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「大喪の礼」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
【図1】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。
图 1示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
- 中国語 特許翻訳例文集
【図2】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。
图 2示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図3】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。
图 3示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図10】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。
图 10示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的比较器的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図15】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。
图 15示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集
シンチレータで可視光に変換された光は、基板1上にアレイ状に配置されたセンサ部103の半導体層21に照射される。
已经通过闪烁物被转换成可见光的光照射到在基板 1上以阵列设置的传感器部 103的半导体层 21上。 - 中国語 特許翻訳例文集
例証となる非限定的な例として、第1の極性、第2の極性及び非アクティブは、図2に例証したデバイス210，220，230によって実行されてもよいように、3つの状態送信機の状態に関連してもよい。
作为说明性、非限制性实例，所述第一极性、所述第二极性及所述不活动性可与三态发射器的状态相关联，例如可由图 2中所说明的装置 210、220及 230执行。 - 中国語 特許翻訳例文集
このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。
在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。
在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1を参照して、この半導体装置100は、CMOSイメージセンサであって、光を電気信号に変換する画素（CMOSセンサ）が行列状に配置された画素アレイ73と、列ごとに設けられ、画素アレイ73から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するコラムADC72とを備える。
参看图 1，半导体器件 100为 CMOS图像传感器，包括像素阵列 73和列 ADC 72。 像素阵列 73为以行和列布置的像素 (CMOS传感器 )矩阵，并且像素阵列 73用于将光转化为电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3の例示的な回路が2つ以上のスピーカ装置において使用される場合、各スレーブスピーカ装置のシステムクロックが互いに対してある期間にわたりドリフトする結果、スピーカ装置のそれぞれのオーディオデコーダの動作間でタイミング誤差（タイミングスキュー）が累積し、そこから生成されるオーディオ信号間に関連付けられた位相誤差が生じる。
当图 3的示例性电路用在两个或更多扬声器设备中时，每个从扬声器设备的系统时钟将相对于彼此随时间而漂移，并且在扬声器设备的相应音频解码器的操作之间产生定时误差 (定时偏斜 )的累积，并且在从其生成的音频信号之间产生相关联的相位误差。 - 中国語 特許翻訳例文集
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