「控制电极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。

これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss，控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2，输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。

第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在中间转移之前，在时段 T2，中间电压 (对应于图 4B中的电压 Vtrg1)被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电子被部分地转移到 FD区 26。

中間読み出しの前に、期間T2で中間電圧（図4の電圧Vtrg1に相当）を転送トランジスタ22の制御電極に印加し、入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3，与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。

期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

操作实例 4是其中顺序地多次执行通过中间转移完成的信号读出的实例，并且通过从低级开始施加多个电压到转移晶体管 22的控制电极，可以获得对应于各个电压的补偿量的补充信号。

動作例4は、中間転送による信号の読み出しを続けて複数回実行する動作例となっており、複数の電圧を低い電圧から順に転送トランジスタ22の制御電極に印加することにより、それぞれの電圧に対応した補正量の補正信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如，当 30帧 /秒时 1/30秒，当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs，则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。

例えば、毎秒30フレームであれば1／30秒、毎秒60フレームであれば1／60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。 - 中国語 特許翻訳例文集