「合金トランジスター」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

第7レジスタの出力は、排他的論理和ゲート36にも供給され、パケットデータと結合されてスクランブルビットを生成する。

第七比特，即输出比特，也被馈送至异或门 36，其与该分组数据的一个比特相结合以产生加扰比特。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。

在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み出し専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。

术语存储器可以指代各种处理器可读介质，例如，随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書に開示するのは、同期ハイブリッド自動再送要求（HARQ）の再送信を制御する方法および装置であり、そこでは、第1の送信時間間隔に関してCQIオンリーグラントが受信された場合に、第1の送信時間にスケジュールされた非適応再送信が、後の送信時間間隔に自動的に延期される。

本文公开了用于控制同步混合自动重复请求 (HARQ)重发的方法和设备，其中如果对于第一发射时间间隔接收到仅 CQI许可，则对于第一发射时间间隔调度的非自适应重发被自动推迟到以后的发射时间间隔。 - 中国語 特許翻訳例文集

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書で開示された実施形態に関連して記述されたさまざまな例示的なロジック、論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）あるいはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリート・ゲートあるいはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウェア構成要素、または上述された機能を実現するために設計された上記何れかの組み合わせを用いて実現または実施されうる。

可用通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其经设计以执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块和电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書で開示された実施形態に関連して記述されたさまざまな例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）あるいはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリート・ゲートあるいはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウェア構成要素、または上述された機能を実現するために設計された上記何れかの組み合わせを 用いて実現または実施されうる。

结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块及电路可使用通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、媒体アクセス制御機能は、そのプロセスに関する新しいフィードバックが受信されるまで各プロセスに関するHARQフィードバックを維持するように構成され、ストップ・アンド・ウエイト型HARQプロセスに対応するごく最近の前のHARQフィードバックがNACKメッセージであることを検出すると、この検出に応えて、トランスポートブロックの同期HARQ再送信を第2の送信間隔に自動的にスケジュールする。

在其它实施例中，媒体访问控制功能配置成保持每个过程的 HARQ反馈，直到接收到那个过程的新反馈为止，并检测对应于停止并等待 HARQ过程的最近先前 HARQ反馈是NACK消息，由此响应于所述检测，对于第二发射间隔自动调度传送块的同步 HARQ重发。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7の入力ノード703は駆動信号（例えば、並列データバスのビット線に沿って出力用ドライバに供給されるもの）の一表現を受信し、一方、イネーブル信号（図7のAP、BP、AN、BNラベルのもの）は、この表現を出力705（図7には見えない関連容量ネットワークの）に選択的に接続し、そしてnMOSおよびpMOSトランジスタ（図7の707、709、711、713ラベルのもの）の制御により調整可能駆動を与えるために使用される。

图7的输入节点 703接收 (比如输入到驱动器用于沿并行数据总线的位线输出的 )驱动信号的表示； (图 7中标记为 AP、BP、AN和 BN的 )使能信号用于选择性地将这一表示耦合到 (用于未见于图 7中的相关电容网络的 )输出 705，并且通过控制 (标记为 707、709、711和 713的 )nMOS和 pMOS晶体管来提供可调驱动。 - 中国語 特許翻訳例文集