「沟道」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

因此，优选使第四 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第三 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。

そこで、第3のOB領域63より第4のOB領域64の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，优选使第五 OB区域 65中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第六 OB区域 66中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。

そこで、第6のOB領域66より第5のOB領域65の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

对于 p沟道 MOSFET(PMOS)负载来说，NF可从 2.52dB变成 4.18dB。

pチャネルMOSFET（PMOS）負荷については、NFは2．52dBから4．18dBになり得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第一 OB区域 61的栅极宽度 (沟道宽度 )W2和栅极长度 (沟道长度 )L2之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第1のOB領域61のゲート幅（チャネル幅）W2とゲート長（チャネル長）L2の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第一 OB区域 61和第二 OB区域 62各自的栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第1のOB領域61および第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第二 OB区域 62的栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

同じく、有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度(沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第二 OB区域 62的栅极宽度 (沟道宽度 )W4和栅极长度 (沟道长度 )L4之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。

同じく、有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W4とゲート長（チャネル長）L4の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

这增大了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。

その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が大きくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这减小了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。

その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第二遮光像素 920中，为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3，缩小光电转换元件 D1的面积。

第2の遮光画素920においては、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとるために、光電変換素子D1の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，缩小光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3，缩小光电转换元件 D1在水平方向上的面积。

ゲート幅（チャネル幅）W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長（チャネル長）L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，可以仅增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，而将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为与感光像素 110的 L1相等。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。

この時、ゲート幅（チャネル幅）W3だけ広くして、ゲート長（チャネル長）L3を感光画素110のL1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以仅增大栅极长度 (沟道长度 )L3，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。

また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

与第一遮光像素 910相比较，这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，因此可以满足本实施例中的情况 (1)的条件。

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の（1）の条件を満たすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与第一遮光像素 910相比较，这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，因此可以满足本实施例中的“(1)”的条件。

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の（1）の条件を満たすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如所说明，当将“0”信号提供到第一装置 210的输入 211及 212时，p沟道 FET 214接通，n沟道 FET 215断开，且第一装置 210在输出 213处供应电流 216。

例証されるように、“0”信号が第1のデバイス210の入力211及び212に提供されるとき、pチャネルFET214はオンであり、nチャネルFET215はオフであり、第1のデバイス210は出力213で電流216を吐き出す（ソースする）。 - 中国語 特許翻訳例文集

当将“1”信号提供到第二装置 220的输入 221及 222时，p沟道 FET 224断开，n沟道 FET225接通，且第二装置 220在输出 213处汲取电流 226。

“1”信号が第2のデバイス220の入力221及び222に提供されるとき、pチャネルFET224はオフであり、nチャネルFET225はオンであり、第2のデバイス220は出力213で電流226を吸い込む（シンクする）。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然开关部件 31、32、36和 37中的开关是作为 N-沟道开关来描述的，但是在其他的示例中，这些开关也可以是诸如 P-沟道开关或转移栅极之类的其他类型的开关。

スイッチブロック31、32、36、及び37は上記ではNチャネルスイッチとして述べられたが、これらのスイッチは、他の例では、Pチャネルスイッチまたはトランスファーゲートのような他のタイプのスイッチであっても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出沟道机构 40的溢出漏极区域 38连接。

そして、受光領域54のn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域40のオーバーフロードレイン領域38とが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二装置 220的第一输入 221耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道 FET 224的栅极。

第2のデバイス220の第1の入力221は、pチャネルFET224のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二装置 220的第二输入 222耦合到第二切换元件的控制端子，例如 n沟道FET225的栅极。

第2のデバイス220の第2の入力222は、nチャネルFET225のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三装置 230的第一输入 231耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道 FET 234的栅极。

第3のデバイス230の第1の入力231は、pチャネルFET234のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三装置 230的第二输入 232耦合到第二切换元件的控制端子，例如 n沟道FET235的栅极。

第3のデバイスの第2の入力は、nチャネルFET235のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于可以以这种方式将栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，因此与在感光像素 110中相比，可以更多地降低由第二遮光像素 920中的驱动晶体管Td1所生成的噪声。

このように、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第2の遮光画素920の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以仅将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等，从而不缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。

また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにし、光電変換素子D1の垂直方向の面積の削減は行わないことにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在本实施例中，为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3，缩减光电转换元件 D1在水平方向上的面积。

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長（チャネル長）L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。 - 中国語 特許翻訳例文集

第四遮光像素 940的布局被设计成，通过与图 10中缩减光电转换元件 D1的面积的方法相同的方法，来增大栅极宽度 (沟道宽度 )W5和栅极长度 (沟道长度 )L5。

第4の遮光画素940においては、図10において光電変換素子D1の面積を削減したのと同様の方法で、ゲート幅（チャネル幅）W5が広くなるとともに、ゲート長（チャネル長）L5が長くなるようなレイアウトとなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样在这种情况下，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样在这种情况下，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过以与针对第四阵列示例的方式相同的方式设置第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止垂直条纹噪声的错误校正。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第4の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在第三发射器 230的第一输入 231处接收“1”信号且在第三发射器 230的第二输入 232处接收“0”信号时，p沟道 FET 234及 n沟道 FET 235两者断开，且输出 233处于高阻抗状态。

“1”信号が第3の送信機230の第1の入力231で受信され、“0”信号が第3の送信機230の第2の入力232で受信されるとき、pチャネルFET234及びnチャネルFET235の両者はオフであり、出力233は高インピーダンス状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集