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「沁め」を含む例文一覧
該当件数 : 25474件
図1は、本発明の画像読取り装置の一実施形態を適用した画像形成装置を示す断面図である。
图 1是表示适用了本发明的图像读取装置的一个实施方式的图像形成装置的截面图。
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また、黒シェーディングレベルを示す特性線Bは、概ね直線となっており、一様な諧調特性を表している。
而且，表示黑遮蔽电平的特性线 B大致为直线，表示一样的灰度特性。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図2】本発明の一実施形態における画像形成装置10のハードウェア構成を示すブロック図である。
图 2是示出本发明示例性实施方式中的图像形成装置 10的硬件结构的框图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図3】本発明の一実施形態における画像形成装置10の機能構成を示すブロック図である。
图 3是示出本发明示例性实施方式中的图像形成装置 10的功能结构的框图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図11】本発明の一実施形態の画像形成装置10におけるトラッピング処理部35の動作を示すフローチャートである。
图 11是示出根据本发明示例性实施方式的图像形成装置 10中的补漏处理部 35的操作的流程图； - 中国語 特許翻訳例文集
次に、本実施形態の画像形成システムにおける画像形成装置10のハードウェア構成を図2に示す。
接着，图 2示出根据此示例性实施方式的图像形成系统中的图像形成装置 10的硬件结构。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3は、上記の制御プログラムが実行されることにより実現される画像形成装置10の機能構成を示すブロック図である。
图 3是示出通过执行上述控制程序而实现的图像形成装置 10的功能结构的框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図11は、本実施形態の画像形成装置10におけるトラッピング処理部35の動作を示すフローチャートである。
图 11是示出根据此示例性实施方式的图像形成装置 10中的补漏处理部 35的操作的流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、図13に示すような画像に対してトラッピング処理を行う場合について説明を行なう。
例如，从对图 13所示的图像执行补漏处理的情况的角度进行描述。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、M版では、図17に示すように、設定領域51、53では、画素値が1である画素数が閾値以下となっている。
在 M板上，如图 17所示，预设区域 51和 53中的像素值为 1的像素的数量等于或小于阈值。 - 中国語 特許翻訳例文集
よって、図15に示した位置に注目画素41が存在する場合には、この注目画素41は画素値を変更すべきものとして決定される。
因此，当目标像素 41存在于图 15所示的位置时，判定要改变目标像素 41的像素值。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1は、位相差AF用の光電変換装置における撮像面を模式的に示した図である。
图 1是示意性地示出用于相位差自动聚焦操作中的光电转换装置的成像面的示图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図10】超解像処理に用いるフレーム画像と超解像処理後の画像とを示す図である。
图 10是示出在超分辨率处理中使用的帧图像和在超分辨率处理之后的图像的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、図4は、APC補正処理において、APC補正の強度を決定するAPC係数の一例を示す図である。
图 4是示出在 APC校正处理中用于确定 APC校正的强度所需要的 APC系数的例子的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図10は、超解像処理に用いるフレーム画像と超解像処理後の画像を示す図である。
图 10是示出超分辨率处理中使用的帧图像和超分辨率处理之后的图像的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図10において、被写体と、撮像により得られた基準フレーム画像F0と、対象フレーム画像F1乃至F3とを示している。
图10示出被摄体以及通过摄像所获得的基准帧图像 F0和对象帧图像 F1～ F3。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1は、本発明に係る第1の実施形態の撮像装置100の構成を示す概略ブロック図である。
图 1是示出作为本发明第一实施例的摄像设备 100的结构的示意框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
撮像装置100は、図1に示すように、レンズ102と、撮像素子104と、A／D変換部106と、信号処理部108と、超解像処理部110とを有する。
如图 1所示，摄像设备 100包括镜头 102、摄像元件 104、A/D转换器 106、信号处理单元 108和超分辨率处理单元 110。 - 中国語 特許翻訳例文集
図2は、本発明に係る第2の実施形態の撮像装置100Aの構成を示す概略ブロック図である。
图 2是示出作为本发明的第二实施例的摄像设备 100A的结构的示意框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3は、本発明に係る第3の実施形態の撮像装置100Bの構成を示す概略ブロック図である。
图 3是示出作为本发明的第三实施例的摄像设备 100B的结构的示意框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3A−4Bは、夜間に使用されてモニタリング／制御スクリーン54上に表示された双方のカメラ20a及び20bを示す。
图 3A-4B描绘了相机 20a和 20b都在夜间使用并显示在监测 /控制屏幕 54上。 - 中国語 特許翻訳例文集
図10Aはまた、時間に対してプロットされた火炎品質比についてカメラ20の出力のコンピュータ処理も示す。
图 10A还以火焰质量比与时间的关系曲线示出了相机 20输出的计算机处理。 - 中国語 特許翻訳例文集
図10Bを参照すると、実地試験の時間履歴は、時間に対してプロットされた火炎品質比について火炎56の予測曲線を示す。
参照图 10B，现场测试的时间关系曲线图以火焰质量比与时间的关系曲线示出了预测曲线。 - 中国語 特許翻訳例文集
試験により、フレアの化学量論的要求が、火炎表面に及ぼされる風量によって著しく影響を受けることが示されている。
测试已经表明火炬所需的化学配比显著地受到施加到火焰表面的风量的影响。 - 中国語 特許翻訳例文集
図9には、第2の実施の形態に係る放射線検出素子10を用いた放射線画像撮影装置100の全体構成が示されている。
图 9示出了根据第二示例性实施方式的采用放射线图像成像装置 10的放射线图像成像设备 100的整体结构。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図4】4本のライン間においてダブルツイストペア電極構造が用いられた場合の構成の一例を示す図である。
图 4为用于显示在四条线间采用了双扭绞二线电极结构的场合的结构的一例的附图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図1】本発明の一実施形態に係るCMOSイメージセンサの構成を示すシステム構成図である。
图 1是示出了根据本发明的一个实施例的 CMOS图像传感器的配置的系统配置图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図18】完全転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。
图 18是示出了在完全转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図19】中間転送期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。
图 19是示出了在中间转移时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図22】中間転送における入射光強度と信号電荷との対応関係を示す図である。
图 22是示出了在中间转移中入射光强度和信号电荷之间的对应关系的图线； - 中国語 特許翻訳例文集
【図24】動作例1の場合の中間転送期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。
图 24是示出了在操作实例 1的情形中在中间转移时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集
【図42】非特許文献1記載の従来技術での入射光強度と出力電子数の関係を示す図である。
图 42是示出了在非专利文件 1中记载的相关技术中的入射光强度和输出电子的数量之间的关系的图线。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置、例えばCMOSイメージセンサの構成を示すシステム構成図である。
图 1是示出了根据本发明的一个实施例的固态成像器件 (例如，CMOS图像传感器 )的配置的系统配置图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6は、入射光が弱い場合に、電圧Vtrgが段階的に供給された場合のポテンシャル変化例を示すポテンシャル図である。
图 6是示出了当在具有弱的入射光的阶段供应电压 Vtrg时的电势变化的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集
図9に示すように、フォトダイオード21の蓄積電子数は入射光量が一定の場合、露光時間に比例して増加する。
如图 9所示，当入射光的量固定时，在光电二极管 21中存储的电子的数量与曝光时间成比例地增加。 - 中国語 特許翻訳例文集
図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。
在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集
図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。
在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。 - 中国語 特許翻訳例文集
入射光量が少ないとき、破線で示したようにフォトダイオード21の電圧は高くなっており、FD部26への転送は発生しない。
当入射光的量较小时，光电二极管 21的电压高至虚线所示，并且没有发生到 FD区26的转移。 - 中国語 特許翻訳例文集
図22に示すように、状態（b）から状態（c）で蓄積した電荷Qi1は入射光強度に比例している。
如图 22所示，从图 21B的状态到图 21C的状态存储的电荷 Qi1与入射光强度成比例。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1に示すCMOSイメージセンサ10からは、入射光量に依存する電荷（量）Qi1を含んだ電荷Qfg1が信号として読み出される。
从图 1所示的 CMOS图像传感器 10，作为信号读出电荷 Qfg1(包括依赖于入射光量的电荷 (电荷量 )Qi1)。 - 中国語 特許翻訳例文集
式（5）の加算処理は、図33に示すように、CMOSイメージセンサ10の後段に設けられるデジタル信号処理回路50において実行される。
如图 33所示，式 (5)的加法处理在提供于 CMOS图像传感器 10的后续阶段的数字处理电路 50中执行。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように行走査することで、図10Bに示すように、画素20を駆動する行走査部12の駆動負荷は、その変動が抑制される。
当如上所述扫描各像素行时，如图 10B所示，防止置于驱动像素 20的行扫描部分12上的驱动负荷波动。 - 中国語 特許翻訳例文集
それぞれの光電子要素70は、図4Bに示すように、それぞれのストライプ80，82，84，．．．を形成する放射を放出する。
每一光电元件 70发射了形成各条纹 80、82、84......的射线，如图 4B所示。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6は8x8の格子を示すが、より大きな又は小さな数の格子や、正方形や長方形に限定されない行列も使用可能である。
图 6示出了一个 8×8栅格，但替代地可以使用更大或更小的、且并不必须是方形或直线形的矩阵。 - 中国語 特許翻訳例文集
上記の実施形態は例示として引用され、本発明は上記で特に記載され示されたものに限定されない。
将认识到的是，上述的实施方案通过实施例的方式描述，而本发明并不限于上文特别示出和描述的。 - 中国語 特許翻訳例文集
図13は、上述した一連の処理をプログラムにより実行するコンピュータのハードウェアの構成例を示すブロック図である。
图 13是示出利用程序来执行上述处理序列的计算机的硬件配置示例的框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図1】本発明の第1実施形態に係る信号処理装置を適用した立体映像表示装置の機能構成の一例を示す図である。
图 1图示出了应用了根据本发明实施例的信号处理设备的立体视频显示装置的功能布置示例； - 中国語 特許翻訳例文集
【図8】本発明の第2実施形態に係る信号処理装置の機能構成および動作を示す図である。
图 8图示出了根据本发明另一实施例的信号处理设备的功能布置和操作； 以及 - 中国語 特許翻訳例文集
「階調数」は、映像信号を量子化したデジタル信号において、階調値がとりうる値の数を示す。
“灰阶的数目”指示在作为量化视频信号的数字信号中灰阶可以取的值的个数。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1に示すように、本発明の第1実施形態に係る信号処理装置10は、例えば立体映像表示装置1に適用されうる。
如图 1所示，根据本发明实施例的信号处理设备 10可应用于例如立体视频显示装置 1。 - 中国語 特許翻訳例文集
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