「漏れ線量」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

赤緑青の通常画素の間で色フィルタに応じて、漏れ信号量（スミア量）が異なる場合は、漏れ込み光補正用画素の漏れ信号量に重み付けの信号処理を行って後、減算処理することもできる。

当红色、绿色和蓝色普通像素中由于滤色器不同因而漏光信号量 (拖尾量 )不相同时，可以在对来自漏光修正用像素的漏光信号量进行权重信号处理之后再执行减法处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

有効画素領域の全体に対する、置き換える漏れ込み光補正用画素24の割合は、任意である。

漏光修正用像素 24在整个有效像素区域中进行取代的比例是任选的。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、MFP10の省電力モードMD12中においては、MFP10のトナー残量は変化しないため、キャッシュ情報CNを用いても、連携装置50aにおいて正確なトナー残量が表示される。

特别是，在 MFP10的省电模式 MD12中，因 MFP10的调色剂剩余量不变化，故即便使用高速缓存信息 CN，在协作装置 50a中也显示正确的调色剂剩余量。 - 中国語 特許翻訳例文集

但し、漏れ込み光補正用画素24としては、出来るだけ通常画素22と同じ構成とした方が、正確な漏れ信号（スミア量）が検出でき、通常画素の漏れ信号との相関が得られるので、有利である。

值得注意的是，将漏光修正用像素 24配置成具有与普通像素 22尽可能相同的结构是有利的，这是因为可以对漏光信号 (拖尾量 )进行准确地检测从而提供该漏光信号与普通像素的漏光信号之间的正确相关性。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

结果，通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174，可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

因此，通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中，可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施の形態では、有効画素領域内のこの画素配列において、複数の画素を1組として、その1組の画素群25に対して1つの割合で漏れ込み光補正用画素24を配置して構成される。

根据本实施例，在有效像素区域的像素布局图形中，漏光修正用像素 24被布置成在每一组像素 25中都设有一个漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、図2Bに示すように、送信漏れ信号210の大きさを測定するにあたり、正／負（＋／−）の測定誤差が生じることがあるので、探索領域は、最大範囲と最小範囲を設定することが好ましい。

然而，当如图 2b所示测量发射泄漏信号 210的幅度时，由于会产生正 /负 (+/-)测量误差，所以会想为检测区域设置最大和最小范围。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的な方法によると、AFEの第1の入力段が、高入力インピーダンスを有し、画像センサ画像アレイの第1の所定の領域における入力漏れ電流をほぼ引き出さない、連続時間増幅として動作するように制御される。

根据示例性方法，控制AFE的第一输入级以作为具有高输入阻抗并且基本上没有针对成像传感器图像阵列的第一预定区域的输入漏电流拉出的连续时间放大器来操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、説明するまでもないが、以後述べるメタデータの格納方法についてはあくまでも例であり、以後述べる情報をメタデータとして格納することが重要であってVOB管理情報ファイル（ClipInformation）の拡張領域に格納したり、別の構造を取っても構わない。

并且，不言而喻的是，以下将要叙述的元数据的存储方法只不过是一个例子，将以下将要叙述的信息作为元数据来存储是重要之处，可以存储到 VOB管理信息文件(ClipInformation)的扩展区域，也可以采取其它的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズムを介した両方向通信は、受信専用状態または伝送専用状態を可能にする単信通信で行われるので、受信信号の一部が送信機13Aの表面に到達しまたは伝送光の漏れがフォトトランジスタ12Aの表面に到達する、送信機13Aから受信機12Aまたはその逆に受信機12Aから送信機13Aへの光信号のクロストークまたは漏れは、重要でなく取るに足らないものになる。

因为在实现只接收状态或只发射状态的单工通信中实施经由棱镜的双向通信，从发射器 13A到接收器 12A的光信号的串扰或泄露或者从接收器12A到发射器 13A的光信号的串扰或泄露（其中，所接收信号的一部分到达发射器 13A的表面或者所发射光信号的泄露到达光电晶体管 12A表面）变得不重要和微不足道。 - 中国語 特許翻訳例文集