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「布局图」を含む例文一覧
該当件数 : 25件
图 2是示出本发明的第一实施例的平面布局图；
【図2】本発明の第1実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5是示出本发明的第二实施例的平面布局图；
【図5】本発明の第2実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6是示出本发明的第三实施例的平面布局图；
【図6】本発明の第3実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 7是示出本发明的第四实施例的平面布局图；
【図7】本発明の第4実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 8是示出本发明的第五实施例的平面布局图；
【図8】本発明の第5実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5是示出了本发明的第二实施例的平面布局图。
図5は、本発明の第2実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6是示出了本发明的第三实施例的平面布局图。
図6は、本発明の第3実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 7是示出了本发明的第四实施例的平面布局图。
図7は、本発明の第4実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 8是示出了本发明的第五实施例的平面布局图。
図8は、本発明の第5実施形態を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
為自己家的改建自己画了房屋平面布局图。
自宅のリフォームのために自分で間取り図を作った。 - 中国語会話例文集
尽管是在像素布局图形是图 3所示的正方形格子图形的情况下对漏光修正用像素 24进行了布置，但漏光修正用像素 24的上述布置对于其他像素布局图形 (如拜耳布局图形 )也是有效的。
また、図3では、画素配列パターンが正方格子配列の場合において漏れ込み光補正用画素24を配置したが、ベイヤー配列等の他の画素配列においても、有効である。 - 中国語 特許翻訳例文集
第一实施例采用了具有图3所示的像素布局图形的结构。
第1実施の形態では、図3の画素配列パターン有した構成を適用している。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4是示出本发明的第一实施例的修改的平面布局图；
【図4】本発明の第1実施形態の変形例を示す平面レイアウト図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是示出了本发明实施例中像素部的像素布局图形的一个示例的示例性图。
【図3】本発明の実施の形態に係る画素部の画素配列パターンの一例を示す模式図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
像第一实施例那样，第二实施例采用了具有图 3所示的像素布局图形的结构。
第2実施の形態は、第1実施の形態と同様に、図3の画素配列パターンを有した構成を適用している。 - 中国語 特許翻訳例文集
像第一实施例那样，第三实施例采用了具有图 3所示的像素布局图形的结构。
第3実施の形態は、第1実施の形態と同様に、図3の画素配列パターンを有した構成を適用している。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4B是在 T微秒或 2T微秒的周期内发送的三个位序列的布局图。
【図4B】Tマイクロ秒または2Tマイクロ秒の期間にわたって送信される3つのビットシーケンスのレイアウト図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1A、图 1B和图 1C为第 1实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图，图 1A为概要地表示取出第 1实施方式的传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图，图 1B为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图，图 1C为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像以及滤色器和微透镜的布局图像的图；
【図1】（a）は第1の実施形態のセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、（b）は同センサの撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図、（c）は同センサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージ並びに色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3A、图 3B和图 3C为第 2实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图，图 3A为概要地表示取出第 2实施方式的传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图，图 3B为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图，图 3C为概要地表示取出同一传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像以及滤色器和微透镜的布局图像的图；
【図3】（a）は第2の実施形態のセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、（b）は同センサの撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図、（c）は同センサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージ並びに色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 9A和图 9B为第 2实施方式的固体摄像装置中的传感器的剖视图，图 9A为概要地表示取出图 5的 CMOS图像传感器的摄像区域中的一部分的、元件形成区域和栅极的布局图像的图，图 9B为概要地表示取出图 5的 CMOS图像传感器中的摄像区域的一部分的、滤色器和微透镜的布局图像的图。
【図9】（a）は図5のCMOSイメージセンサの撮像領域における一部分を取り出して素子形成領域およびゲートのレイアウトイメージを概略的に示す図、（b）は図5のCMOSイメージセンサにおける撮像領域の一部を取り出して色フィルタ及びマイクロレンズのレイアウトイメージを概略的に示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集
根据本实施例，在有效像素区域的像素布局图形中，漏光修正用像素 24被布置成在每一组像素 25中都设有一个漏光修正用像素 24。
本実施の形態では、有効画素領域内のこの画素配列において、複数の画素を1組として、その1組の画素群25に対して1つの割合で漏れ込み光補正用画素24を配置して構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2是示出了根据本发明的第一实施例的像素阵列中的两个像素列的平面布局图，在该像素阵列中每个像素列具有图 1所示的电路。
図2は、各画素列が図1に示す回路構成を有する画素アレイにおける2つの画素列の平面レイアウト図であり、本発明の第1実施形態を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。
第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集
第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。
第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集
第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。
第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集
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