「压电」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

如图 4(1)中所示，例如，相对于累积时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压Vout(负电压电平 )在 0秒≤ TS＜ 0.5秒时为 -1.0V，在 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V，在 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V，在 1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V，而在 2.0秒≤ TS时为 -1.4V。 因此，累积时间越长，负电压就越高。

たとえば図4（1）に示すように、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V，2．0秒≦TSでは−1．4Vというように、蓄積時間が長くなるほど負電圧レベルを大きくする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，当 0秒≤ TS＜ 0.5秒时相对于累计时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压 Vout(负电压电平 )为 -1.0V，当 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V-Δ1＝ -1.15V，当 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V-Δ2＝ -1.3V，当1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V-Δ3＝ -1.45V，且当 2.0秒≤ TS时为 -1.4V-Δ4＝ -1.6V。 因此，累积时间越长，或者周围温度越高，负电压就越高。

この場合、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V−Δ1＝−1．15V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V−Δ2＝−1．3V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V−Δ3＝−1．45V，2．0秒≦TSでは−1．4V−Δ4＝−1．6Vというように、蓄積時間が長く、また周囲温度が高くなるほど、負電圧レベルが大きくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

各个邻近线路上的电感主导型串扰在图 11的下半部中演示，并且如附图标记 1107所示的，在各个邻近线路的电压电平中产生接近 0.3伏的负“下沉”； 如不加以抑制，这种串扰可能干扰同时沿该线路发送的传输信号。

各近傍線上に誘導されるインダクタンスに支配されたクロストークは図11の下半分に表され、参照符号1107により示されるように各近傍線の電圧レベルで約0．3ボルトの負の「くぼみ」を生じ、抑制されないままであると、このクロストークはその線に沿って同時に送信された送信信号と干渉する可能性がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在从时间 T6到时间 T7的时段期间 VSL 57的电压电平的改变因此大于预定阈值时，检测部分 27在步骤 S15为地址存储部分 28提供指示设为缺陷检测的目标的像素 (光电二极管 51-1)的位置的地址作为缺陷像素的地址，并且使得地址存储部分 28存储该地址。

このように、時刻T6乃至T7の期間の、VSL57における電圧レベルの変化が所定の閾値より大きい場合、ステップS15において、検出部27は、欠陥検出対象となっている画素（フォトダイオード51−1）の位置を示すアドレスを、欠陥画素のアドレスとして、アドレス記憶部28に供給し、記憶させる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在图 1及图 2所示的 TFT阵列基板 10上，添加上述数据线驱动电路 101，扫描线驱动电路 104等的驱动电路，也形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路，对多个数据线先于图像信号分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路，用于检查制造途中、负载时的该液晶装置 100的品质，缺陷等的检查电路等。

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、上述したデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集