「直列接続」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

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「直列接続」を含む例文一覧

該当件数 : 17



即ち、配線76aは、そのグループ内のLEDチップ71を直列接続する。

即,布线 76a将每组的 LED芯片 71串联起来。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25,26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且,所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27,28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33,34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35,36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40,41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且,所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25,26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且,所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30,31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且,所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4DはY型カプラ441を示し、その2つが直列接続されて調整可能カプラ434を実装することができる。

图 4D示出了 Y-耦合器 441,可以串联两个 Y-耦合器以实现可调耦合器 434。 - 中国語 特許翻訳例文集

この問題に取り組むため、図14に示されているように、外挿部の直列接続は、図8に示す例から独立して示されている。

为了解决此问题,如图 14所示使用外推器的级联,其与图 8所示的示例是隔离的。 - 中国語 特許翻訳例文集


図21において、基準電圧駆動回路群8dは、基準電圧線Vref1を駆動するために電源77との間に直列接続されたPMOSトランジスタ75,76と、基準電圧線Vref3を駆動するためにグランドとの間に直列接続されたNMOSトランジスタ78,79とを備えている。

图 21中,基准电压驱动电路组 8d具有用于驱动基准电压线 Vref1而串联连接于与电源 77之间的 PMOS晶体管 75、76、为了驱动基准电压线 Vref3而串联连接于与电路接地端之间的 NMOS晶体管 78、79。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1,Vref2,Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30,31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33,34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35,36とで構成されている。

各基准电压驱动电路 19a为相同构成,如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3,则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3A及び図3Bに図示するように、ループ電流(IL又はIループ)は、プロセス機器12に電気的に直列接続される無線アダプター30を通って流れる。

如图 3A和 3B所示,环路电流 (IL或 ILoop)流经以电的方式与过程设备 12串联的无线适配器 30。 - 中国語 特許翻訳例文集

各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40,41で構成されている。

各控制信号驱动电路 20为相同构成,包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。 - 中国語 特許翻訳例文集

図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25,26で構成されている。

图 13中,各数据传输电路 18b构成都相同,包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30,31で構成されている。

图 14中,各基准电压驱动电路 19b的构成相同,包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。 - 中国語 特許翻訳例文集

各ディスプレイデバイス1は、隣接するディスプレイデバイス(または、1つまたは複数の入力部9もしくはシステム制御部7、これらのうちのいずれかはディスプレイデバイス1と直列接続されたチェーンの中のいずれかに接続することができる)とのみ電気通信を要求し、システム制御および電力供給装置7からの電気信号パスと、各ディスプレイデバイス1および対応するケーブル5を介して各ディスプレイデバイス1まで延びる入力部9とを備える。

每个显示装置 1要求仅与相邻显示装置 (或输入单元 9或系统控制单元 7,它们均可连接在串联的显示装置 1的链的任意处 )电子通信,只要电信号路径从系统控制和供电单元 7和输入单元 9通过相应显示装置 1和附属的电缆 5沿伸到每一显示装置 1即可。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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