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「电位」を含む例文一覧
該当件数 : 107件
用电位计控制电压
電位計で電圧を制御する - 中国語会話例文集
与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。
また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。 - 中国語 特許翻訳例文集
(c-5)非发光时段中信号电位的写操作
（c−5）非発光期間内の信号電位書込み動作 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6A～图 6C示出了普通像素的电位状态，图 7A～图 7C示出了漏光修正用像素的电位状态。
図6は通常画素のポテンシャル状態を示し、図7は漏れ込み光補正用画素のポテンシャル状態を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
普通像素 22(22R、22G、22B)的电位状态与图 6A～图 6C所示的第一实施例中普通像素 22的电位状态相同。
通常画素22［22R，22G，22B］では、図6のポテンシャル状態で示すように、第1実施の形態と同様である。 - 中国語 特許翻訳例文集
普通像素 22(22R、22G、22B)的电位状态与图 6A～图 6C所示的第一实施例的普通像素 22的电位状态相同。
通常画素22［22R，22G，22B］では、図6のポテンシャル状態で示すように、第1実施の形態と同様である。 - 中国語 特許翻訳例文集
随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。
この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 23(4)中，实线表示数据线 10的电位变化，虚线表示基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化。
図23（4）において、実線はデータ線10の電位変化を示し、破線は基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
图15E和 16E是所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs的波形。
図15（E）及び図16（E）は、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの波形である。 - 中国語 特許翻訳例文集
所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs由 Vofs_L-Vth给出。
また、駆動トランジスタN2のソース電位Vsは、Vofs_L−Vthで与えられる。 - 中国語 特許翻訳例文集
数据线 10的电位如特性 o那样，从 VDD/2向VDD上升。
データ線10の電位は、特性oのように、VDD／2からVDDに向かって上昇する。 - 中国語 特許翻訳例文集
[比较例 1(模拟地控制垂直信号线的电位的一例 )]
［比較例1（アナログ的に垂直信号線の電位を制御する一例）］ - 中国語 特許翻訳例文集
如上，基准电压驱动电路 19b所驱动的基准电压线 Vref的电位取的是与传输 1位的 2值对应的数据线 10的电位的中间电位。
このように、基準電圧駆動回路19bが駆動する基準電圧線Vrefの電位は、転送1ビットの2値に対応したデータ線10の電位の中間電位を取るようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
如上，基准电压驱动电路 19d所驱动的基准电压线 Vref1、Vref3和固定电压(VDD/2)的基准电压线 Vref2的电位与第一实施例同样地，取与传输 2位中 4种位模式对应的数据线 10的电位的中间电位。
このように、基準電圧駆動回路19dが駆動する基準電圧線Vref1，Vref3，および固定電圧（VDD／2）の基準電圧線Vref2の電位は、第1の実施例と同様に、転送2ビットの4通りのビットパターンに対応したデータ線10の電位の中間電位を取るようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
FD304a至 FD 304c将光信号转换为 FD电位。
フローティングディフュージョン（以下FDと呼ぶ）304a〜304cは、光信号電荷をFD電位に転換する。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6B和图 7B示出了在曝光完成之后的传输操作中的电位状态。
図6B及び図7Bは、露光終了後の転送動作時のポテンシャル状態を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 15A至 15E是显示了子像素的驱动波形示例与内部电位之间的关系的图；
【図15】サブ画素の駆動波形例と内部電位の関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 16A至 16E是显示了子像素的驱动波形示例与内部电位之间的关系的图；
【図16】サブ画素の駆動波形例と内部電位の関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
保持电容器 203保持由采样开关 202采样的电位。
203はサンプリングスイッチ202によりサンプリングした電位を保持する保持容量である。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，电位计的检测精度由于电噪声的影响而下降。
また、ポテンショメータは、電気ノイズの影響によっても検出精度が低下する。 - 中国語 特許翻訳例文集
(1)能够防止产生由于复位电位降低而产生的暗黑。
（1）リセット電位が低下する事による黒沈みの問題が発生を防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
即，源极跟随器电路作为增益几乎为 1的放大电路而工作，并且调制垂直信号线11的电位 Vsl以跟随作为输入节点的 FD节点 7的电位 Vf的变化。
すなわち、ソースファロアー回路はゲインが略1のアンプ回路として動作し、入力ノードであるFDノード7の電位Vfの変化に追随するように、垂直信号線11の電位Vslは変調される。 - 中国語 特許翻訳例文集
蓄积电容 70的一方电极与像素电极 9a并列地电气连接到 TFT30的漏极，另一方电极为了成为恒定电位，与电位固定的电容线 300电气连接。
蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に電気的に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
所述选择器 69是一个水平扫描周期中选择性地输出对应于像素色度的信号电视Vsig、阈值校正电位 Vofs_L和初始化电位 Vofs_H之一的电路装置。
セレクタ69は、画素階調に対応する信号電位Vsigと、閾値補正電位Vofs_Lと、初期化電位Vofs_Hとのいずれか一つを、1水平走査期間内に選択的に出力する回路デバイスである。 - 中国語 特許翻訳例文集
在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前，所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。
なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている（図15（A）〜（C），図16（A）〜（C））。 - 中国語 特許翻訳例文集
基准电压线Vref2的电位降低速度是传输 2位为 (0，1)时的特性 b与为 (1，0)时的特性 c的中间速度，因此基准电压线 Vref1的电位变化如特性 f所示。
基準電圧線Vref2の電位低下のスピードは、転送2ビットが（0，1）の場合の特性bと（1，0）の場合の特性cとの中間スピードとなるので、基準電圧線Vref1の電位変化は特性fに示すようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
同样地，基准电压线 Vref3的电位降低速度是传输 2位为 (1，0)时的特性 c与为 (1，1)时的特性 d的中间速度，因此基准电压线Vref3的电位变化如特性 g所示。
同様に、基準電圧線Vref3の電位低下のスピードは、転送2ビットが（1，0）の場合の特性cと（1，1）の場合の特性dとの中間スピードとなるので、基準電圧線Vref3の電位変化は特性gに示すようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
虚线是连接有基准电压线 Vref1的正相内部节点 D1的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D1的电位变化。
破線は、基準電圧線Vref1が接続される正相内部ノードD1の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D1の電位変化である。 - 中国語 特許翻訳例文集
虚线是连接有基准电压线 Vref2的正相内部节点 D2的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D2的电位变化。
破線は、基準電圧線Vref2が接続される正相内部ノードD2の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D2の電位変化である。 - 中国語 特許翻訳例文集
虚线是连接有基准电压线 Vref3的正相内部节点 D3的电位变化，实线是连接有数据线 10的反相内部节点 /D3的电位变化。
破線は、基準電圧線Vref3が接続される正相内部ノードD3の電位変化であり、実線は、データ線10が接続される逆相内部ノード／D3の電位変化である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6A～图 6C是在对用于第一实施例固体摄像装置的驱动方法的说明中所涉及的普通像素的电位状态图。
【図6】第1実施の形態の固体撮像装置の駆動方法の説明に供する通常画素のポテンシャル状態図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
下面参照示出了电位状态的图 6A～图 7C来说明用于第一实施例的固体摄像装置的驱动方法。
次に、第1実施の形態に係る固体撮像装置の駆動方法を、ポテンシャル状態を示す図6及び図7を用いて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4A到 4D示出了使用如图 1和图 3所示的像素电路的读出和传输操作的电位转换。
図4（A）〜（D）は、図1および図3のような画素回路を用いた、読み出し転送動作に伴うポテンシャル推移を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4A到 4D示出了使用如图 1和图 3所示的像素电路的读出和传输操作的电位转换。
【図4】図1および図3のような画素回路を用いた、読み出し転送動作に伴うポテンシャル推移を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5(a)～图 5(e)是表示有关本发明的第 1实施方式的固体摄像装置的 4像素 1单元的信号的读出方法的电位图。
【図5】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の4画素1セル分の信号の読み出し方法を示すポテンシャル図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 25是显示了与从所述阈值校正操作的完成到写入信号电位的起始的操作对应的子像素的等效电路的图；
【図25】閾値補正動作の完了から信号電位の書込開始までの動作に対応するサブ画素の等価回路を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。
なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。
また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集
所述有机 EL器件 OLED的熄灭状态被维持直到所述源极电位 Vs超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压 Vth(oled)。
なお、ソース電位Vsが、有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまでは、有機EL素子OLEDの消灯状態が維持される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2A和 2B是示出图 1所示的变倍环的绝对位置、电位计的输出和变倍透镜的位置之间的关系的图。
【図2】図2は、図1に示す変倍リングの絶対位置、ポテンショメータの出力および変倍レンズ位置の関係を表すグラフである。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 7是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。
【図7】図7は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 8是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各 2个节点处的电位变化的波形图。
【図8】図8は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 16是说明 1位传输时的数据线和基准电压线的电位变化的波形图。
【図16】図16は、1ビット転送時のデータ線および基準電圧線の電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 17是说明位“1”传输时的差动放大电路的内部节点的电位变化的波形图。
【図17】図17は、ビット“1”転送時の差動増幅回路の内部ノードの電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 18是说明位“0”传输时的差动放大电路的内部节点的电位变化的波形图。
【図18】図18は、ビット“0”転送時の差動増幅回路の内部ノードの電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 24是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各 2个节点处电位变化的波形图。
【図24】図24は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
并且，图 7是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。
なお、図7は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 8是说明接受 2位数据的 3个差动放大电路的各 2个节点处的电位变化的波形图。
図8は、2ビットデータを受け取る3つの差動増幅回路の各2つのノードにおける電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，图7(4)中表示出基准电压驱动电路19a所驱动的基准电压线Vref1、Vref2、Vref3的电位变化的特性 e、f、g。
また、図7（4）では、基準電圧駆動回路19aが駆動する基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化の特性e，f，gが示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 8(5)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref1的差动放大电路 45a的内部节点 (D1、/D1)的电位变化。
図8（5）は、データ線10と基準電圧線Vref1とが接続される差動増幅回路45aの内部ノード（D1，／D1）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
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