「木洩れ陽」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

インターロックを構成すること、および／または、フィルタコーティングを施すことにより、複写アセンブリの実質的にフラットな透明表面からレーザ印刷アセンブリのレーザ光の漏れを防ぐ、または、低減することができる。

配置互锁装置和 /或提供滤镜涂层可以减少或防止激光打印配件的激光通过复印配件的实质上平坦的透明表面而射出。 - 中国語 特許翻訳例文集

TX漏れ信号フィルタ140の出力は、トランスインピーダンス（trans-impedance）増幅器（TIA）150によって増幅され、さらに、フィルタ160によってフィルタされ、そして、アナログ−デジタル変換器（ADC）170によってデジタル化されても構わない。

TX泄漏信号滤波器 140的输出可由跨阻抗放大器 (TIA)150放大，由滤波器 160进一步滤波，且由模 /数转换器 (ADC)170数字化。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、このような送信漏れ信号210をI／Qベクトル位相面に表示すると、図2Aに示すように、I／Qベクトル位相面上においてその大きさの絶対値に対応する円周200上のある地点に位置するようになる。

因此，当在 I/Q向量相平面上表达发射泄漏信号 210时，如图 2所示，其位于与在 I/Q向量相平面上的绝对幅度对应的圆周 200上的一点处。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズムを介した両方向通信は、受信専用状態または伝送専用状態を可能にする単信通信で行われるので、受信信号の一部が送信機13Aの表面に到達しまたは伝送光の漏れがフォトトランジスタ12Aの表面に到達する、送信機13Aから受信機12Aまたはその逆に受信機12Aから送信機13Aへの光信号のクロストークまたは漏れは、重要でなく取るに足らないものになる。

因为在实现只接收状态或只发射状态的单工通信中实施经由棱镜的双向通信，从发射器 13A到接收器 12A的光信号的串扰或泄露或者从接收器12A到发射器 13A的光信号的串扰或泄露（其中，所接收信号的一部分到达发射器 13A的表面或者所发射光信号的泄露到达光电晶体管 12A表面）变得不重要和微不足道。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】第1実施の形態の固体撮像装置の駆動方法の説明に供する漏れ込み光用補正画素のポテンシャル状態図である。

图 7A～图 7C是在对用于第一实施例固体摄像装置的驱动方法的说明中所涉及的漏光修正用像素的电位状态图。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施の形態では、有効画素領域内のこの画素配列において、複数の画素を1組として、その1組の画素群25に対して1つの割合で漏れ込み光補正用画素24を配置して構成される。

根据本实施例，在有效像素区域的像素布局图形中，漏光修正用像素 24被布置成在每一组像素 25中都设有一个漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、MFP10の省電力モードMD12中においては、MFP10のトナー残量は変化しないため、キャッシュ情報CNを用いても、連携装置50aにおいて正確なトナー残量が表示される。

特别是，在 MFP10的省电模式 MD12中，因 MFP10的调色剂剩余量不变化，故即便使用高速缓存信息 CN，在协作装置 50a中也显示正确的调色剂剩余量。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、MFP10の省電力モードMD12中においては、MFP10の所定ボックスの文書情報は変化しないため、当該キャッシュ情報CNを用いても、連携装置50bにおいて正確な一覧情報が表示される。

特别是，在 MFP10的省电模式 MD12中，因 MFP10的规定文件盒的文档信息不变化，故即便使用该高速缓存信息 CN，在协作装置50b中也显示正确的一览信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に実施の形態に係る固体撮像装置は、この漏れ込み光補正用画素で得られる信号を、周囲の通常画素から得られる信号（正規信号と漏れ信号の合算信号）から減算処理して正規信号のみを得て、周囲の通常画素の画質劣化の補正を行うようにする。

本发明实施例的固体摄像装置用从漏光修正用像素周围的普通像素得到的信号 (正常信号和漏光信号的合并信号 )减去由漏光修正用像素得到的信号，由此仅得到正常信号，从而修正了周围的普通像素的图像质量劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

当業者であれば、ステップ710の計算は実行するのが比較的簡単ではあるが、かようにカウントされたターゲットパルスの数Npは一般にTX漏れ信号および他のジャマーの両方に起因するパルスを含んでいるのは理解できるであろう。

所属领域的技术人员将了解，虽然步骤 710的计算实施起来可相对简单，但如此计数的目标脉冲的数目 Np通常可包括可归于 TX泄漏信号和其它干扰的脉冲。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的な方法によると、AFEの第1の入力段が、高入力インピーダンスを有し、画像センサ画像アレイの第1の所定の領域における入力漏れ電流をほぼ引き出さない、連続時間増幅として動作するように制御される。

根据示例性方法，控制AFE的第一输入级以作为具有高输入阻抗并且基本上没有针对成像传感器图像阵列的第一预定区域的输入漏电流拉出的连续时间放大器来操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、本実施の形態では情報記録媒体の例として次世代ディスクであるBD−ROM Discを例に挙げているが、あくまでも例であり、本実施の形態のアプリケーション及びデータ構造をDVDなどの光ディスクや他の情報記録媒体である、メモリーカード（SDメモリーカードやメモリースティックなど）やハードディスクなどに書き込む場合でも同様の効果を得る。

另外，在本实施例中作为信息记录介质的例子列举了作为次世代盘的 BD-ROM Disc，这只不过是一个例子，将本实施例中的应用程序以及数据结构写入到 DVD等光盘或其它的信息记录介质，即存储卡 (SD存储卡或内存棒等 )或硬盘等也可以得到同样的效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような例示的な実施形態は、通常は非TXジャマーよりもダウンコンバート後はより高い周波数を有するであろうTX漏れ信号における効果の点において有利の可能性があり、そして、従ってこれに対応してより高いNsはターゲットパルスカウントNpから除去される可能性がある。

所述示范性实施例可为有利的，原因在于可将 TX泄漏信号的影响从目标脉冲计数 Np中移除，所述 TX泄漏信号在下变频后通常具有高于非 TX干扰的频率的频率，且因此对应地具有较高的 Ns。 - 中国語 特許翻訳例文集