「浮置」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在此时，从浮置扩散区 145中释放多余电荷 N0。

このとき、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

1.第一实施例 (当浮置扩散具有缺陷时的缺陷检测 )

1．第1の実施の形態（フローティングディフュージョンに欠陥がある場合の欠陥検出） - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是解释共享的浮置扩散节点的示图；

【図5】フローティングディフュージョンの共有について説明する図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

要共享浮置扩散 22的像素 20的数量不限于本实施例中所示的数量。

なお、FD22を共有する画素20の数は、これに限られるものではない。 - 中国語 特許翻訳例文集

重置晶体管 Tr2连接在行选择信号 和浮置扩散 22之间。

リセットトランジスタTr2は、行選択信号φSELとFD22との間に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

从浮置扩散 22输出的电压信号通过放大晶体管 TR3放大，并输出到列信号线 VSL。

FD22から出力される電圧信号は増幅トランジスタTr3により増幅され、列信号線VSLに出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S4中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并读出复位电平(reset level)。

ステップS4において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、リセットレベルを読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S7中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，释放第一信号电荷，并读出复位电平。

ステップS7において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、第1信号電荷を排出し、リセットレベルを読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S8中，单元像素 131的目标行将第二信号电荷转移至浮置扩散区 145。

ステップS8において、注目行の単位画素131は、第2信号電荷を浮遊拡散領域145に転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S10中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并释放第二信号电荷。

ステップS10において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、第2信号電荷を排出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S53中，单元像素 131的目标行将先前帧的信号电荷转移到浮置扩散区145。

ステップS53において、注目行の単位画素131は、前のフレームの信号電荷を浮遊拡散領域145に転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S55中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并释放先前帧的信号电荷。

ステップS55において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、前のフレームの信号電荷を排出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S58中，将多余电荷转移到浮置扩散区 145，且同时将所有像素的当前帧的信号电荷转移至第二 CCD 143。

ステップS58において、全画素同時に、不要電荷を浮遊拡散領域145に転送し、現在のフレームの信号電荷を第2CCD143に転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3所示，根据本实施例的像素阵列部分 16是像素共享型阵列，其中在像素列的延伸方向上安排的四个像素共享浮置扩散。 四个像素构成一个像素组 21。

本実施形態に係る画素アレイ部16は、図3に示すように、画素列（カラム）方向の4つの画素20がFDを共有する画素共有型であり、4つの画素が一つの画素群21を構成している。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，行扫描部分 12对于预定时段激活与包括要读出行的像素组 21相关联的行传送信号 以读出通过光电转换器件 PD获得的信号电荷到浮置扩散 22中。

次に、行走査部12は、光電変換素子PDの信号電荷をFD22に読み出すために、読み出し行を含む画素群21に対応する行転送信号φTGを所定期間アクティブにする。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于在时段 (3)中信号 暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于信号 在时段 (3)中暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时，传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S52中，利用类似于图 4中的步骤 S4的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并读出复位电平 (以下称作复位电平 R0)。

ステップS52において、注目行の単位画素131は、図4のステップS4と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、リセットレベル（以下、リセットレベルR0と称する）を読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S59中，利用类似于图 4的步骤 4的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并读出复位电平 (以下称作复位电平 R1)。

ステップS59において、注目行の単位画素131は、図4のステップS4と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、リセットレベル（以下、リセットレベルR1と称する）を読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S60中，采用类似于步骤 S53的处理，单元像素 131的目标行从第二 CCD 142的存储部 174将当前帧的信号电荷 S1转移至浮置扩散区 145。

ステップS60において、注目行の単位画素131は、ステップS53と同様の処理により、現在のフレームの信号電荷S1を、第2CCD142のメモリ部174から浮遊拡散領域145に転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，在以上描述中，在图 8的步骤 S59中，示出了当读出复位电平 R1时多余电荷N0从浮置扩散区 145中释放的实例，但多余电荷 N0也可提前被释放。

さらに、以上の説明では、図8のステップS59において、リセットレベルR1を読み出すときに不要電荷N0を浮遊拡散領域145から排出する例を示したが、事前に排出しておくようにすることも可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST从图 3的顶部起以第一到第四的顺序示出。 在浮置扩散 (FD)53和垂直信号线 (VSL)57的电压的电压电平从图 3的顶部起分别在第五和第六示出。

図3の上から1乃至4番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から5，6番目には、フローティングディフュージョン（FD）53および垂直信号線（VSL）57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

注意，如果镜元件 147位于关断或浮置状态中，则可以将光路径 182反射在镜条 140的随后的那个上，该镜条140的随后的那个继而将光反射回DMD 108，光从DMD 108可以被重新引导到一个或多个另外的输出端口。

ミラー素子147がオフまたはフロート状態で配置される場合、それが1つ以上の追加的な出力ポートに向け直されることができるDMD108へ、次に光を反射するミラーストリップ140の以降のもの上へ、光路182が反射されることができる点に注意する。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。 - 中国語 特許翻訳例文集