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「正バイアス」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 23



なお、第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加される時には、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加され、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加される時には、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加される。

当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1时,反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2。 当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时,正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図10】本実施形態に係る補バイアス選択部の一構成例を示す図である。

图 10描述了根据实施例的校正偏置选择部件的配置例子; - 中国語 特許翻訳例文集

図10は、本実施形態に係る補バイアス選択部の一構成例を示す図である。

图 10描述了根据实施例的校正偏置选择部件的配置例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

通信・タイミング制御部140は、画素部110、垂直走査部120、水平走査部130、カラム処理回路群150、DAC160、補バイアス回路180、補バイアス選択部170等の信号処理に必要なタイミング信号を生成する。

通信时序控制器 140生成像素部件 110、垂直扫描部件 120、水平扫描部件 130、列处理电路组 150、DAC 160、校正偏置选择部件 170、校正偏置电路 180等的信号处理中所需的时序信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】図10の補バイアス選択部における黒化現象検出期間の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。

图 11说明了用于解释黑化检测时间段中图 10中校正偏置选择部件操作的时序图; - 中国語 特許翻訳例文集

スイッチSW0〜SWNは、補バイアス選択部170による黒化現象検出用クランプ電圧設定値SCVLに応じてオン、オフ制御される。

根据校正偏置选择部件 170所设置的黑化检测钳制电压设置值 SCVL控制开关SW0~ SWN的接通 /切断。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11は、図10の補バイアス選択部における黒化現象検出期間の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。

图 11说明了用于解释黑化检测时间段中图 10中校正偏置选择部件操作的时序图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10の補バイアス選択部170は、比較器171、カウンタ172、傾き検出部173、および設定値判断部174を有する。

图 10中的校正偏置选择部件 170具有比较器 171、计数器 172、斜率检测部件 173、以及设置值确定部件 174。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方,補処理では,その補値に基づいて目標濃度が維持できるように各色のプロセス条件(例えば,露光強度,露光範囲,現像バイアス)を調整する。

而在校正处理中,根据该校正值,调整各色的处理条件 (例如曝光强度、曝光范围、显影偏压 ),以维持目标浓度。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本実施形態に係る補バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子; - 中国語 特許翻訳例文集


このように、画素ダミー部110Bは、垂直走査部120からの選択パルスDSEL、補バイアス回路180からのクランプ電圧SLP_SUNにより制御されている。

从以上的描述可以明显看出,来自垂直扫描部件 120的选择脉冲 DSEL和来自校正偏置电路 180的钳制电压 SLP_SUN控制像素哑部件 110B。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス回路180は、セレクタ181、およびノードND0〜NDNの設定電圧値SVL0〜SLVNを選択的にセレクタ181の第1入力に供給するスイッチSW0〜SWNを有する。

校正偏置电路180具有选择器181、以及把节点ND0~NDN处的设置电压值SVL0~SVLN选择地供给至选择器 181的第一输入的开关 SW0~ SWN。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9は、本実施形態に係る補バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10に示すように、補バイアス選択部170の比較器171にてAD変換用参照信号SLP_ADCと黒化現象検出期間K1クランプ電圧を比較し、その傾きを検出する。

如图 10中所示,校正偏置选择部件 170中的比较器 171把用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压加以比较,以检测用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC的斜率。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス選択部170内にて、AD変換用参照信号(SLP_ADC)を画素信号(SIG)ではなく、黒化現象検出期間K1クランプ電圧と比較する。

在校正偏置选择部件 170中,用于 AD转换的参照信号 (SLP_ADC)与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压而不是与像素信号 (SIG)进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此,当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a,并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时,第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示,其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反,当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时,关断第一 PIN二极管28a,并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时,接通第二 PIN二极管 28b,第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示,其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反,当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a,并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时,第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示,其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

この補バイアス選択部170内でAD変換用参照信号の傾きに連動してクランプ電圧変更をする回路構成を採用することにより、AD変換用参照信号SLP_ADCの傾きが変化した場合にも、精度良く追従を行う。

当在校正偏置选择部件 170中采用与用于 AD转换的参照信号的斜率相关联地改变钳制电压的电路配置时,能够精确地响应用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC的斜率的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此,当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a,并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时,第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示,其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14,并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反,当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c,并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时,第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示,其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14,并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此,当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a,并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时,第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示,其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14,并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補している。

因此,在比较例 1中,配置复位信号控制电路 106,利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前,放入复位信号控制电路 106,并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给,在某个定时,对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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