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「相器」を含む例文一覧

該当件数 : 58



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例えば、基本的なオン/オフキーイングが使用される場合には、位シフタ436は約50%のパワー出力に設定され、又は変調が制御信号106の「オフ」状態に対応する状態のときに最小光パワー出力が得られるような設定を達成するように設定される。

例如,如果使用基本的开 /关键控 (on/off keying),则设置移相器 436以实现约 50%的功率输出,或者将其设置为使得当调制器处于与控制信号 106的“关”状态相对应的状态时获得最小光功率输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

周期的駆動信号、例えば、制御信号106を介して位シフタ464に適用される疑似ランダムビットシーケンス(PRBS)は、例えば、図5Bの両方向矢印で示されるような対応する周期的態様において共振の櫛(comb)をスペクトル的に移動させる効果を持つ。

周期性驱动信号 (例如,经由控制信号 106施加至移相器 464的伪随机比特序列 (PRBS))具有按照相应的周期性方式在光谱上移动谐振梳齿的效果,例如由图 5B中的双向箭头所示。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、電気−光位シフタ1164が、屈折率が比較的狭い範囲内で調整されることを可能とする技術(例えば、キャリアが枯渇したSi導波路技術)において実施される場合、MZIアーム1130a−bの各々に対して追加の光共振を用いることは有益である。

对于每一 MZI臂 1130a-b使用额外的光学谐振腔是有益的,例如在按照能够在相对较窄的范围内调谐折射率的技术 (例如载流子耗尽 Si波导技术 )来实现电光移相器 1164时。 - 中国語 特許翻訳例文集

導波路ループ462の所与の物理長について、帯域幅制限の程度は、残留分散の量及び他の伝送リンクインピーダンス等の伝送リンク状態の所与の設定について変調性能が最適となるように熱−光カプラ434及び/又は位シフタ464で制御可能に調整できる。

对于波导回路 462的给定物理长度,可以利用热光耦合器 434和 /或移相器 464可控地调节带宽限制的程度,以针对一组给定的传输链路条件 (例如残余色散量或者其他传输链路障碍 )来优化调制器性能。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、電気−光位シフタ1164の各々は対応の共振1160の選択された共振の最小値に比較的近接して動作するように構成されることができ、ここで、その位シフトする能力(即ち、単位電圧変化あたりの位変化)は適度に強化され、有利なことに大きな値を有する。

此外,每一个电光移相器 1164可以被配置为在与相应谐振腔 1160的选定谐振的最小值相对接近地操作,在所述最小值处其相移能力 (即每单位电压变化的相位变化 )谐振地增强,并且有利地具有较大值。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の実施形態では、本装置は、上記少なくとも1つのベースバンド変調に動作可能に接続された、上記2つの信号を合成するより前に上記信号間でπ/2位シフトを与えるための位シフタをさらに備え、上記少なくとも1つのベースバンド変調は、I軸上のBPSKベースバンド変調と、Q軸上のBPSKベースバンド変調とを備える。

在另一实施例中,所述装置还包括移相器,可操作地连接到所述至少一个基带调制器以在将所述两个信号组合前提供所述两个信号间的π/2相移,并且所述至少一个基带调制器包括 I轴上的 BPSK基带调制器和 Q轴上的 BPSK基带调制器。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路45a,45b,45cは、それぞれ、2つのCMOSインバータを並列接続し、互いの入力端と出力側とを接続し、一方の交差接続端を正内部ノードD1,D2,D3とし、他方の交差接続端を逆内部ノード/D1,/D2,/D3とした構成であり、正内部ノードD1,D2,D3が信号処理回路7への出力端となっている。

差动放大电路 45a、45b、45c分别并联连接 2个 CMOS反相器,构成为将彼此的输入端与输出端连接起来,将一个交叉连接端作为正相内部节点 D1、D2、D3,将另一个交叉连接端作为反相内部节点 /D1、/D2、/D3,正相内部节点 D1、D2、D3作为对于信号处理电路 7的输出端。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路45は、2つのCMOSインバータを並列接続し、互いの入力端と出力側とを接続し、一方の交差接続端を正内部ノードDとし、他方の交差接続端を逆内部ノード/Dとした構成であり、正内部ノードDが信号処理回路7への出力端である。

差动放大电路 45的构成为,并联连接 2个 CMOS反相器,将彼此的输入端与输出侧连接起来,将一个交叉连接端作为正相内部节点 D,将另一个交叉连接端作为反相内部节点/D,正相内部节点 D是对于信号处理电路 7的输出端。 - 中国語 特許翻訳例文集

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