「电势」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在该最小值检测周期 705中，开关 604的接通导致光电转换装置 600从第三输出单元 106输出在这种状态下的共用输出线 605上的电势作为最小值。

最小値検出期間705ではスイッチ604がオンであるので、光電変換装置600は、このときの共通出力線605の電位を最小値として、第3の出力部106から出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在每个列处理电路 (ADC)61，读出到垂直信号线 10的模拟信号 (电势 Vs1)在布置在列中的比较器 61-1与逐步变化的基准信号 RAMP(Vslop)相比较。

各カラム処理回路（ADC）61において、垂直信号線10に読み出されたアナログ信号（電位Vsl）が列毎に配置された比較器61−1で階段状に変化する参照信号RAMP（Vslop）と比較される。 - 中国語 特許翻訳例文集

ADC 161把基准信号 RAMP(电势 Vslop)的电压的变化转换为时间变化 (时间间隔 )，并且该时间间隔使用一定时间段 (时钟 )来计数，以将其转换为数字值。

ADC161は、参照信号RAMP（電位Vslop）の電圧の変化を時間の変化に変換するものであり、その時間をある周期(クロック)で数えることでデジタル値に変換する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在每个列处理电路 (ADC)161中，读出到垂直信号线 116的模拟信号电势 VSL在布置在列中的比较器 162处与基准信号 RAMP相比较。

各カラム処理回路（ADC）161において、垂直信号線116に読み出されたアナログ信号電位VSLが列毎に配置された比較器162で参照信号RAMPと比較される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，在水平轴表示时间轴的情况下，通过实线示出时钟端子 103、水平同步端子102、地址线 201、像素复位线 321和电荷传输线 331的电势中的改变。

ここでは、横軸を共通の時間軸として、クロック端子103、水平同期端子102、アドレス線201、画素リセット線321および電荷転送線331における電位変動が実線により示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 25是示出了在操作实例 1的情形中在完全转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图；

【図25】動作例1の場合の完全転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 27是出了在操作实例 2的情形中在中间转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图；

【図27】動作例2の場合の中間転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在时段“t11”的后一半的时段“t12”通过使得复位脉冲 RST为“H”电平，复位 FD区 26，然后，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出 FD区 26的电势作为复位电平。

次いで、期間t11の後半部分の期間t12でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによってFD部26をリセットし、次いで選択パルスSELが“H”レベルになることによってFD部26の電位をリセットレベルとして読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，如图 7所示，当入射光很强时，超出电势Φtrgi的电子被转移到 FD区26，继而被读出作为信号电平。

一方で、図7に示すように、入射光が強いときは、ポテンシャルΦtrgiを超えた電子がFD部26へ転送され、信号レベルとして順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 20E是时段 T3、T4中时段 t3的电势图，这时转移晶体管 22在完全转移读出信号之后处于关断状态。

図20（e）は、期間T3，T4における期間t3、即ち信号を読み出すべく完全転送後に転送トランジスタ22をオフ状態にしたときのポテンシャル図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于在时段 (3)中信号 暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于传送电容 228的所述另一端子变为表达为 VGR-(N1+Nt)的电势，因此，传送部件 201的噪声 Nt与 -(S1+Nt)相加，因此，从输出端子 203输出光学信号 -S1。

転送容量228の他方の端子はVGR−（N1＋Nt）の電位となるため、転送部201のノイズNtが加わって、出力端子203からは、光信号−S1が出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于信号 在时段 (3)中暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时，传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于传送电容 228的所述另一端子获得表达为 VGR-(N1+Nt)的电势，因此，传送部件 201的噪声 Nt与 -(S1+Nt)相加，使得从输出端子 203输出光学信号 -S1。

転送容量228の他方の端子はVGR−（N1＋Nt）の電位となるため、転送部201のノイズNtが加わって、出力端子203からは、光信号−S1が出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t14，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，根据被转移电子的量的 FD区 26的电势被读出，作为信号电平，并且如果需要的话，使用在时段 t12读出的复位电平，在例如列电路 16中执行噪音消除处理。

期間t14では、選択パルスSELが“H”レベルになることによって転送された電子の量に応じたFD部26の電位を信号レベルとして読み出し、必要に応じて、期間t12で読み出したリセットレベルを用いて、例えばカラム回路16においてノイズキャンセル処理を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

而当入射光强时 (图 34B)，因为已经被光电转换的电子的量大，所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg，光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势，并且被部分转移到垂直 CCD 33。

一方、入射光が強いとき（B）は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集