「电压」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

图 10是描述从根据第四实施例的负电源 304D输出的输出电压 Vout(与模拟负电压 AVSSw相称 )的调整示例的图。

図10は、第4実施形態の負電源304Dから出力される負の出力電圧Vout （アナログ負電圧AVSSwに対応する）の調整例を説明する図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。

負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。

列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

如此，将电压供给至负载电路 150、DAC 170、和包括 ADC的列并行处理部分 160，作为根本不具有时间噪声的 DC偏置电压。 因而可以抑制在 A/D转换时间段期间由于噪声传播而造成的图像质量的劣化。

このため、時間的なノイズを全く含まないDCバイアス電圧として負荷回路150、DAC170、ADCを含む列並列処理部160に供給され、AD変換期間中のノイズの伝播による画質の劣化が抑制される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 12是表示向基于图 5所示的本发明实施方式 6的无源混频器的本振信号脉冲宽度缩小电路 LOPC供给的非反转同相 RF本振信号电压 LOI、反转同相 RF本振信号电压LOIB、非反转正交 RF本振信号电压 LOQ以及反转正交 RF本振信号电压 LOQB的波形，由本振信号脉冲宽度缩小电路LOPC生成的脉冲宽度变换输出非反转同相RF本振信号电压LOI_O、脉冲宽度变换输出反转同相 RF本振信号电压 LOIB_O、脉冲宽度变换输出非反转正交 RF本振信号电压 LOQ_O以及脉冲宽度变换输出反转正交 RF本振信号电压 LOQB_O的波形的图。

【図12】図12は、図5に示す本発明の実施の形態6による受動ミキサのローカル信号パルス幅縮小回路LOPCに供給される非反転同相RFローカル信号電圧LOIと反転同相RFローカル信号電圧LOIBと非反転直交RFローカル信号電圧LOQと反転直交RFローカル信号電圧LOQBの波形と、ローカル信号パルス幅縮小回路LOPCから生成されるパルス幅変換出力非反転同相RFローカル信号電圧LOI＿Oとパルス幅変換出力反転同相RFローカル信号電圧LOIB＿Oとパルス幅変換出力非反転直交RFローカル信号電圧LOQ＿Oとパルス幅変換出力反転直交RFローカル信号電圧LOQB＿Oの波形とを示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，将浮动扩散部 FD1、FD1′的复位电压分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出，将该复位电压通过信号处理电路 12保持。

この時、フローティングディフージョンFD1、FD1´のリセット電圧が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して出力され、このリセット電圧が信号処理回路12にて保持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。

実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

所得到的数据 d21到 d2n提供了叠加在基准信号上的电压信号 d41到 d4n，从而每个比特被指示为如图 3C所示的模拟电压值。

変換されたデータd21〜d2nは、そのまま、図3（c）に示したように、各ビットがアナログの電圧値として示されるように、リファレンス信号に重畳させた電圧信号d41〜d4nとされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

所得到的数据 d21到 d2m提供了叠加在基准信号上的电压信号 d41到 d4m，从而每个比特被指示为如图 4C所示的模拟电压值。

変換されたデータd21〜d2mは、そのまま、図4（c）に示したように、各ビットがアナログの電圧値として示されるように、リファレンス信号に重畳させた電圧信号d41〜d4mとされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在图 5A到 5C示出的示例中，例如，延长的区间 d36被布置为 紧接在命令被指示为如图 5C所示的模拟电压值的情况下的电压信号 d41到 d4n之后的基准信号。

このため、図5の例では、リファレンス信号として、例えば図5（c）に示すように、コマンドをアナログの電圧値として示した電圧信号d41〜d4nの直後に、延長区間d36を設けてある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 6A到 6C示出的示例中，例如，延长的区间 d36被布置为紧接在命令被指示为如图 6C所示的模拟电压值的情况下的电压信号 d41到 d4m之后的基准信号。

図6の例でも、リファレンス信号として、例えば図6（c）に示すように、コマンドをアナログの電圧値として示した電圧信号d41〜d4mの直後に、延長区間d36を設けてある。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，在通过信号线 206从主机控制单元 130输出“H”电平的控制信号的情况下，电压控制逻辑电路 122输出用于闭合电源开关 123的控制信号到电压开关 123。

例えば、「H」レベルの制御信号が信号線206を介してホスト制御部130から出力された場合には、電源制御論理回路122は、電源スイッチ123を閉じる制御信号を電源スイッチ123に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

预定电压 Vx被设置为一值，以使得斜坡信号和预定电压的相交产生与未调制参考信号频率接近 (或相同 )的输出频率。

所定電圧Vxは、ランプ信号と所定の電圧とが交差する点が、非変調基準信号の周波数に近く（又は同一に）なる出力周波数となるような値に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，如图 4B中所示的电压X(n)(也称为 Xn)的初始条件在被设置为 50mV时将产生的噪声剖面与在电压 X(n)的初始条件被设置为 55mV时相比较完全不同。

例えば、図4Bに示す電圧X（n）（Xnとも記す）の初期状態が50mVに設定される場合、電圧X（n）の初期状態が55mVに設定される場合と比較して、全く異なるノイズプロファイルを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

但是，也能够对漏极门 40施加电压这些值的一些中间值的电压，以至于仅将超过了所定的量的份的信号电荷向漏极 41转送传输。

しかしながら、ドレインゲート40に印加する電圧をこれらの中間の値とし、所定の量を越えた分の信号電荷だけをドレイン40に転送することも可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

为了由在图 21D的状态中转移的信号电荷 Qfg1获得入射光强度，即，亮度，有必要获得由电压 Vfg0和电压 Vfg1确定的电荷 Q1。

状態（d）で転送された信号電荷Qfg1から入射光強度、即ち明るさを得るには、電圧Vfg0および電圧Vfg1で決定する電荷Q1を得る必要がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

将栅极截止电压施加到电压输入端 Vin，并且将重置端 RE连接到通常最后布置的伪级 SRn+1的传输信号输出端 CRout。

電圧入力端子Vinにはゲートオフ電圧が印加され、リセット端子REは最終段に位置するダミーステージSRn＋1の伝達信号出力端子CRoutに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

电流 /电压转换部件可以被构造为，当电流信号被施加到运算放大器的倒相输入端子时输出与相关电流信号成比例的电压信号。

前記電流／電圧変換部は、演算増幅器の反転入力端に電流信号が印加されると、該当の電流信号に比例する電圧信号を出力するように構成されることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这种限制例如对于美国供电设备提供了 113V AC的开启电压而对于欧洲供电设备提供了 220V AC的开启电压，其分别代表 94%和 96%效率。

そのような制限が、例えば、米国での113VAC駆動電気器具およびヨーロッパでの220VAC駆動電気器具のオン電圧を与え、そのオン電圧は、それぞれ94％および96％の効率を表す。 - 中国語 特許翻訳例文集

注入到或抽出自环路滤波器 1537中的电容器的电流调整了由环路滤波器 1537输出的电压，这向 VCO1540提供了控制电压。

ループフィルタ1537中のキャパシタに注入された、またはそのキャパシタから引き出された電流は、VCO1540に制御電圧を供給するループフィルタ1537によって出力された電圧を調節する。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，基准电压驱动电路组 8内的某个基准电压驱动电路按照与行方向对应位置上所配置的数据传输电路相同定时的列选择信号进行工作。

つまり、基準電圧駆動回路群8内の或る基準電圧駆動回路は、行方向において対応する位置に配置されるデータ転送回路と同じタイミングの列選択信号に従って動作する。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压驱动电路组 8a包括在像素阵列 2的每 2列以与数据传输电路 18a一对一的关系配置的多个基准电压驱动电路 19a。

基準電圧駆動回路群8aは、画素アレイ2の2列毎に、データ転送回路18aと1対1の関係で配置される複数の基準電圧駆動回路19aで構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线Vref2的电位降低速度是传输 2位为 (0，1)时的特性 b与为 (1，0)时的特性 c的中间速度，因此基准电压线 Vref1的电位变化如特性 f所示。

基準電圧線Vref2の電位低下のスピードは、転送2ビットが（0，1）の場合の特性bと（1，0）の場合の特性cとの中間スピードとなるので、基準電圧線Vref1の電位変化は特性fに示すようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样地，基准电压线 Vref3的电位降低速度是传输 2位为 (1，0)时的特性 c与为 (1，1)时的特性 d的中间速度，因此基准电压线Vref3的电位变化如特性 g所示。

同様に、基準電圧線Vref3の電位低下のスピードは、転送2ビットが（1，0）の場合の特性cと（1，1）の場合の特性dとの中間スピードとなるので、基準電圧線Vref3の電位変化は特性gに示すようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压驱动电路组 8a包括在每列以与数据传输电路 18b一对一的关系配置的多个 (本例为 N个 )基准电压驱动电路 19a。

基準電圧駆動回路群8aは、列毎に、データ転送回路18bと1対1の関係で配置される複数（今の例ではN個）の基準電圧駆動回路19aで構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压驱动电路组 8b包括以与各列的数据传输电路 18c一对一的关系配置于行方向的 N个基准电压驱动电路 19b构成。

基準電圧駆動回路群8bは、各列のデータ転送回路18cと1対1の関係で、行方向に配置されるN個の基準電圧駆動回路19bで構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基准电压驱动电路 19b分别构成为例如图 14所示，按照来自列选择电路 5b的列选择信号，并行驱动 1条基准电压线 11b。

各基準電圧駆動回路19bは、それぞれ、例えば図14に示すように構成され、列選択回路5bからの列選択信号に従って、1本の基準電圧線11bを並列に駆動する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，在基准电压驱动电路 19b中，在列选择信号被输出且处于高电平的期间内，驱动基准电压线 Vref的 NMOS晶体管 30导通。

一方、基準電圧駆動回路19bでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vrefを駆動するNMOSトランジスタ30がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上，基准电压驱动电路 19b所驱动的基准电压线 Vref的电位取的是与传输 1位的 2值对应的数据线 10的电位的中间电位。

このように、基準電圧駆動回路19bが駆動する基準電圧線Vrefの電位は、転送1ビットの2値に対応したデータ線10の電位の中間電位を取るようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，电源装置 96生成数码复合机 100内的各种马达驱动用的电压 (例如 DC 24V)、或各主体控制部 9内的元件驱动用的电压 (例如，DC 5V、3.3V、1.8V等 )，并将其供应给各主体控制部 9等。

例えば、電源装置96は、複合機100内の各種モータ駆動用の電圧（例えば、DC24V）や、各本体制御部9内の素子駆動用の電圧（例えば、DC5Vや、3．3V、1．8V等）を生成し、各本体制御部9等に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

与该复位计数值的目标值及具有冗余性的计数值之间的复位计数时间相当的电压量，成为图 3所示的判定阈值电压余量。

このリセットカウントのターゲット値と冗長性を持たせたカウント値間の、リセットカウント時間分に相当する電圧分が、図3中に示す判定閾値電圧マージンとなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在时刻 t01～ t02之间，使参照电压 VREF的电压下降，以开始自动调零积分，通过自动调零来取得复位信号，取得比较器 108的基准电位。

続いて、時刻t01〜t02の間、参照電圧VREFを電圧降下させてオートゼロ積分を開始し、オートゼロによりリセット信号を取得し、コンパレータ108の基準電位を取得する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

5.根据权利要求 1的通信设备，其中，所述通信距离检测单元检测载波电压，并根据载波电压的检测结果来检测所述到通信介质的距离。

5. 前記通信距離検出部は、搬送波電圧を検出し、その検出結果に応じて前記通信媒体との距離を検出する請求項1記載の通信装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 5中，水平轴代表在通信设备 10和通信介质 30之间的距离，垂直轴代表载波电压和监控电压。

図5においては、横軸は、通信装置10と通信媒体30との間の距離を表し、縦軸は、搬送波電圧および監視電圧を表している。 - 中国語 特許翻訳例文集

在通信介质 30远离通信设备 10的情况下，由于将传输放大器 15的传输功率设置为最大值，并且监控电压高于参考电压 Vref，于是，比较器 53输出高电平信号。

通信装置10に対して通信媒体30が遠方の場合には、送信アンプ15の送信電力は最大に設定されていて、監視電圧は基準電圧Vrefよりも大きいので、比較器53は、ハイレベルの信号を出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在通信介质 30进一步接近通信设备 10时，相应地，监控电压就降到低于功率监控点的参考电压，反转比较器 53的输出，比较器 53输出低电平信号。

通信媒体30が通信装置10にさらに近づくことにより、監視電圧が低減して電力監視ポイントの基準電圧Vrefより低い電圧になると、比較器53の出力が反転し、ローレベルの信号を出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

利用功率控制电路 50并通过“或”电路向传输放大器 15提供两个固定电压和一个可变电压中的任何一个，从而使通信设备 10获得图 8所示的传输功率特性。

電力制御回路50が論理和回路を介して2つの固定電圧と1つの可変電圧とのいずれか1つを送信アンプ15に供給することにより、通信装置10は、図8に示したような送信電力特性となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 4(1)中所示，例如，相对于累积时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压Vout(负电压电平 )在 0秒≤ TS＜ 0.5秒时为 -1.0V，在 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V，在 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V，在 1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V，而在 2.0秒≤ TS时为 -1.4V。 因此，累积时间越长，负电压就越高。

たとえば図4（1）に示すように、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V，2．0秒≦TSでは−1．4Vというように、蓄積時間が長くなるほど負電圧レベルを大きくする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，当 0秒≤ TS＜ 0.5秒时相对于累计时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压 Vout(负电压电平 )为 -1.0V，当 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V-Δ1＝ -1.15V，当 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V-Δ2＝ -1.3V，当1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V-Δ3＝ -1.45V，且当 2.0秒≤ TS时为 -1.4V-Δ4＝ -1.6V。 因此，累积时间越长，或者周围温度越高，负电压就越高。

この場合、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V−Δ1＝−1．15V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V−Δ2＝−1．3V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V−Δ3＝−1．45V，2．0秒≦TSでは−1．4V−Δ4＝−1．6Vというように、蓄積時間が長く、また周囲温度が高くなるほど、負電圧レベルが大きくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变大于预定阈值，也就是说，当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间 T7改变，并且 VSL 57的电压电平的改变在时间 T6之后在时间 T7又大于预定阈值时，确定 FD 53具有缺陷。 处理进行到步骤 S15。

一方、ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化し、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から、所定の閾値より変化している場合、FD53に欠陥があるとされ、処理はステップS15に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在数据传输电路 18a与基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间内，同样地进行数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的放电，虽然电位会下降，然而根据各自的电路特性，数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化例如将成为图 7(4)所示那样。

データ転送回路18aと基準電圧駆動回路19aでも、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、同様に、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の放電が行われ、電位が低下するが、それぞれの回路特性から、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化は、例えば図7（4）に示すようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这就是说，一方面，如果通信设备 10进行传输而不控制传输功率，那么，在通信介质 30从图6中的曲线P0所示的某个特定距离上接近通信设备10的时候，它所接收的电压就会相应地增加。 在通信介质 30接近到超过通信介质 30的保护电路开始工作的距离的时候，接收的电压就上升到大于保护电路开始工作的电压 Vp。

すなわち、通信装置10が送信電力制御なしで送信している場合、図6に曲線P0で示したように、通信媒体30が遠くから通信装置10へ近づいていくと、それに応じて受信電圧も上がっていき、通信媒体30の保護回路が動作する距離を超えて近づくと、受信電圧は保護回路が動作する電圧Vpよりもさらに増加している。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过列放大器 205放大并输出读出到垂直输出线 204上的复位电平与基准电压 Vref 307之间的差。

そして、垂直出力線204に読み出されたリセットレベルと基準電圧Vref307との差分が列アンプ205にて増幅されて出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集