「対トランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

さらに、L3およびL4ならびに対応するトランジスタは、低直線性受信モードで使用されてよい。

另外，L3及 L4以及对应晶体管可用于低线性接收模式中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、液晶表示パネル300の下部面には下部偏光板12が形成され、その上には下部基板である薄膜トランジスタ基板310が形成され、これに対向する位置には上部基板320が形成され、上部基板320と薄膜トランジスタ基板310との間には液晶層330が位置している。

也就是说，在显示面板 300的下表面形成有下偏振片 12，在下偏振片上形成有作为下基板的薄膜晶体管基板 310，形成有面向薄膜晶体管基板的上基板 320，并且，在上基板 320和薄膜晶体管基板 310之间形成有液晶层 330。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示す各信号は、図2で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。

图 3示出图 2A所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示す各信号は、図5で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。

图 6示出图 5所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6において、61は、各保持手段5からそれぞれの共通出力線8に接続する切替トランジスタであり、ノードN61を介して入力される信号を共通出力線8に対して出力する。

图6示出了切换晶体管61，其用于将每一保持单元5连接到公共输出线8，以便将经由节点N61输入的信号输出到公共输出线8中。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图； - 中国語 特許翻訳例文集

これに対し、この固体撮像装置100では、1行読出し期間における保持期間において、維持制御信号線203からの維持制御信号に基づいて設定トランジスタ611をオフ状態にする。

相反，固态成像设备 100基于从维持控制信号线 203提供的维持控制信号，在一行读出时段的保持时段期间使设置晶体管 611截止。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。 - 中国語 特許翻訳例文集

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

動作例4は、中間転送による信号の読み出しを続けて複数回実行する動作例となっており、複数の電圧を低い電圧から順に転送トランジスタ22の制御電極に印加することにより、それぞれの電圧に対応した補正量の補正信号を得ることができる。

操作实例 4是其中顺序地多次执行通过中间转移完成的信号读出的实例，并且通过从低级开始施加多个电压到转移晶体管 22的控制电极，可以获得对应于各个电压的补偿量的补充信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

この提示は、対応するフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12または12AおよびLED13または13Aと共に、対応するTXおよびRX回路32および33または32Aおよび33Aを準備して、単一またはデュアル光ファイバケーブル252を使用することおよび／または単一またはデュアルライトガイドケーブル252を使用すること含む。

这包括通过连同对应的光电二极管或光电晶体管12或 12A和 LED 13或 13A一起提供对应的 TX和 RX电路 32和 33或 32A和 33A来使用单个或两个光纤线缆 252和 /或使用单个或两个光导线缆 252。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第5のOB領域65および第6のOB領域66に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该操作具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第五 OB区域 65和第六 OB区域 66中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64および第7のOB領域67に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64和第七OB区域 67中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第5のOB領域65、第6のOB領域66および第8のOB領域68に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第五 OB区域 65、第六 OB区域 66和第八 OB区域 68中排列第一遮光像素910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、OB領域610、620および621に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 610、620和 621中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、OB領域630、640、650、651、652、660、661、および662に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域630、640、650、651、652、660、661和662中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第8のOB領域68、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第八 OB区域 68、第九 OB区域 69和第十OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、OB領域630、640、690、691、692、700、701、および702に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 630、640、690、691、692、700、701和702中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集