「电压电平」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

比较器 205和 206将斜坡信号与预定电压电平 Vx进行比较。

比較器205、206は、ランプ信号と所定電圧レベルVxとを比較する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变大于预定阈值，也就是说，当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间 T7改变，并且 VSL 57的电压电平的改变在时间 T6之后在时间 T7又大于预定阈值时，确定 FD 53具有缺陷。 处理进行到步骤 S15。

一方、ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化し、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から、所定の閾値より変化している場合、FD53に欠陥があるとされ、処理はステップS15に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一个实施例中，混沌 (随机 )噪声信号 302的电压电平取决于混沌传送映射(chaotic transfer map)。

一実施形態において、カオス（ランダム）ノイズ信号302の電圧レベルは、カオス変換写像に依存する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变不大于预定阈值，也就是说，当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间T7没有改变，并且 VSL 57的电压电平在时间 T6之后在时间 T7又没有改变时，如由实线 A所示，确定 FD 53不具有缺陷。 处理跳过步骤 S15，并且进行到步骤 S16。

ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きくないと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、実線Aで示されるように、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化せず、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から変化していない場合、FD53に欠陥はないとされ、処理はステップS15をスキップし、ステップS16に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

在数据编码器 108处接收的数据可由发射器状态的特定组合表示，所述发射器状态可经由节点 140、142及 144处的电压电平来检测，所述节点耦合到接收器 150、160及 170的输入。

データエンコーダ108で受信したデータは、受信機150，160，170への入力に連結されるノード140，142，144での電圧レベルによって検出可能である送信機状態の特有の組み合わせによって表されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

就此而言，由限幅器接收到的每个信号的副本可被这样的器件采样，并被用于反过来向发送器 403提供电压电平或其他信息。

この点に関して、スライサにより受信された各信号の複製はこのような装置によりサンプリングされ、そして電圧レベルまたは他の情報を送信機403に戻すために使用されてよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

检测部分 27基于每个像素的电压信号的电压电平 (该电压信号从 A/D转换器 23以预定时序提供 )，检测具有缺陷 (缺陷像素 )的像素。

検出部27は、A/D変換器23から、所定のタイミングで供給された画素毎の電圧信号の電圧レベルに基づいて、欠陥がある画素（欠陥画素）を検出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

返回到图 4的流程图，检测部分 27在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变是否大于预定阈值。

ここで、図4のフローチャートに戻り、ステップS14において、検出部27は、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいか否かを判定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在频率上的这种改变是因为斜坡信号 (304和 305)与随机噪声信号 302在与随机噪声信号电压电平改变之前的相交点不同的点处相交。

この周波数の変化は、ランダム信号電圧レベルが変化する前の交差点と比較して、ランプ信号（304及び305）がランダムノイズ信号302と異なる点で交差することによって生じる。 - 中国語 特許翻訳例文集

低 AC电压电平要求使用较大电容器，即具有较低阻抗，诸如 0.68μF（微法拉），以便馈送足够的整流电流到 VCC调节器 227。

この低AC電圧レベルは、十分な整流された電流をVCCレギュレータ227に供給するために、0．68μF（マイクロファラッド）などのより大きなコンデンサを使用すること、すなわちより低インピーダンスであること要求する。 - 中国語 特許翻訳例文集

电阻器 R3和 R4值被预先配置，使得无论何时 AC电压电平（在正的正弦或负的正弦曲线中）与过零点相交，比较器电路 225或 226都将反转其状态。

AC電圧レベルが正の正弦波曲線か負の正弦波曲線かのどちらかでゼロ交差点を横切るたびに、比較器回路225または226が状態を反転するように、抵抗器R3およびR4の値は、予め設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

举例来说，装置 210、220及 230可包括在图 1的接收器 150、160及 170中，且经配置以响应于表 1中所指示的输入电压电平以向解码器 180提供对应输出以便指示每一特定操作状态。

例えば、デバイス210，220，230は、図1の受信機150，160，170に含まれてもよいし、特定の動作状態を示すためのデコーダ180に一致する出力を提供するために、表1に示した入力電圧レベルに反応するように構成されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，通过使用适于通过调整误差放大单元 310的基准电压 Vref1来确定负电压的电路，可以根据累积时间设置以小规模电路容易地调整负电压电平，而不会不利地影响功耗。

このように、誤差増幅部310の参照電圧Vref1の調整により負電圧を決定するような回路を用いることにより、小規模の回路で蓄積時間設定に応じた負電圧レベルの調整を容易に、かつ、消費電力への影響もなく実現することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，nMOS和 pMOS器件可能表现出不同的阻抗或开关特性，而在到逻辑高和低电压电平的阻抗连接上提供单独的控制一般会有助于在驱动组件 601(例如，启用上升与下降缘速率的单独控制 )以及整个最近邻信号路径上的更好的控制。

論理高電圧および低電圧レベルへのインピーダンス接続の別の制御の提供は一般的に、すべての最近傍信号経路だけでなく駆動部品601の制御を容易にする（例えば、立ち上りおよび立下り速度の別の制御を可能にする）。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST从图 3的顶部起以第一到第四的顺序示出。 在浮置扩散 (FD)53和垂直信号线 (VSL)57的电压的电压电平从图 3的顶部起分别在第五和第六示出。

図3の上から1乃至4番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から5，6番目には、フローティングディフュージョン（FD）53および垂直信号線（VSL）57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

如在图 3的时序图的情况下，图 5的时序图从图 5的顶部起以第一、第四、第五和第六的顺序示出驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST，并且从图 5的顶部起分别在第七和第八示出在 FD 53和 VSL 57的电压的电压电平。

図5のタイムチャートにおいては、図3のタイムチャートと同様に、図5の上から1，4，5，6番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から7，8番目には、FD53およびVSL57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，当在步骤 S34确定，当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时，处理跳过步骤 S35，并且进行到步骤 S36。

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 4(1)中所示，例如，相对于累积时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压Vout(负电压电平 )在 0秒≤ TS＜ 0.5秒时为 -1.0V，在 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V，在 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V，在 1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V，而在 2.0秒≤ TS时为 -1.4V。 因此，累积时间越长，负电压就越高。

たとえば図4（1）に示すように、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V，2．0秒≦TSでは−1．4Vというように、蓄積時間が長くなるほど負電圧レベルを大きくする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，当 0秒≤ TS＜ 0.5秒时相对于累计时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压 Vout(负电压电平 )为 -1.0V，当 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V-Δ1＝ -1.15V，当 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V-Δ2＝ -1.3V，当1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V-Δ3＝ -1.45V，且当 2.0秒≤ TS时为 -1.4V-Δ4＝ -1.6V。 因此，累积时间越长，或者周围温度越高，负电压就越高。

この場合、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V−Δ1＝−1．15V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V−Δ2＝−1．3V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V−Δ3＝−1．45V，2．0秒≦TSでは−1．4V−Δ4＝−1．6Vというように、蓄積時間が長く、また周囲温度が高くなるほど、負電圧レベルが大きくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

各个邻近线路上的电感主导型串扰在图 11的下半部中演示，并且如附图标记 1107所示的，在各个邻近线路的电压电平中产生接近 0.3伏的负“下沉”； 如不加以抑制，这种串扰可能干扰同时沿该线路发送的传输信号。

各近傍線上に誘導されるインダクタンスに支配されたクロストークは図11の下半分に表され、参照符号1107により示されるように各近傍線の電圧レベルで約0．3ボルトの負の「くぼみ」を生じ、抑制されないままであると、このクロストークはその線に沿って同時に送信された送信信号と干渉する可能性がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在从时间 T6到时间 T7的时段期间 VSL 57的电压电平的改变因此大于预定阈值时，检测部分 27在步骤 S15为地址存储部分 28提供指示设为缺陷检测的目标的像素 (光电二极管 51-1)的位置的地址作为缺陷像素的地址，并且使得地址存储部分 28存储该地址。

このように、時刻T6乃至T7の期間の、VSL57における電圧レベルの変化が所定の閾値より大きい場合、ステップS15において、検出部27は、欠陥検出対象となっている画素（フォトダイオード51−1）の位置を示すアドレスを、欠陥画素のアドレスとして、アドレス記憶部28に供給し、記憶させる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在图 1及图 2所示的 TFT阵列基板 10上，添加上述数据线驱动电路 101，扫描线驱动电路 104等的驱动电路，也形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路，对多个数据线先于图像信号分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路，用于检查制造途中、负载时的该液晶装置 100的品质，缺陷等的检查电路等。

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、上述したデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集