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「漏极」を含む例文一覧
該当件数 : 69件
地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制,在被行选择后导通的期间,放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。
アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在单位像素 2a中,虽然放大晶体管 23导通,但由于地址晶体管 24基于选择解除而被截止,因此漏极端子成为从电源被切断的状态。
単位画素2aでは、増幅トランジスタ23はオンしているが、アドレストランジスタ24が選択解除によりオフしたので、ドレイン端子が電源から切り離された状態となる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外,源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。
また、PMOSトランジスタ60,66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61,67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号(/列選択信号)が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 16中所示,还可以做出这样的配置: 沿列方向 (垂直方向 )在第二信号布线层中设置放射线检测线 120,并且第二信号布线层的漏极 13连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线检测像素 20B,并且第二信号布线层的漏极 13未连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线图像成像像素 20A。
また、放射線検出素子10は、図16に示すように、第2信号配線層において放射線検出用配線120を列方向(縦方向)に配設して、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させた画素20を放射線検出用用の画素20Bとし、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させない画素20を放射線画像取得用の画素20Aとして構成するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
还可以做出这样的配置: 使得第二信号布线层中的漏极 13通过接触孔连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线检测像素 20B,而第二信号布线层中的漏极 13未连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线图像成像像素 20A。
また、第2信号配線層とは異なる層において放射線検出用配線120を列方向(縦方向)に配設して、第2信号配線層のドレイン極13をコンタクトホールを介して放射線検出用配線120に接続させた画素20を放射線検出用の画素20Bとし、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させない画素20を放射線画像取得用の画素20Aとして構成するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32),并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。
各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2(中間保持手段2のノードN32)に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如,垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极,使其源极连接到像素线 51,且使其栅极 (具体地,称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。
垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート(特に垂直選択ゲートSELVという)が垂直選択線58に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38,使其漏极连接到电源 Vdd,且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51,并进一步连接到垂直信号线 19。
増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
像素电极 9a与 TFT30的漏极电气连接,使开关元件即 TFT30在一定期间闭合其开关,从而将从数据线 6a供给的图像信号 S1、S2、...、Sn在规定的定时写入。
画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n,负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n,并且在其源极连接至基准电势 VSS。
列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外,传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332,并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。
また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。
寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線(VSL1または2)501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在此,如果不接通漏极门 40且也不接通输入门 21而实行 CCD存储器 30的一个的传输动作,则能够再将最初的信号电荷保持原样地向输入传输段 31传输,并能够再将其依次传输至输出传输段 33。
ここで、ドレインゲート40をオンせずかつ入力ゲート21もオンせずにメモリCCD30における1回の転送動作を行えば、最初の信号電荷は、そのまま再び入力転送段31に転送され、これを出力転送段33まで再び順次転送することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外,将模糊抑制门 94与输入门 72连接,在信号电荷量超过某一预定的值的情况下,通过模糊抑制门 94,能够仅使该超量信号电荷向漏极 95传输。
なお、ブルーミング防止ゲート94を入力ゲート72に接続し、信号電荷量がある所定の値を超えた場合に、この越えた分の信号電荷だけがブルーミング防止ゲート94を介してドレイン95に転送させることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上,各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。
M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在地址晶体管 24被行选择后导通时,放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接,且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时,构成源极跟踪器电路。
増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在单位像素2a中,放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接,源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接,因此,放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。
単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語 特許翻訳例文集
驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接,处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。
基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75,76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号(/列選択信号)が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外,驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号,处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。
また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78,79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
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