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「电子的」を含む例文一覧
該当件数 : 16件
我是株式会社大村电子的顾问高桥。
私、株式会社大村電子の顧問の高橋と申します。 - 中国語会話例文集
图 15是示出了在上面的实验中指明入射光强度的所产生的电子的总数和通过各个中间转移和最后的完全转移作为输出所转移的电子的数量之间的关系的图线；
【図15】前記実験での入射光強度を示す総発生電子数と、各中間転送および最後の完全転送で出力として転送された電子数の関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 15是示出了在上面的实验中表明了入射光强度的所产生的电子的总数量和在各个中间转移和最后的完全转移中作为输出转移的电子的数量之间的关系。
図15は、前記実験での入射光強度を示す総発生電子数と、各中間転送および最後の完全転送で出力として転送された電子数の関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 42是示出了在非专利文件 1中记载的相关技术中的入射光强度和输出电子的数量之间的关系的图线。
【図42】非特許文献1記載の従来技術での入射光強度と出力電子数の関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 9所示，当入射光的量固定时，在光电二极管 21中存储的电子的数量与曝光时间成比例地增加。
図9に示すように、フォトダイオード21の蓄積電子数は入射光量が一定の場合、露光時間に比例して増加する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在此情况下，在定时 T1、T2和 T3的供应电压将为从图 9中的存储电子的数量 Ne1、Ne2和 Ne3得到的电压 Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3。
この場合、タイミングT1,T2,T3での供給電圧は、図9における蓄積電子数Ne1，Ne2，Ne3から、電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3となる。 - 中国語 特許翻訳例文集
经由通信接口 524传输的软件和数据是信号的形式，这些信号可以是电子的、电磁的、光或能够被通信接口 524接收的其他信号。
通信インターフェース524を介して送信されたソフトウエア及びデータは、電気的、電磁的、光学的又は通信インターフェース524が受信し得るその他の信号の形式の信号である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在这样的实施中，通信接口 818发送和接收承载着代表多种类型信息的数字数据流的电子的、电磁的或者光学的信号。
このような実装の何れでも、通信インタフェース818は、さまざまなタイプの情報を表すデジタルデータ・ストリームを搬送する電気、電磁気、または光の信号を送信および受信する。 - 中国語 特許翻訳例文集
本地网络 822和因特网 828都利用承载数字数据流电子的、电磁的或者光学信号。
ローカルネットワーク822およびインターネット828は、両方とも、デジタルデータ・ストリームを搬送する電気、電磁気、または光の信号を使用する。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。
次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集
相应地，通过控制供应电压 Vtrg1、Vtrg3的间隔，可以控制中间转移的电子的数量和入射光强度之间的关系，即灵敏度。
このように、電圧Vtrg1，Vtrg3の供給の間隔を制御することで、入射光強度に対する中間転送の電子数の関係、つまり感度を制御することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在时段 t14，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，根据被转移电子的量的 FD区 26的电势被读出，作为信号电平，并且如果需要的话，使用在时段 t12读出的复位电平，在例如列电路 16中执行噪音消除处理。
期間t14では、選択パルスSELが“H”レベルになることによって転送された電子の量に応じたFD部26の電位を信号レベルとして読み出し、必要に応じて、期間t12で読み出したリセットレベルを用いて、例えばカラム回路16においてノイズキャンセル処理を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集
而当入射光强时 (图 34B)，因为已经被光电转换的电子的量大，所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg，光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势，并且被部分转移到垂直 CCD 33。
一方、入射光が強いとき（B）は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如，当 30帧 /秒时 1/30秒，当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs，则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。
例えば、毎秒30フレームであれば1／30秒、毎秒60フレームであれば1／60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，如图 11所示，当到第一次中间转移的曝光时间 (t31)为总曝光时间的 1/4，并且从第一次中间转移到第二次中间转移的曝光时间 (t35)为总曝光时间的 1/2时，在第一次转移中将被读出的电子的数量相对于入射光强度的灵敏度将为 1/4，这对于动态范围的扩展有贡献。
例えば、図11に示すように、最初の中間転送までの露光時間（t31）を全体の4分の1として、1回目の中間転送から2回目の中間転送までの露光時間（t35）を全体の2分の1とすると、1回目の転送では入射光強度に対する読み出し電子数の感度は4分の1となり、ダイナミックレンジ拡大に貢献する。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 14表示在从光电二极管 21的复位到完全转移的曝光时间为大致 16ms的情形中，在通过第一电压 Vtrg1的中间转移比光电二极管 21的复位迟 2ms执行时，在通过第二电压 Vtrg2的中间转移比光电二极管 21的复位迟 4ms执行时，在第三次中间转移比光电二极管 21的复位迟 12ms执行时，分别在光电二极管 21中保留的电子的数量。
図14では、フォトダイオード21のリセットから完全転送までの露光時間を約16msとして、最初の電圧Vtrg1による中間転送をフォトダイオード21のリセットから2ms後、2回目の電圧Vtrg2による中間転送を4ms後、3回目の中間転送を12ms後に実行した場合の、フォトダイオード21に残っている電子数を表している。 - 中国語 特許翻訳例文集
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