「原子動力プラント」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

すると、表示部16は、現在表示している文字入力画面WNDのなかの一覧領域LSTに、絵文字・記号入力モードMODにて入力可能な「特定の文字の種類」（例えば、絵文字や記号）それぞれの一覧をタブごとに分別して示した一覧画面ICHを表示する（ステップS5）。

然后，在步骤 5，显示部件 16显示列表画面 ICH，该列表画面 ICH按照当前显示的字符输入画面 WND上的列表区域 LST中的类型把可在图画字符 -符号输入模式 MOD中输入的“特定类型的字符”(例如，图画字符和符号 )的列表进行分类。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、ユーザが二つのアクティブな最善努力式転送を有し、100Mbpsプランを購入し、100Mbpsの仮想リンクとして実現された場合、二つのアクティブな転送は、50Mbpsの適合レートを計算する。

例如，如果一个用户有两个活动最大努力传输，并且已购买了100Mbps的计划——其被实施为 100Mbps的虚拟链路，则这两个活动传输计算 50Mbps的已适应速率 (Adapted Rate)。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7に示されるとおり、システム700は、プロセッサ要素702（例えば、CPU）と、メモリ704、例えば、ランダムアクセスメモリ（RAM）および／または読み取り専用メモリ（ROM）と、LSPプロビジョニングモジュール705と、様々な入出力デバイス706（例えば、テープドライブ、フロッピー（登録商標）ドライブ、ハードディスクドライブ、またはコンパクトディスクドライブを含むが、以上には限定されないストレージデバイス、受信機、送信機、スピーカ、ディスプレイ、出力ポート、およびユーザ入力デバイス（キーボード、キーパッド、マウスなど））とを備える。

如图 7所示，系统700包括处理器元件 702(例如 CPU)，存储器 704，例如随机存取存储器 (RAM)和 /或只读存储器 (ROM)，LSP提供模块 705，和各个输入 /输出设备 706(例如存储设备，包括但不限于，带驱动器、软盘驱动器、硬盘驱动器或压缩盘驱动器、接收器、发送器、扬声器、显示器、输出端口、和用户输入设备 (例如键盘、键板、鼠标等 ))。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示されるように、システム600は、プロセッサ要素602（例えば、CPU）と、メモリ604、例えば、ランダムアクセスメモリ（RAM）および／または読出し専用メモリ（ROM）と、サービス品質の制御モジュール605と、様々な入出力デバイス606（例えば、テープドライブ、フロッピー（登録商標）ドライブ、ハードディスクドライブ、またはコンパクトディスクドライブ、受信機、送信機、スピーカ、ディスプレイ、出力ポート、および（キーボード、キーパッド、マウスなど）ユーザ入力デバイスを含むが、これらに限定されない記憶デバイス）とを備える。

如图 6所示，系统 600包括： 处理器元件 602(例如，CPU)，存储器 604，例如随机访问存储器 (RAM)和 /或只读存储器 (ROM)，服务质量控制模块 605，以及各种输入 /输出设备 606(例如，包括 (但不局限于 )磁带驱动器、软盘驱动器、硬盘驱动器或光盘驱动器的存储设备，接收器，发送器，扬声器，显示器，输出端口，以及用户输入设备 (例如键盘，小键盘，鼠标等等 ))。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、「プロセッサ」または「制御装置」という用語の明示的使用は、ソフトウェア実行能力のあるハードウェアをもっぱら指すと解釈されるべきでなく、デジタル信号プロセッサ（DSP）ハードウェア、ソフトウェア格納用のリードオンリメモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、および不揮発性記憶装置を含んでもよいが、これらに限定されない。

此外，术语“处理器”或“控制器”的明确使用不应视为排他地指能够运行软件的硬件，并且可包括但不限于数字信号处理器 (DSP)硬件、用于存储软件的只读存储器 (ROM)、随机存取存储器 (RAM)和非易失性存储装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

種々の距離指標がこの技術分野では知られており、それは、弦距離、射影された2つのノルム、及びFubini-Studyを含む（例えば、D J．ラブ、R W．ヒースジュニア（Love D J, Heath R W Jr.）著、“空間多重化システムのための制限付きフィードバック・ユニタリ・プリコーディング（Limited feedback unitary precoding for spatial multiplexing systems）”、2005年、IEEEトランザクション情報理論（IEEE Trans. Inf. Theory）、第51巻第2967〜76頁を参照）。

各种距离度量在本领域已为人所熟知，包括弦距离、projection two-norm和 Fubini-Study(例如，参阅 Love D J和 Heath R W Jr所著“用于空间复用系统的受限反馈酉预编码”(Limited feedback unitary precoding for spatial multiplexing systems，2005 IEEE Trans.Inf.Theory vol 51，pp 2967-76))。 - 中国語 特許翻訳例文集

当該格納媒体は、これらに限定されないが、フロッピー（登録商標）ディスク、光ディスク、コンパクトディスクリードオンリーメモリ（CD−ROM）、コンパクトディスクリライタブル（CD−RW）、および、光磁気ディスク等の任意の種類のディスク、リードオンリーメモリ（ROM）等の半導体デバイス、ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）等のランダムアクセスメモリ（RAM）、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）、消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ（EPROM）、フラッシュメモリ、電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ（EEPROM）、磁気カードあるいは光カード、または、電子的に命令を格納するのに適した任意のその他の種類の媒体を含むとしてよい。

该存储介质可以包括但不限于任何类型的盘 (包括软盘、光盘、压缩盘只读存储器 (CD-ROM)、压缩盘可重写 (CD-RW)、以及磁光盘 )、半导体器件 (例如，只读存储器 (ROM)，诸如动态随机存取存储器 (DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM)这样的随机存取存储器 (RAM)，可擦可编程只读存储器 (EPROM)，闪存，电可擦可编程只读存储器 (EEPROM))、磁卡或光卡、或者适用于存储电子指令的任何其他类型的媒介。 - 中国語 特許翻訳例文集