「指数レジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

特に、タイトル番号を格納しておくためのレジスタをタイトル番号レジスタという。

特别地，将用来保存标题号码的寄存器称作标题号码寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

「百花斉放・百家争鳴」を堅持するには，各種の異なった流派を奨励しなければならない．

要坚持“双百”，便要提倡各种不同流派。 - 白水社 中国語辞典

先行レジストレーションにおいて使用されたインスタンスIDを取得した後、プロセス900はブロック916に移動し、UE104は、追加レジストレーションを実行すべきかどうかを判断する。

在获得先前的注册中使用的实例 ID后，过程 900移动到框 916，其中，UE 104确定是否执行附加注册。 - 中国語 特許翻訳例文集

先行レジストレーションにおいて使用されたプライベートIDを、後続のプライベートIDを取得するために使用することができ得る。

可以使用在先前的注册中使用的私有ID来获得随后的私有ID。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11には、上に検討した実施形態により提供された容量結合の適用例を示すグラフ1101を提示する。

图 11演示了图示 1101，该图示例说明了由上文讨论的实施方式所提供的电容耦合的应用的一个示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書では、干渉抑圧CDMA受信器で使用するための障害共分散行列を決定する方法と装置について開示する。

本文公开用于确定损伤协方差矩阵供干扰抑制 CDMA接收器中使用的方法和设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

UE104は、先行レジストレーションにおいて使用したものと同じプライベートユーザ識別情報（たとえば、プライベートID1）を使用することができ得る。

UE 104可以使用它在先前的注册中使用的相同的私有用户身份 (例如私有 ID1)。 - 中国語 特許翻訳例文集

インスタンスIDが先行レジストレーションにおいて使用されなかった場合、プロセス1000は終了ブロック1032に移動する。

如果未在先前的注册中使用该实例 ID，则过程 1000移动到结束框1032。 - 中国語 特許翻訳例文集

先行レジストレーションにおいて使用されたプライベートユーザ識別情報を取得した後、プロセス600はブロック616に移動し、UE104は、追加レジストレーションを実行すべきかどうかを判断する。

在获得先前的注册中使用的私有用户身份后，过程 600移动到框 616，其中，UE 104确定是否执行附加注册。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

インスタンスIDが先行レジストレーションにおいて使用された場合、プロセス1000はブロック1020に移動する。

如果在先前的注册中使用了该实例 ID，则过程 1000移动到框 1020。 - 中国語 特許翻訳例文集

ブロック612において、UE104は、先行レジストレーションにおいて使用されたプライベートユーザ識別情報（たとえば、プライベートID1）を取得する。

在框 612，UE 104获得在先前的注册中使用的私有用户身份 (例如私有 ID1)。 - 中国語 特許翻訳例文集

シフトレジスタ64は、1／2etu毎のクロックが供給されたタイミングで信号d4の信号レベルを保持（ラッチ）する。

移位寄存器 64在每 1/2etu的时钟供应时刻保持 (锁存 )信号 d4的信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

干渉抑圧CDMA受信器における使用のために、障害共分散行列を決定する方法と装置を開示する。

公开用于确定损伤协方差矩阵供干扰抑制CDMA接收器中使用的方法和设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間T3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 T3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の場合は、期間t3でFD部26の電位を信号レベルとして増幅トランジスタ24を介して読み出す。

在时段 S3的情形中，在时段 t3，通过放大晶体管 24读出 FD区 26的电势作为信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

列選択信号が出力されて高レベルである期間では、制御信号駆動回路20では、NMOSトランジスタ40がオンする。

在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，控制信号驱动电路 20中，NMOS晶体管 40导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧駆動回路19aでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vref1を駆動するNMOSトランジスタ30と、基準電圧線Vref2を駆動するNMOSトランジスタ33と、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ35とが共にオンする。

基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间，驱动基准电压线 Vref1的 NMOS晶体管 30、驱动基准电压线 Vref2的 NMOS晶体管 33、驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 35都导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、プロセッサ1112による実行のために、1または複数のキャッシュ・ラインが、汎用レジスタ・ファイルへロードされうる。

可接着将一个或一个以上高速缓存线加载到通用寄存器堆中以由处理器 1112执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、プロセッサ604による実行のために、1つ以上のキャッシュラインを汎用レジスタファイル中にロードしてもよい。

可接着将一个或一个以上高速缓存线 (cache line)加载到通用寄存器堆中以供处理器 604执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

EEGセンサが含まれる実施形態では、EEGセンサが集中レベルに一致する脳波パターンを示す場合、たとえば、集中しているユーザのアバタを表示することができる。

在包含 EEG传感器的实施例中，如果 EEG传感器指示与专心等级一致的脑波图案，那么可 (例如 )将用户的化身显示为正在专心。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、図1の水平制御線L3、L4のアドレス線がロウレベルの時、アドレストランジスタ3、3´がオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、信号は出力されない。

并且，在图 1的水平控制线 L3、L4的地址线是低电平 (low level)时，地址晶体管 3、3′成为截止 (OFF)状态，源极跟随器不动作，所以不输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、レジスタ173からの絶対値が大きい場合、比較部153は、スペクトル反転の発生の有りを表すスペクトル反転検出信号を、選択部154と出力部155に出力する。

如果发现来自寄存器 173的绝对值大于来自寄存器 163的绝对值，则比较部分 153输出指示频谱反转的出现的频谱反转检测信号到选择部分 154和输出部分 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、情報処理装置100のユーザがテキストボックス167に処理内容を入力することで、制御アプリケーション162がアプリケーション及びサンプルデータを画面160に表示する処理の応用例を説明する。

接下来，将描述当信息处理设备 100的使用者把处理细节输入到文本框 167中时、控制应用 162在屏幕 160上显示应用和样本数据的应用实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述の実施形態は、本発明の適用例を表すことのできる考えられる特定の実施形態の少数のみを例示するものであることを理解されたい。

应当理解，上述实施方式仅示出了若干可能的特定实施方式，其可以代表本发明的应用。 - 中国語 特許翻訳例文集

待ち行列バッファ449のバッファの一方は、前のデインターリーブ処理の結果を保持し、チャネル検出器417にアンロードされ、待ち行列バッファ449のもう一方は、現在デインターリーブされている復号されたデータセットを保持し、待ち行列バッファ449の1つまたは複数の他のバッファは、他の非収束データをチャネル検出器417による処理に備えて待機状態に維持する。

队列缓冲器 449中的一个缓冲器保存先前解交织处理的结果并且卸载到信道检测器 417，而队列缓冲器 449的另一缓冲器保存当前正被解交织的经解码的数据集合，并且队列缓冲器 449中的一个或多个其他缓冲器保存等待由信道检测器 417处理的其他未收敛数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

この信号は、所望のセル（例えば、eノードB、ホーム・ノードB等）の同期信号、パイロット信号、および／または基準信号であり、所望されないセルの類似する信号からの高レベルの干渉を伴う。

该信号可以是合需蜂窝小区 (例如，演进型 B节点、家庭 B节点等 )的具有来自不合需蜂窝小区的类似信号的高度干扰的同步信号、导频信号、和 /或基准信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、上記実施形態では、選択トランジスタ25を含む単位画素20（図1参照）が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサに適用した場合について説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。

在上面的实施例中，解释了其中本发明应用于 CMOS图像传感器 (其中，包括选择晶体管 25的单元像素 20(参考图 1)以矩阵形式布置 )的情形，但是本发明不限于该应用。 - 中国語 特許翻訳例文集

ディスプレイ14は、ユーザが携帯電話4の様々な特徴を利用することを可能にする、動作状態、時間、電話番号、連絡先情報、様々なナビゲーションメニュー等の情報をユーザに表示する。

显示器 14向用户显示信息，例如，工作状态、时间、电话号码、联系人信息、各种导航菜单等，使用户能够利用移动电话 4的各种特征。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、基準電圧駆動回路19bでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vrefを駆動するNMOSトランジスタ30がオンする。

另一方面，在基准电压驱动电路 19b中，在列选择信号被输出且处于高电平的期间内，驱动基准电压线 Vref的 NMOS晶体管 30导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

1〜999のタイトル番号をもつタイトルのうち、タイトル番号レジスタに格納されているタイトル番号と、同じタイトル番号をもつものが、現在の再生対象、つまりカレントタイトルになる。

具有 1～ 999的标题号码的标题中的、具有与保存在标题号码寄存器中的标题号码相同的标题号码者为现在的再生对象、即当前标题。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示するために本技術の様々な構成について示され述べられている以下の詳細な説明から、本技術の他の構成が当業者には容易に明らかになることが理解されよう。

应理解，对于所属领域的技术人员来说，标的技术的其它配置将从以下详细描述中变得容易显而易见，其中标的技术的各种配置是以说明方式来展示并描述。 - 中国語 特許翻訳例文集

遠隔制御デバイス8は、情報（例えば、動作状態、時間、電話番号、連絡先情報、様々なナビゲーションメニュー等）をユーザに表示するディスプレイ66を含んでもよい。

遥控设备 8可以包括用于向用户显示信息 (例如，工作状态、时间、电话号码、联系人信息、各种导航菜单等 )的显示器 66。 - 中国語 特許翻訳例文集

アクセサリ6は、遠隔制御デバイス8のように、情報（例えば、動作状態、電話番号、連絡先情報、様々なナビゲーションメニュー等）をユーザに表示するディスプレイ97を含んでもよい。

类似于遥控设备 8，配件 6可以包括用于向用户显示信息 (例如，工作状态、时间、电话号码、联系人信息、各种导航菜单等 )的显示器 97。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが、垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的なPCS＃1 118aは、以下でさらに詳述されている方法例および装置例が好都合に使用され得るタイプのシステムを例示する目的で提供されている。

示例性 PCS#1118a被提供以说明系统的一种类型，在该系统内可有利地使用下面更详细描述的示例性方法和装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

このタイトル番号の変化は、記録媒体の装填時に、ファーストプレイタイトルの再生を開始し、ファーストプレイタイトルの再生後、1から999までのタイトル番号レジスタのタイトル番号で指示されるタイトルの再生を行い、タイトル番号で指示されるタイトルの再生が終了すれば、トップメニュータイトルを再生してユーザによる選択待ちを行うというものである。

该标题号码的变化在记录介质的装填时开始初次播放标题的再生，在初次播放标题的再生后，进行由 1到 999的标题号码寄存器的标题号码指示的标题的再生，如果由标题号码指示的标题的再生结束，则将顶层菜单标题再生而等待用户的选择。 - 中国語 特許翻訳例文集

実施の形態6における動画像復号化装置は、実施の形態1のピクチャメモリ103を除く部分を集積回路であるLSIで実現し、ピクチャメモリ103をDRAM（Dynamic Random Access Memory）で構成し、記憶装置114から符号列を入力し、表示装置115に表示する構成である。

实施例 6中的运动图像解码装置构成为，以作为集成电路的 LSI来实现实施例 1的图像存储器 103以外的部分，由 DRAM(Dynamic Random Access Memory)构成图像存储器103，从记忆装置 114输入代码串，并在显示装置 115进行显示。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取り可能媒体には、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読出し専用メモリ（ROM）、プログラマブル読出し専用メモリ（PROM）、消去可能PROM（EPROM）、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、DVDまたは他の任意の適切なストレージデバイスなど、プロセッサの外部の記憶装置も含まれ得る。

机器可读媒体还可包括处理器外部的存储装置，例如，随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式盘、CD-ROM、DVD或任何其它合适存储装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

限定ではなく例として、機械可読媒体は、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、プログラマブル読取り専用メモリ（PROM）、消去可能PROM（EPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、DVD、または任意の他の好適な記憶デバイスのうちの1つまたは複数を含むことができる。

举例而言但非限制地，机器可读介质可以包括易失性存储器、非易失性存储器、随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM、DVD或任何其它适当的存储设备中的一个或多个。 此外，机器可读介质可以包括： - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、例えば、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読取専用メモリ（ROM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能PROM（EPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、DVD、あるいはその他任意の適切な記憶デバイスのような、記憶装置をプロセッサの外側に含む。

机器可读介质还可包括外置于处理器的存储，诸如随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、DVD或任何其他合适的存储设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、読取専用メモリ（ROM）、プログラマブル読込専用メモリ（PROM）、消去可能PROM（EPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、CD−ROM、DVD、あるいはその他任意の適切な記憶デバイスのような、プロセッサの外部に位置する記憶装置も含みうる。

机器可读介质也可以包括在处理器外部的存储设备，比如随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除 PROM(EPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、DVD或任何其它合适的存储设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

原稿搬送とその画像読取とに関する部材、すなわち、ピックアップローラ32、給紙ローラ対33、中間ローラ34の他方（下方）、レジストローラ35の他方（下方）、第1搬送ローラ対36、清掃ローラ42、第2搬送ローラ37の他方（上方）、第2原稿読取手段38、第3搬送ローラ39の他方（上方）及び排紙ローラ40は、収容室60内（左右仕切側板61，62間）に位置していて、中間ローラ34の他方（下方）を除き、左右両仕切側板61，62に支持されている。

与原稿传送和其图像读取相关的部件，即搓纸轮32、进纸辊对 33、中间辊 34的另一方 (下方 )、定位辊 35的另一方 (下方 )、第 1传送辊对36、清扫辊 42、第 2传送辊 37的另一方 (上方 )、第 2原稿读取单元 38、第 3传送辊 39的另一方 (上方 )以及出纸辊 40位于收容室 60内 (左右隔开侧板 61、62之间 )，除了中间辊34的另一方 (下方 )以外，其它的被左右两个隔开侧板 61、62支承。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、期間t23での露光後、期間t24でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによって再びリセット動作を行い、選択パルスSELが“H”レベルになることによってリセットレベルを読み出し、次いで期間t25では転送パルスTRGが“H”レベルになることによって転送トランジスタ22を完全にオン状態にしてFD部26へ完全転送を実行し、期間t26で選択パルスSELが“H”レベルになることによって信号レベルを読み出す。

在时段 t23的曝光之后，在时段 t24通过使得复位脉冲 RST为“H”电平，再次执行复位操作，并且通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出复位电平，接着，在时段 t25，通过使得转移脉冲 TRG为“H”电平，转移晶体管 22被完全导通并且执行到 FD区 26的完全转移，然后，在时段 t26，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出信号电平。 - 中国語 特許翻訳例文集