「燒入れ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。

同样在这种情况下，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。

另外，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。

同样在这种情况下，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。

另外，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第4の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。

另外，可以通过以与针对第四阵列示例的方式相同的方式设置第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止垂直条纹噪声的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部（いわゆる撮像領域）3と、周辺回路部とを有して構成される。

如图 1所示，本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部，上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2，每个像素 2都包括光电转换部。 - 中国語 特許翻訳例文集

かつモニター11は、パララックスバリア表示層の下層の画像表示面11bに、左の像（図3（a））および右の像（図3（b））を示す短冊状の画像断片を交互に配列して表示することで、観察者に画像の立体感を感得させることを可能とするものである（図3（c））。

监视器 11也显示代表左图像 (图 3A)和右图像 (图 3B)的带状图像片段，这些图像片段在视差屏障显示层下的图像显示平面 11B上交替排列。 这种配置能够给观察者提供立体视图 (图 3C)。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときには、水平方向H画素、垂直方向Vラインであるカラー映像信号に対して、垂直方向に3つのデータを連結して、画像サイズ情報14を水平方向H画素、垂直方向V×3ラインとし、単一の色成分画素配列相当とするものである。

此时，对于水平方向 H像素、垂直方向 V行的彩色影像信号来说，在垂直方向上连结 3个数据、将图像尺寸信息 14设成水平方向 H像素、垂直方向 V×3行，假定相当于单一色分量像素排列。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板3の主面上には、画素部Pm,nが配列された受光部10A，信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aが形成されて集積化されており、また、信号入出力や電力供給の為のボンディングパッド50が形成されている。

在半导体基板 3的主面上，形成有排列着像素部 Pm，n的受光部 10A、信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A而集成化，另外，形成有用于信号输入输出及电力供应的焊接垫 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

この保持回路Hnでは、保持制御信号Holdがハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチSW31が閉状態から開状態に転じて、そのときに入力端に入力されている電圧値が保持用容量素子C3に保持される。

该保持电路 Hn中，如保持控制信号 Hold从高电平转为低电平，则输入用开关SW31从闭合状态转为打开状态，在该时输入至输入端的电压值被保持于保持用电容器C3。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻t10から時刻t11までの期間、制御部40Aからリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1〜SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が閉じて、積分用容量素子C21が放電される。

从时刻 t10起至时刻 t11为止的期间，从控制部 40A输出至重设用配线 LR的重设CN 10201760291 AA 说 明 书 8/16页控制信号 Reset成为高电平，由此，在N个积分电路 S1～ SN的各个中，放电用开关 SW21闭合，而积分用电容器 C21放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、時刻t11より後の時刻t12から時刻t15までの期間、制御部40Aから第1行選択用配線LV,1に出力される第1行選択制御信号Vsel(1)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第1行のN個の画素部P1,1〜P1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，从较时刻 t11在后的时刻 t12起至时刻 t15为止的期间，从控制部 40A输出至第 1行选择用配线 LV，1的第 1行选择控制信号 Vsel(1)成为高电平，由此，受光部 10A中的第 1行的 N个像素部 P1，1～ P1，N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

この期間（t12〜t15）内において、時刻t13から時刻t14までの期間、制御部40Aから保持用配線LHへ出力される保持制御信号Holdがハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1〜HNそれぞれにおいて入力用スイッチSW31が閉じる。

在此期间 (t12～ t15)内，从时刻 t13起至时刻 t14为止的期间，从控制部 40A输出至保持用配线 LH的保持控制信号 Hold成为高电平，由此，在 N个保持电路 H1～ HN的各个中，输入用开关 SW31闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻t20から時刻t21までの期間、制御部40Aからリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1〜SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が閉じて、積分用容量素子C21が放電される。

从时刻 t20起至时刻 t21为止的期间，从控制部 40A输出至重设用配线 LR的重设控制信号 Reset成为高电平，由此，在N个积分电路 S1～ SN的各个中，放电用开关 SW21闭合，而积分用电容器 C21放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、時刻t21より後の時刻t22から時刻t25までの期間、制御部40Aから第2行選択用配線LV,2に出力される第2行選択制御信号Vsel(2)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第2行のN個の画素部P2,1〜P2,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，从较时刻 t21在后的时刻 t22起至时刻 t25为止的期间，从控制部 40A输出至第 2行选择用配线 LV，2的第 2行选择控制信号 Vsel(2)成为高电平，由此，受光部 10A中的第 2行的 N个像素部 P2，1～ P2，N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

この期間（t22〜t25）内において、時刻t23から時刻t24までの期間、制御部40Aから保持用配線LHへ出力される保持制御信号Holdがハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1〜HNそれぞれにおいて入力用スイッチSW31が閉じる。

在此期间 (t22～ t25)内，从时刻 t23起至时刻 t24为止的期间，从控制部 40A输出至保持用配线 LH的保持控制信号 Hold成为高电平，由此，在 N个保持电路 H1～ HN的各个中，输入用开关 SW31闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、期間（t22〜t25）の後に、制御部40Aから列選択用配線LH,1〜LH,Nに出力される列選択制御信号Hsel(1)〜Hsel(N)が順次に一定期間だけハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1〜HNそれぞれの出力用スイッチSW32が順次に一定期間だけ閉じる。

然后，在期间 (t22～ t25)之后，从控制部 40A输出至列选择用配线 LH，1～ LH，N的列选择控制信号 Hsel(1)～ Hsel(N)，依照顺序仅在一定期间成为高电平，由此，N个保持电路 H1～ HN的各个的输出用开关 SW32依照顺序仅在一定期间闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この同じ期間に、制御部40Aから第2行選択用配線LV,2に出力される第2行選択制御信号Vsel(2)がハイレベルとなって、受光部10Aにおける第2行のN個の画素部P2,1〜P2,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，在此相同期间，从控制部 40A输出至第 2行选择用配线 LV，2的第 2行选择控制信号 Vsel(2)成为高电平，受光部 10A中的第 2行的 N个像素部 P2，1～ P2，N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様にして、時刻t22から時刻t25までの期間、制御部40Aから第3行選択用配線LV,3に出力される第3行選択制御信号Vsel(3)がハイレベルとなって、受光部10Aにおける第3行のN個の画素部P3,1〜P3,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

以同样方式，从时刻 t22起至时刻 t25为止的期间，从控制部 40A输出至第 3行选择用配线 LV，3的第 3行选择控制信号 Vsel(3)成为高电平，受光部 10A中的第 3行的 N个像素部 P3，1～ P3， N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この同じ期間に、制御部40Aから第4行選択用配線LV,4に出力される第4行選択制御信号Vsel(4)がハイレベルとなって、受光部10Aにおける第4行のN個の画素部P4,1〜P4,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，在此相同期间，从控制部40A输出至第 4行选择用配线 LV，4的第 4行选择控制信号 Vsel(4)成为高电平，受光部10A中的第 4行的 N个像素部 P4，1～ P4， N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ただし、時刻t42から時刻t45までの期間、制御部40Aから第M1行選択用配線LV,M1に出力される第M1行選択制御信号Vsel(M1)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第M1行のN個の画素部PM1,1〜PM1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

然而，从时刻 t42起至时刻 t45为止的期间，从控制部 40A输出至第M1行选择用配线 LV，M1的第M1行选择控制信号 Vsel(M1)成为高电平，由此，受光部 10A中的第M1行的N个像素部 PM1，1～ PM1，N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、時刻t50以降の放電用スイッチSW21が閉じている期間に、第(M1＋1)行から第M行までの行選択制御信号Vsel(M1+1)〜Vsel(M)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第(M1＋1)行から第M行までの範囲の各画素部Pm,nの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，在时刻 t50以后的放电用开关 SW21闭合的期间，从第 (M1+1)行至第M行为止的行选择控制信号 Vsel(M1+1)～ Vsel(M)成为高电平，由此，受光部CN 10201760291 AA 说 明 书 11/16页10A中的从第 (M1+1)行至第M行为止的范围的各像素部 Pm，n的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、各積分回路Snの出力電圧値を保持回路Hnにより保持した後であれば、各保持回路Hnから電圧値を読み出している期間に、リセット制御信号Resetをハイレベルとして各積分回路Snを初期化してもよい。

然而，如为将各积分电路 Sn的输出电压值通过保持电路Hn予以保持之后的话，则也可在从各保持电路Hn读出电压值的期间，将重设控制信号 Reset作为高电平而将各积分电路 Sn初期化。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施形態に係る固体撮像装置1Bでは、第1撮像モードのときに、制御部40Bから切離用配線LD1を経て各切離用スイッチSW1nに与えられる切離制御信号Disconnectはハイレベルとなって、各切離用スイッチSW1nは閉じる。

第 2实施方式所涉及的固体摄像装置 1B中，在第 1摄像模式时，从控制部 40B经由切断用配线 LD1而被赋予至各切断用开关 SW1n的切断控制信号 Disconnect成为高电平，各切断用开关 SW1n闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板3の主面上には、画素部Pm,nが配列された受光部10A，信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aが形成されて集積化されており、また、信号入出力や電力供給の為のボンディングパッド50が形成されている。

在半导体基板 3的主面上，形成有排列着像素部 Pm，n的受光部 10A、信号读出部 20、A/D转换部 30(参考图 1)及控制部 40A(参考图 1)而集成化，另外，形成有用于信号输入输出及电力供应的焊接垫 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻t10から時刻t11までの期間、制御部40Aからリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1〜SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が閉じて、積分用容量素子C21，C22が放電される。

从时刻 t10起至时刻 t11为止的期间，从控制部 40A输出至重设用配线 LR的重设控制信号 Reset成为高电平，由此，在N个积分电路 S1～ SN的各个中，放电用开关 SW21闭合，而积分用电容器 C21、C22放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、時刻t11より後の時刻t12から時刻t15までの期間、制御部40Aから第1行選択用配線LV,1に出力される第1行選択制御信号Vsel(1)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第1行のN個の画素部P1,1〜P1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，从较时刻 t11在后的时刻 t12起至时刻 t15为止的期间，从控制部 40A输出至第 1行选择用配线 LV，1的第 1行选择控制信号Vsel(1)成为高电平，由此，受光部 10A中的第 1行的 N个像素部 P1，1～ P1，N的各个的读出用开关SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この同じ期間（t12〜t15）に、制御部40Aから第2行選択用配線LV,2に出力される第2行選択制御信号Vsel(2)がハイレベルとなって、これにより、受光部10Aにおける第2行のN個の画素部P2,1〜P2,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，在此相同期间 (t12～ t15)，从控制部 40A 输出至第2行选择用配线LV，2的第 2行选择控制信号Vsel(2)成为高电平，由此，受光部 10A中的第 2行的N个像素部P2，1～ P2，N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻t20から時刻t21までの期間、制御部40Aからリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1〜SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が閉じて、積分用容量素子C21，C22が放電される。

从时刻 t20起至时刻 t21为止的期间，从控制部 40A输出至重设用配线 LR的重设控制信号 Reset成为高电平，由此，在N个积分电路 S1～ SN的各个中，放电用开关 SW21闭合，而积分用电容器 C21、C22放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、時刻t21より後の時刻t22から時刻t25までの期間、制御部40Aから第3行選択用配線LV,3に出力される第3行選択制御信号Vsel(3)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第3行のN個の画素部P3,1〜P3,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，从较时刻 t21在后的时刻 t22起至时刻 t25为止的期间，从控制部 40A输出至第 3行选择用配线 LV，3的第 3行选择控制信号Vsel(3)成为高电平，由此，受光部 10A中的第 3行的 N个像素部 P3，1～ P3，N的各个的读出用开关SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この同じ期間（t12〜t15）に、制御部40Aから第4行選択用配線LV,4に出力される第4行選択制御信号Vsel(4)がハイレベルとなって、これにより、受光部10Aにおける第4行のN個の画素部P4,1〜P4,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，在此相同期间 (t22～ t25)，从控制部 40A输出至第 4行选择用配线 LV，4的第 4行选择控制信号Vsel(4)系成为高电平，由此，受光部 10A中的第 4行的N个像素部 P4，1～ P4，N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻t10から時刻t11までの期間、制御部40Aからリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1〜SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が閉じて、積分用容量素子C21が放電される。

从时刻 t10起至时刻 t11为止的期间，从控制部 40A输出至重设用配线 LR的重设控制信号 Reset成为高电平，由此，在N个积分电路 S1～ SN的各个中，放电用开关 SW21闭合，而积分用电容器 C21放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

ただし、時刻t42から時刻t45までの期間、制御部40Aから第M1行選択用配線LV,M1に出力される第M1行選択制御信号Vsel(M1)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第M1行のN個の画素部PM1,1〜PM1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が閉じる。

然而，从时刻 t42起至时刻 t45为止的期间，从控制部 40A输出至第M1行选择用配线 LV，M1的第M1行选择控制信号 Vsel(M1)成为高电平，由此，受光部 10A中的第M1行的 N个像素部 PM1，1～ PM1， N的各个的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、時刻t50以降の放電用スイッチSW21が閉じている期間に、第(M1＋1)行から第M行までの行選択制御信号Vsel(M1+1)〜Vsel(M)がハイレベルとなり、これにより、受光部10Aにおける第(M1＋1)行から第M行までの範囲の各画素部Pm,nの読出用スイッチSW1が閉じる。

另外，在时刻 t50以后的放电用开关 SW21闭合的期间，从第 (M1+1)行至第M行为止的行选择控制信号 Vsel(M1+1)～ Vsel(M)成为高电平，由此，受光部10A中的从第 (M1+1)行至第M行为止的范围的各像素部 Pm，n的读出用开关 SW1闭合。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7は、非排他的多重化配列によって使用されている4ビット埋め込み宛先アドレスを図示しているが、当業者は、本開示の範囲または精神に影響を及ぼすことなく、他のビット量（例えば、r−bit）を、埋め込み宛先アドレスに対して使用できることを理解するだろう。

尽管图 7图解非排他复用星座使用了 4比特嵌入式目的地址，但是本领域技术人员将理解，可对嵌入式目的地址使用其他比特量 (例如， r比特 )而不影响本公开的范围或精神。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、1つまたは複数のサーバ3482は、マクロ・ネットワーク・プラットフォーム3410から受信するデータに加え、自らが生成する実質的にすべてのパケット化された（例えばIPベース、フレームリレー・ベース、ATMベースの）フローを管理する（例えばスケジュールし、キューに入れ、フォーマットする等）ことができる。

另外，除了从宏网络平台 3410接收的数据外，服务器 3482还可以管理它生成的几乎全部打包流 (例如，基于 IP的、基于中继帧的、基于 ATM的 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の垂直転送動作では、ゲート信号φCMのハイレベル期間に各画素1からの信号が、それぞれ接続されている中間保持手段2の中間保持容量31に書き込まれ、ゲート信号φCMの立下り時に信号値がホールドされる（P11）。

在该第一垂直传送操作中，在栅极信号处于高电平的同时将来自像素 1的信号写入到中间保持单元 2的相应的中间保持电容器 31中，并且在栅极信号 下降时保持这些信号值 (P11)。 - 中国語 特許翻訳例文集

次いで、パケットは、トランスミッタ215において実行されることができるインターリービングオペレーション(interleaving operation)を逆にするために、タイムドメインおよび／または周波数ドメインのいずれかにおいて、信号をその適切な順序に配列するデインターリーバモジュール230へと渡されることができる。

包可接着传递到解交错器模块 230，所述解交错器模块在时域和 /或频域中将信号布置成其适当次序以将可在发射器 215处执行的交错操作反转。 - 中国語 特許翻訳例文集

デインターリーバ340は、トランスミッタ310の中の変調器によって実行されることができるインターリービングオペレーションを逆にするために、信号ビットをそれらの適切な順序へと（タイムドメインおよび／または周波数ドメインのいずれかの中で）配列することができる。

解交错器 340可将信号位布置成其适当次序 (在时域和 /或频域中 )以将可由发射器 310中的调制器执行的交错操作反转。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部191は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC11を、制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 191将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC 11采样并保持其中在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部192は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC12を制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 192将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC12采样并保持一在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间，采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

ベイヤー配列は、水平方向にR画素とG（Gr）画素が交互に配置されたラインと、G（Gb）画素とB画素が交互に配置されたラインとを有し、さらにその2つのラインを垂直方向にも交互に配置することで構成されている。

拜耳排列具有在水平方向上交替配置有 R像素和 G(Gr)像素的线和交替配置有 G(Gb)像素和 B像素的线，并且将这 2条线交替配置于垂直方向来构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

開始位置変化位相Sth［］は、要素数7の配列を有し、水平開始終了位置検出器7が各閾値レベルにて出力する水平開始位置が連続する位相間で変化する開始位置変化位相を格納する。

开始位置变化相位 Sth[]具有包含七个阵列元素的阵列，并且存储由水平开始 /结束位置检测器 7对于各阈值电平检测的水平开始位置在连续的相位之间变化的开始位置变化相位。 - 中国語 特許翻訳例文集

終了位置変化位相Eth［］は、要素数7の配列を有し、水平開始終了位置検出器7が各閾値レベルにおいて出力する水平終了位置が連続する位相間で変化する終了位置変化位相を格納する。

结束位置变化相位 Eth[]具有包含七个阵列元素的阵列，并且存储由水平开始 /结束位置检测器 7对于各阈值电平检测的水平结束位置在连续的相位之间变化的结束位置变化相位。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、「第1の(first)」および「第2の(second)」とういう用語ならびに類似の用語は、項目または特徴のある特定の例を別の例と単に区別するために使用され、文脈が明らかにそうでないと示さない限り、特定の順序または特定の配列を示さない。

同样，术语“第一”和“第二”以及类似术语只用于区分项目或特征的一个特定实例与另一个实例，并不指示特定顺序或排列，除非上下文另外明确指出。 - 中国語 特許翻訳例文集

当業者は、1つまたはより多くのプロセッサおよびプログラムコードを伴って構成されるメモリ配列を含む、様々な代替的な演算様式が、本発明の異なる実施形態の処理およびデータ構造を管理する（hosting）ために適当であることを理解するであろう。

所属领域的技术人员将了解，各种替代性计算布置 (包含用程序代码配置的一个或一个以上处理器和存储器布置 )将适合于管理本发明的不同实施例的过程和数据结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

よって、陰影を付けた出力バイトの観察と最終ラウンド鍵26配列内の対応する位置についての仮説に基づいて、差分電力解析（DPA：Differential Power Analysis）の攻撃者は、ラウンド鍵21、26のいくつかのバイトを回復することができる。

因此，基于对以阴影表示的输出字节的观察以及与最终回合密钥 26阵列中的对应位置的假定，差分功耗分析 (DPA)攻击者能够恢复回合密钥 21、26的一些字节。 - 中国語 特許翻訳例文集