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203 フローティング・ディフュージョン

203 浮动扩散部 - 中国語 特許翻訳例文集

303 フローティング・ディフュージョン

303 浮动扩散部 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路410は、例えば、浮遊拡散層（FD：Floating-Diffusion）を有するFDアンプにより電気信号を増幅する。

像素电路 410例如利用具有浮动扩散 (FD)的 FD放大器来放大电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図6は、フローティングディフュージョンの降圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 6是说明浮动扩散层的降压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、フローティングディフュージョンの昇圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 4是说明浮动扩散层的升压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6は、フローティングディフュージョンの降圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 6是说明浮动扩散层的降压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョン部（FD）37においても、絶縁膜との界面から電子が滲み出して暗電流が発生する。

在浮动扩散部 (FD)37中，电子从与绝缘膜的界面漏出，从而产生暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

隣接画素間では、このフローティングディフージョン部（FD）37における暗電流量が同等近くになる。

对于相邻像素来说浮动扩散部 (FD)37中的暗电流是彼此接近的。 - 中国語 特許翻訳例文集

4つの転送ゲート207乃至210は、フローティング・ディフュージョン203に関して対称的に配置されている。

四个传送栅极 207到 210对称地布置在浮动扩散部 203周围。 - 中国語 特許翻訳例文集

4つの転送ゲート307乃至310は、フローティング・ディフュージョン303に関して対称的に配置されている。

四个传送栅极 307到 310对称地布置在浮动扩散部 303周围。 - 中国語 特許翻訳例文集

これは、光学的な左右非対称を取り込んでしまうが、フローティング・ディフュージョン線315の幅を広くすることによって軽減されうる。

此确实引入可通过使得浮动扩散部导线 315较宽而减轻的光学左右不对称性。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施の形態においては、隣接画素間ではフローティングディフージョン部（FD）37に付加される暗電流も近いので、同じく信号処理によりフローティングディフージョン部（FD）37の暗電流の低減を図ることができる。

此外，由于本实施例中相邻像素的浮动扩散部 (FD)37的暗电流是彼此接近的，因而通过信号处理也能够减少浮动扩散部 (FD)37的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョン部（FD）37は、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して上層に形成された多層配線層51の所要の配線49に接続される。

浮动扩散部 (FD)37利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与形成在上层处的多层布线层 51的所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時、フローティングディフージョンFD1、FD1´のリセット電圧が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して出力され、このリセット電圧が信号処理回路12にて保持される。

此时，将浮动扩散部 FD1、FD1′的复位电压分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出，将该复位电压通过信号处理电路 12保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、フローティングディフージョンFD1、FD1´で変化した信号電圧（リセット電圧＋信号電圧）が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して信号処理回路12に出力される。

接着，将在浮动扩散部 FD1、FD1′中变化的信号电压 (复位电压+信号电压 )分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出给信号处理电路 12。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、漏れ込み光補正用画素24からの漏れ信号と、これに隣接する通常画素22からの信号を減算処理するとき、通常画素22におけるフローティングディフージョン部（FD）での暗電流を低減できる。

因此，对来自漏光修正用像素 24的漏光信号和来自与该漏光修正用像素 24相邻的普通像素 22的信号执行的减法处理能够减少普通像素 22的浮动扩散部 (FD)37中的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集

上書きモード（図7（a））においては、CCDメモリ80内を1周した信号電荷は、最終転送段82から読み出しゲート91をオンすることによって、フローティングディフュージョンアンプ92で電気信号として検知、増幅され、読み出し回路93を用いて読み出される。

在覆盖模式 (图 7A)中，通过接通读出门 91，将在 CCD存储器 80中被传输了一圈的信号电荷作为电信号用浮动扩散放大器 92检测并放大，并用读出电路 93从最终传输段82读出。 - 中国語 特許翻訳例文集