预定亮度以上和摄像帧速率为预定的帧速率以上中的任一方至少成立、且被摄体亮度为高于预定亮度的上限亮度以下的情况下，判断为扩展图像的动态范围。 - 中国語 特許翻訳例文集

この情報、すなわち歩く速度および心拍数は、RFIDタグ識別と共にサービス解決サーバSRSへ送信され、サービス解決サーバSRSは、このデータを解釈し、RFIDタグ識別に基づいて小道上のポールを判定し、歩く速度および心拍数が比較的高いことに気付く。

该信息 (即行走速度和心跳频率 )连同 RFID标签识别一起发送到服务解析服务器 SRS，其解释该数据，根据 RFID标签识别确定该路径上的杆，并根据行走速度和心跳频率相对高而进行通知。 - 中国語 特許翻訳例文集