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「导电型」を含む例文一覧

該当件数 : 3



第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如,p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如,n型 )半导体基板 72,并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され,このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如,p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如,n型 )半导体基板 72,并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され,このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如,p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如,n型 )半导体基板 72,并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され,このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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