「栅电极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

第一 CCD 142的栅电极 171A(图 3)连接至 CCD1线 152。

第1CCD142のゲート電極171A（図3）は、CCD1配線152に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二 CCD 143的栅电极 173A(图 3)连接至 CCD2线 153。

第2CCD143のゲート電極173A（図3）は、CCD2配線153に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

转移栅极 144的栅电极 144A(图 3)连接至转移线 154。

転送ゲート144のゲート電極144A（図3）は転送配線154に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S10。

なお、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加された状態は、ステップS10まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRC1施加至栅电极 171A的状态称作转移脉冲 TRC1导通的状态，或称作第一 CCD栅极 171导通的状态。

なお、以下、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加された状態を、転送パルスTRC1がオンされた状態、あるいは、第1CCDゲート171がオンされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRC1未施加至栅电极 171A的状态称作转移脉冲 TRC1断开的状态或第一 CCD栅极 171断开的状态。

また、以下、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加されていない状態を、転送パルスTRC1がオフされた状態、あるいは、第1CCDゲート171がオフされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，以下，将转移脉冲 TRC2施加至栅电极 173A的状态称作转移脉冲 TRC2导通的状态或第二 CCD栅极 173导通的状态。

なお、以下、ゲート電極173Aに転送パルスTRC2が印加された状態を、転送パルスTRC2がオンされた状態、あるいは、第2CCDゲート173がオンされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRC2未施加至栅电极 173A的状态称作转移脉冲 TRC2断开的状态或第二 CCD栅极 173断开的状态。

また、以下、ゲート電極173Aに転送パルスTRC2が印加されていない状態を、転送パルスTRC2がオフされた状態、あるいは、第2CCDゲート173がオフされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRG施加至栅电极 144A的状态称作转移脉冲 TRG导通的状态或转移栅极 144导通的状态。

なお、以下、ゲート電極144Aに転送パルスTRGが印加された状態を、転送パルスTRGがオンされた状態、あるいは、転送ゲート144がオンされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，以下，将转移脉冲 TRG未施加至栅电极 144A的状态称作转移脉冲 TRG断开的状态或转移栅极 144断开的状态。

また、以下、ゲート電極144Aに転送パルスTRGが印加されていない状態を、転送パルスTRGがオフされた状態、あるいは、転送ゲート144がオフされた状態とも称する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在自从在时间 t2信号电荷 S1开始在光电二极管 141中累积之后过去预定曝光时间 T1的时间 t8，转移脉冲 TRC1被施加至栅电极 171A，第一 CCD栅极 171导通。

具体的には、時刻t2においてフォトダイオード141への信号電荷S1の蓄積が開始されてから所定の露光時間T1が経過した時刻t8において、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加され、第1CDDゲート171がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，自从在时间 t9信号电荷 S2开始在光电二极管 141中累积之后过去预定曝光时间 T2的时间 t13，转移脉冲 TRC1被施加至栅电极 171A，第一 CCD栅极 171导通。

具体的には、時刻t9においてフォトダイオード141への信号電荷S2の蓄積が開始されてから所定の露光時間T2が経過した時刻t13において、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加され、第1CDDゲート171がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

结果，通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174，可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中，可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集