「浮遊」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

浮遊物質．

悬浮质 - 白水社 中国語辞典

それは浮遊している。

那个是浮动着的。 - 中国語会話例文集

浮遊生物，プランクトン．

浮游生物 - 白水社 中国語辞典

ほこりが空中に浮遊する．

灰尘悬浮在空中。 - 白水社 中国語辞典

川の中のあの浮遊物は何だろう。

河里的漂浮物是什么？ - 中国語会話例文集

湖面には大小の魚の群れが浮遊している．

湖面上浮动着大小鱼群。 - 白水社 中国語辞典

このとき、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。

在此时，从浮置扩散区 145中释放多余电荷 N0。 - 中国語 特許翻訳例文集

多くの浮遊物は，最後にすべて水の深いところに沈んで行く．

许多漂浮的物件，最后都没入深水。 - 白水社 中国語辞典

この画素回路410は、例えば、浮遊拡散層（FD：Floating-Diffusion）を有するFDアンプにより電気信号を増幅する。

像素电路 410例如利用具有浮动扩散 (FD)的 FD放大器来放大电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS4において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、リセットレベルを読み出す。

在步骤 S4中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并读出复位电平(reset level)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS7において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、第1信号電荷を排出し、リセットレベルを読み出す。

在步骤 S7中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，释放第一信号电荷，并读出复位电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS8において、注目行の単位画素131は、第2信号電荷を浮遊拡散領域145に転送する。

在步骤 S8中，单元像素 131的目标行将第二信号电荷转移至浮置扩散区 145。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS10において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、第2信号電荷を排出する。

在步骤 S10中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并释放第二信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS53において、注目行の単位画素131は、前のフレームの信号電荷を浮遊拡散領域145に転送する。

在步骤 S53中，单元像素 131的目标行将先前帧的信号电荷转移到浮置扩散区145。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS55において、注目行の単位画素131は、浮遊拡散領域145をリセットし、前のフレームの信号電荷を排出する。

在步骤 S55中，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并释放先前帧的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS58において、全画素同時に、不要電荷を浮遊拡散領域145に転送し、現在のフレームの信号電荷を第2CCD143に転送する。

在步骤 S58中，将多余电荷转移到浮置扩散区 145，且同时将所有像素的当前帧的信号电荷转移至第二 CCD 143。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。

由于在时段 (3)中信号 暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。

由于信号 在时段 (3)中暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时，传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS52において、注目行の単位画素131は、図4のステップS4と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、リセットレベル（以下、リセットレベルR0と称する）を読み出す。

在步骤 S52中，利用类似于图 4中的步骤 S4的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并读出复位电平 (以下称作复位电平 R0)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS59において、注目行の単位画素131は、図4のステップS4と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、リセットレベル（以下、リセットレベルR1と称する）を読み出す。

在步骤 S59中，利用类似于图 4的步骤 4的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区 145复位，并读出复位电平 (以下称作复位电平 R1)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS60において、注目行の単位画素131は、ステップS53と同様の処理により、現在のフレームの信号電荷S1を、第2CCD142のメモリ部174から浮遊拡散領域145に転送する。

在步骤 S60中，采用类似于步骤 S53的处理，单元像素 131的目标行从第二 CCD 142的存储部 174将当前帧的信号电荷 S1转移至浮置扩散区 145。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、以上の説明では、図8のステップS59において、リセットレベルR1を読み出すときに不要電荷N0を浮遊拡散領域145から排出する例を示したが、事前に排出しておくようにすることも可能である。

此外，在以上描述中，在图 8的步骤 S59中，示出了当读出复位电平 R1时多余电荷N0从浮置扩散区 145中释放的实例，但多余电荷 N0也可提前被释放。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集