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次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。
接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。
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