「構造体の型」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

たとえば、前述のミリ波伝送構造の各例では、カード型の情報処理装置（カード型装置）を第1の電子機器の一例とし、本体側となる第2の電子機器に装着構造の一例としてスロット構造が設けられる例で説明したが、これらに限定されない。

例如，在上述毫米波传输结构的每一个示例中，将卡型信息处理装置 (卡型装置 )设置为第一电子装置的示例，并且提供槽结构作为到第二电子装置 (作为主单元侧 )的安装结构的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、たとえば、前述のミリ波伝送構造の各例では、カード型の情報処理装置（カード型装置）を第1の電子機器の一例として説明したが、本体側となる第2の電子機器の装着構造に装着される第1の電子機器はカード型装置に限定されない。

另外，例如，尽管在上述毫米波传输结构的每一个示例中描述了卡型信息处理装置(卡型装置 )作为第一电子装置的示例，但是安装到第二电子装置 (作为主单元侧 )的安装结构的第一电子装置不限于卡型装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

eNB−RNリンクのチャネル状態が典型的な移動体UE1より良好な場合があるので、より効率的な制御領域（例えば、16−QAMまたは64−QAMなどの高次変調を用いる）と、eNB−RN通信をサポートするための異なるRS構造とを有することによって、eNB−RNリンクが向上し得る。

因为 eNB到 RN链路可能经历比通常地移动 UE1更好的信道条件，所以可以通过具有更加有效的控制区域 (例如，使用较高级的调制，例如 16-QAM，或者 64-QAM)和不同的 RS结构来支持 eNB到 RN通信来增强 eNB-RN链路。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示したRS構造は、UEがPDSCHで下向きリンクデータパケットを受信するようにスケジューリングされる帯域幅のみを一般的に占有するUE専用のRS（DRS）とは対照的に、全体の動作帯域幅を実質的に占有しているCRSに該当する。

与典型地仅占用 (occupy)其中 UE被调度以在 PDSCH中接收 DL数据分组接收的BW的 UE专用的 RS(DRS)相对，图 1中示出的 RS结构对应于基本上占用整个操作 BW的 CRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

マトリクスは、例えば、とりわけ、構造的エンジニアリング、計算的流体力学、モデル低次元化、半導体デバイス、熱力学、材料、音響、コンピュータグラフィック／ビジョン、ロボット／運動のような基礎的な2D又は3Dジオメトリを伴う種々様々な問題から生じるものを含む広範囲な領域をカバーする。

矩阵覆盖宽范围的领域，包括由基础的 2D或 3D几何学的各种问题而产生的，例如结构工程学、计算流体动力学、模型归约、半导体装置、热力学、材料学、声学、计算机图形 /视觉、机器人学 /运动学以及其它。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示されたプリズム255をLED、フォトトランジスタおよびライトガイドよりも遥かに大きな大型プリズムとして組み立てるために、多くの異なる技術を利用することができるが、実際には、一方の端面によく知られた偏光コーティングのある小さなプラスチック成形構造を使用することができおよびそのようなコーティングされたプラスチック構造化プリズムが、本発明の好ましい実施形態で使用される。

许多不同技术可以应用于把在图 3中示为大棱镜的棱镜 255构成远大于 LED、光电晶体管和光导，但实际上可以使用在一端具有众所周知的极化涂层的小塑料模制结构，并且这种涂覆的塑料结构棱镜被用在本发明的优选实施例中。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上に述べたように、本発明に係る撮像装置によれば、従来通電加熱タイプの形状記憶アクチュエータを用いたカメラモジュールにおいて、応答速度は形状記憶アクチュエータの放熱速度により律則され、また形状記憶アクチュエータと通電用の電極との接続部では通電時の膨張率差が大きく、接続部で接触不良となる課題があったが、前記導電性の金属ピンを前記アクチュエータの貫通する溝構造に圧入することにより金属ピンと形状記憶アクチュエータとの電気的な接触を行い、さらに前記アクチュエータを前記筐体に固定できる。

如上所述，在以往使用通电加热类型的形状记忆致动器的照相机模块中，响应速度由于形状记忆致动器的散热速度而受到限制，另外，由于在形状记忆致动器与通电用的电极的连接部中通电时的膨胀率差较大，所以有在连接部中产生接触不良的问题，但根据本发明的摄像装置，通过将上述导电性的金属引脚压入到贯通上述致动器的槽结构中，而进行金属引脚与形状记忆致动器的电接触，进而能够将上述致动器固定到上述框体上。 - 中国語 特許翻訳例文集