「政治ストライキ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

なお、負荷トランジスタ614は、特許請求の範囲に記載の負荷トランジスタの一例である。

应注意，负载晶体管 614是权利要求中描述的负载晶体管的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第2負荷トランジスタ624は、特許請求の範囲に記載の第2の負荷トランジスタの一例である。

应注意，第二负载晶体管 624是权利要求中描述的第二负载晶体管的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、駆動トランジスタN2は、飽和領域で動作する状態に制御される。

相应地，所述驱动晶体管 N2被控制为在饱和的状态中操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、現在のIMS仕様では、レジストラがインスタンスIDからGRUUをどのようにして生成しなければならないかに関するどんな手引きも提供されない。

另外，当前 IMS规范未提供有关注册器将如何从实例 ID生成 GRUU的任何指导。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。

在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、図6B及び図6CのPMOSトランジスタM2に入力される信号"アイドル"は、ランプ発生器610、620をバイパスするのに使用される。

在一个实施例中，被输入到图 6B和图 6C的 PMOS晶体管 M2的信号“空闲”用于绕过斜坡产生器 610和 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

第8のOB領域68は、第1の実施形態のHOB領域と同じように動作させ、第9のOB領域69および第10のOB領域70は、本実施形態のVOB領域の条件（3）および（4）となるように遮光画素を配列させることで、第10のOB領域70の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

可以通过使第八 OB区域 68以与第一实施例中的 HOB区域相同的方式工作、并且在第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列遮光像素从而满足本实施例中针对 VOB区域的条件 (3)和 (4)，来更多地降低由第十 OB区域 70中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第5のOB領域65および第6のOB領域66に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该操作具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第五 OB区域 65和第六 OB区域 66中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64および第7のOB領域67に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64和第七OB区域 67中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第5のOB領域65、第6のOB領域66および第8のOB領域68に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第五 OB区域 65、第六 OB区域 66和第八 OB区域 68中排列第一遮光像素910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、第8のOB領域68、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第八 OB区域 68、第九 OB区域 69和第十OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、OB領域610、620および621に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 610、620和 621中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、OB領域630、640、650、651、652、660、661、および662に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域630、640、650、651、652、660、661和662中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、OB領域630、640、690、691、692、700、701、および702に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 630、640、690、691、692、700、701和702中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、媒体アクセス制御機能は、そのプロセスに関する新しいフィードバックが受信されるまで各プロセスに関するHARQフィードバックを維持するように構成され、ストップ・アンド・ウエイト型HARQプロセスに対応するごく最近の前のHARQフィードバックがNACKメッセージであることを検出すると、この検出に応えて、トランスポートブロックの同期HARQ再送信を第2の送信間隔に自動的にスケジュールする。

在其它实施例中，媒体访问控制功能配置成保持每个过程的 HARQ反馈，直到接收到那个过程的新反馈为止，并检测对应于停止并等待 HARQ过程的最近先前 HARQ反馈是NACK消息，由此响应于所述检测，对于第二发射间隔自动调度传送块的同步 HARQ重发。 - 中国語 特許翻訳例文集