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「硼タングステン酸」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。
采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端,并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
上記の例では、予測対象ブロック502の動きベクトル602を参照フレーム番号により指示される参照画像上にスケーリングすることにより、テンプレートマッチングの探索領域を設定しているが、探索領域の設定方法はこの手法には限定されない。
在上述例子中,在由参照帧编号指示的参照图像上对预测对象块 502的运动矢量602进行定标,由此,设定模板匹配的搜索区域,但是,搜索区域的设定方法不限于该手法。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。
采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端,并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。
采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端,并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集
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