「导通」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二示例性实施例与第一示例性实施例的不同在于，在被供给基准电压 Vref的运算放大器 4的非反相输入节点和列放大器单元 14的输出节点 A之间添加控制电气导通的开关 60。

実施例1と異なるのは、演算増幅器4の基準電圧Vrefが供給される非反転入力ノードと、列増幅部の出力ノードAとの間にこれらの電気的導通を制御するスイッチ60が追加されている点である。 - 中国語 特許翻訳例文集

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 3和图 4，在输入图像数据以使液晶分子呈卧式的方法中，将栅极导通电压Von施加到显示面板 100的多条栅极线，并且向多条数据线施加公共电压 Vcom。

図3及び図4を参照すると、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法としては、表示パネル100の複数のゲート線にゲートオン電圧Vonを印加し、複数のデータ線に共通電圧Vcomを印加する方法がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

被执行以在时段 (10)期间向低灵敏度模式转换的操作的特征在于，在时段 (14)中从缓冲放大器 202输出的信号 -S3包含由于 MOS晶体管 115在累积操作期间进入导通状态而出现的噪声。

期間（10）から低感度モードに移行する動作で特徴的なのは、期間（14）にバッファアンプ202から出力される信号−S3には、蓄積動作中にMOSトランジスタ115を導通させたことによるノイズが含まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于 NMOS晶体管 41始终是导通的，因此进行控制信号线 21的放电，在控制信号线 21的电位下降且通过了逻辑匹配电路 48的阈值的定时，如图 7(3)所示，控制端 47显现出控制信号。

NMOSトランジスタ41は常時オンしているので、制御信号線21の放電が行われ、制御信号線21の電位が低下し論理整合回路48の閾値を過ぎるタイミングで、図7（3）に示すように、制御端47に制御信号が現れる。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间，驱动基准电压线 Vref1的 NMOS晶体管 30、驱动基准电压线 Vref2的 NMOS晶体管 33、驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 35都导通。

基準電圧駆動回路19aでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vref1を駆動するNMOSトランジスタ30と、基準電圧線Vref2を駆動するNMOSトランジスタ33と、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ35とが共にオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图所示，例如在时刻 t4时，通常时 (a)，复位信号几乎不会下降，但是在入射极强光的情况下 (b)，在被行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取像素信号时，垂直信号线的复位信号下降。

図示するように、例えば、時刻t4の際、通常時（a）では、リセット信号の下降はほとんどないが、非常に強力な過大光が入射した場合（b）では、行選択された単位画素のリセットTrがオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線のリセット信号が下降してしまう。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，在执行二维显示时，用于左眼和右眼的背光单元 2L和 2R同时导通，如图 5所示，用于左眼的图像 GL的显示以及用于右眼的图像 GR的显示不断高速切换，以实现两个图像 GL、GR的重叠显示，如图 6所示 (二维模式 )。

一方、2次元表示を行う場合は、図5に示すように左目用および右目用のバックライト2L，2Rを同時に点灯し、左目用の画像GLの表示と右目用の画像GRの表示とを高速で切り替える（2次元モード）ことにより、図6に示すように2つの画像GL，GRが重なって見えるようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于导通电阻 Ro可以被表达为 Ro＜＜ 2πfoLa，当第一 PIN二极管 28a被接通时，第一开关电路 22a在中心频率 fo附近可以由图 4A所示的等效电路表示； 并且当第一 PIN二极管 28a被关断时，在中心频率 fo附近可以由图 4B所示的等效电路表示。

ここで、オン抵抗Roは、一般に1オーム程度あるいはそれ以下であり、Ro＜＜2πfoLaとできるため、第1PINダイオード28aのオン時における中心周波数fo付近の等価回路は図4Aのように表すことができ、第1PINダイオード28aのオフ時における中心周波数fo付近の等価回路は図4Bのように表すことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送表 320例如对应通过第 1和第 2路径由上行链路 IF#1、2(21、22)接收的下行方向的标签，存储有作为针对用户帧的第 1输出地点信息表示链接集合的识别符、和作为针对导通确认帧的第 2输出地点信息被设定为动作系统的线路 IF#1(11)的识别符。

転送テーブル320は、例えば、第1及び第2のパスを介してUplink IF＃1、2（21、22）で受信される下り方向のラベルに対応して、ユーザフレームに対する第1の出力先情報としてリンクアグリゲーションを示す識別子が記憶され、及び、導通確認フレームに対する第2の出力先情報としてアクト系に設定された回線IF＃1（11）の識別子が記憶される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，仅仅复位 FD区 26，并且在时段 t5，通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值，放大晶体管 24被关断，以使得像素处于未选定状态。

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在此，在入射了极强光的情况下，在使行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取了像素信号时，垂直信号线 VSL的复位信号下降，由此，由复位信号和像素 (PD)信号的差分制作的像素信号成分变小，发生影像变暗黑的情形的问题。

ところで、非常に強力な過大光が入射した場合、行選択された単位画素のリセットTr．がオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線VSLのリセット信号が下降してしまい、これによって、リセット信号と画素(PD)信号の差分で作られる画素信号成分が小さくなり、映像的に黒く沈んだ模様が発生してしまう問題が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在驱动模式中，发送缓冲器 506经由 TESTER_IO从测试系统 (测试器 )接收信号，对其进行缓冲，并且将其分发到所有的 DUT I/O驱动器 (在’378申请中被称作 DUT_IO驱动器 )。 输入端接可以是导通或关断，如通过 CHIO_VTERM_ENA来控制的。

ドライブモードでは、送信バッファ506はTESTER＿IOを介して試験システム（試験装置）から信号を受信し、それをバッファリングし、（‘378号出願でDUT＿IOドライバと称された）すべてのDUTのI／Oドライバに分配する。入力の終結はCHIO＿VTERM＿ENAによって制御することでオン又はオフすることができる。終端処理が有効である場合には、受信バッファ508がオンとなり、受信バッファの電源が終端電圧であるCHIO−VTとなる。終端処理が無効である場合には、受信バッファ508がオフとなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t23的曝光之后，在时段 t24通过使得复位脉冲 RST为“H”电平，再次执行复位操作，并且通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出复位电平，接着，在时段 t25，通过使得转移脉冲 TRG为“H”电平，转移晶体管 22被完全导通并且执行到 FD区 26的完全转移，然后，在时段 t26，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出信号电平。

そして、期間t23での露光後、期間t24でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによって再びリセット動作を行い、選択パルスSELが“H”レベルになることによってリセットレベルを読み出し、次いで期間t25では転送パルスTRGが“H”レベルになることによって転送トランジスタ22を完全にオン状態にしてFD部26へ完全転送を実行し、期間t26で選択パルスSELが“H”レベルになることによって信号レベルを読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在诸如摄像机、电子照相机和设在诸如蜂窝式电话这样的移动设备中的照相机模块这样的成像设备中，根据上述实施例的固态成像装置 10被用作成像装置 42，这使得可以减小由固态成像装置 10中的像素的选择晶体管的有限导通电阻引起的 1/f噪声或突发噪声，从而得到具有极小噪声的成像设备。

上述したように、ビデオカメラや電子スチルカメラ、さらには携帯電話等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置において、その撮像デバイス42として先述した実施形態に係る固体撮像装置10を用いることで、当該固体撮像装置10では画素内の選択トランジスタの有限なオン抵抗に起因する1／fノイズやバーストノイズを低減できるために、極めてノイズの少ない撮像画像を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集