「窒化モリブデン」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

メモリカード制御部106からメモリ制御部206に対する論理制御データは、ミリ波信号に変換され、ミリ波信号は伝送路結合部108，208間を誘電体伝送路9Aを介して伝送する。

将从存储卡控制部分 106到存储控制部分 206的逻辑控制数据转换为毫米波信号，并且经由介质传输线 9A在传输线耦合部分 108和 208之间传输毫米波信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

実例として、限定されず、不揮発性メモリは、読み取り専用メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気プログラマブルROM（EPROM）、電気消去可能プログラマブルROM（EEPROM）またはフラッシュメモリを含むことができる。

借助于说明且非限制，非易失性存储器可包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 ROM(EEPROM)或快闪存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

一例として、及び限定することなしに、非揮発性メモリは、読み取り専用メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能プログラマブルPROM（EEPROM）、又はフラッシュメモリを含むことができる。

举例而言，而不用于限制，非易失性存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

電気コンポーネント504および506はメモリ508の外部にあるように図示されているが、メモリ508内部にあってもよいことを理解されたい。

尽管示出为在存储器 508的外部，但是应该理解，电子组件 504和 506也可以存在于存储器508的内部。 - 中国語 特許翻訳例文集

限定ではなく一例として、不揮発性メモリは、リードオンリーメモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能なPRROM（EEPROM）、またはフラッシュメモリを含むことができる。

作为举例说明而非限制，非易失性存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

一例として、及び限定することなしに、非揮発性メモリは、読み取り専用メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、又はフラッシュメモリを含むことができる。

作为解说而不构成限定，非易失性存储器可包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

限定ではなく例として、不揮発性メモリは、読取り専用メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、またはフラッシュメモリを含むことができる。

以说明而非限制的方式，非易失性存储器可包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或快闪存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

DSP回路303、フレームメモリ304、表示部305、記録部306、操作部307、電源部308、およびCPU309は、バスライン310を介して相互に接続されている。

DSP电路 303、帧存储器 304、显示部 305、记录部 306、操作部 307、电源部 308以及 CPU 309通过总线线路 310彼此连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例証的かつ非制限的に、不揮発性メモリは、リード・オンリー・メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的プログラム可能ROM（EPROM）、電気的消去可能ROM（EEPROM）またはフラッシュメモリを含むことができる。

举例而言，而非限制性地，非易失性存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或者闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

代替として、メモリユニット301は、EEPROM（電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ）、EPROM（電気プログラマブル読取り専用メモリ）、ROM（読取り専用メモリ）、ASIC（特定用途向け集積回路）、磁気ディスク（たとえば、フロッピーディスク）、光ディスク（たとえば、CD−ROMまたはDVD−ROM）、メモリカード、フラッシュメモリおよび当技術分野でよく知られている他のものなど、他の回路タイプを備えることができ得る。

作为一种替代方式，存储器单元 301可以包括其他电路类型，诸如EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘 (例如软盘 )、光盘 (例如 CD-ROM或者 DVD-ROM)、存储卡、快闪存储器和本领域中公知的其他类型。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示としてであり、制限するものではないが、不揮発性メモリは、リード・オンリー・メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的にプログラム可能なROM（EPROM）、電気的消去可能ROM（EEPROM）またはフラッシュメモリを含むことができる。

(ROM)、 可 编 程 ROM(PROM)、 电 可 编 程 ROM(EPROM)、 电 可 擦 除PROM(EEPROM)或者闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1の例では、メモリCCD30における素子の数は38個であるため、38回分の撮像動作により光電変換部20で得られた信号電荷をメモリCCD30中に蓄積することができる。

在图 1的例子中，CCD存储器 30中的元件的个数为 38个，所以在 CCD存储器 30中能够积蓄通过 38次份的摄像动作能够将用光电转换部 20得到的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

CCDメモリ402において、光電変換部401で発生した信号電荷を、図中に示された矢印の方向に順次転送する構成とすれば、このCCDメモリ402は、8つの信号電荷を一時的に記憶することができる。

就 CCD存储器402而言，只要采用将在光电转换部 401发生的信号电荷、向图中所示的箭头的方向依次传输的结构，该 CCD存储器 402就能够暂时存储 8个信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、様々なタイプのプロセッサによって読み取り可能な媒体、例えば、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み取り専用メモリ（ROM）、非揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読み取り専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気記憶装置、光学記憶装置、レジスタ、等、を意味することができる。

术语存储器可指代各种类型的处理器可读媒体，例如随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储装置、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み出し専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。

术语存储器可以指代各种处理器可读介质，例如，随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、5つの光電子変換器111−1115が、メモリモジュール103に電子的に結合され、部分反射ミラー121−125が、光信号106−108の各々の一部の進路を変えて対応する光電子変換器111−115へと送る。

例如，五个光电子转换器111-115电子耦合到存储器模块 103，并且部分反射镜 121-125将光学信号 106-108中每一个的一部分转向到对应光电子转换器111-115。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施形態のスロット構造4Aは、図1に示すように、電子機器101A側の信号生成部107および伝送路結合部108とメモリカード201A側の信号生成部207および伝送路結合部208と、ミリ波信号伝送路9（誘電体伝送路9A）に寄与する。

如图 1所示，根据第一实施例的槽结构 4A有助于 (contribute to)电子装置 101A侧的信号产生部分 107和传输线耦合部分 108、存储卡 201A侧的信号产生部分 207和传输线耦合部分 208，以及毫米波信号传输线 9(介质传输线 9A)。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、メモリCCD30は各画素毎に設けられおり、メモリCCD30に蓄積された信号電荷は、同一の光電変換部20から異なる撮像タイミングで得られたものとなる。

另外，各个像素均设置有 CCD存储器 30，在 CCD存储器 30中积蓄了的信号电荷，即为用同一的光电转换部 20在不同的摄像定时得到的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

部分反射ミラー（partially reflective mirror：部分的に反射するミラー）は、光信号106−110の一部を、メモリモジュール102−105に電子的に結合された対応する光電子変換器に向けて送る。

部分反射镜将光学信号 106-110的部分转向到电子耦合到存储器模块 102-105的对应光电子转换器。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、2サイクル目の撮像動作を行い、ここで得られた各信号電荷を、CCDメモリ30の各転送段に注入し、蓄積されていた電荷（信号電荷）に加算された積分信号電荷を改めてCCDメモリ30の各転送段で新たに蓄積する（蓄積ステップ）。

接着，实行第二个循环的摄像动作，将由此得到的各个信号电荷向 CCD存储器 30的各个传输段注入，将增加有积蓄了的电荷 (信号电荷 )的积分信号电荷再在 CCD存储器 30的各个传输段重新积蓄 (积蓄步骤 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

処理デバイス22は、携帯電話4の動作を実行するために、制御回路20内の（不図示の）メモリにおよび／またはメモリ16等の分離メモリに格納されたコードを実行する。

处理装置 22执行存储在控制电路 20内的存储器 (未示出 )和 /或单独的存储器 (例如，存储器 16)中的代码，以实现移动电话 4的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

结果，通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174，可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

因此，通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中，可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1において、電子カメラ1は、撮影光学系11と、撮像素子12と、画像処理部13と、バッファメモリ14と、表示部材15と、CPU16と、フラッシュメモリ17と、カードインターフェース(I/F)18と、操作部材19とを備える。

在图 1中，电子相机 1具有摄影光学系统 11、摄像元件 12、图像处理部 13、缓冲存储器 14、显示部件 15、CPU16、闪存 17、卡接口 (I/F)18和操作部件19。 - 中国語 特許翻訳例文集

代替案として、メモリ910は、EEPROM（電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)）、EPROM（電気的プログラマブルリードオンリーメモリ(Electrical Programmable Read Only Memory)）、ROM（リードオンリーメモリ(Read Only Memory)）、ASIC（特定用途向け集積回路）、磁気ディスク、光ディスク、それらの組合せ、当技術分野においてよく知られている他のものなど他の回路タイプから成ることができる。

作为替代，存储器 910可由其它电路类型构成，例如 EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘、光盘、其组合，以及此项技术中众所周知的其它电路类型。 - 中国語 特許翻訳例文集

筺体190には、メモリカード201Aが開口部192に挿入されたときに、凹形状構成298Jの位置に対応する部分に、誘電体伝送路9Jの一部を構成するように凸形状構成198Jが形成されている。

外壳 190具有凸出形状配置 198J，形成所述凸出形状配置 198J以便当存储卡201J插入开口部分192中时，在与凹陷形状配置298J对应的部分中构成一部分介质传输线9J。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、電子機器101Aにおいては、凸形状構成198Aの部分に伝送路結合部108（特にアンテナ結合部）が配置され、メモリカード201Aにおいては、凹形状構成298Aの部分に伝送路結合部208（特にアンテナ結合部）が配置されるようにしている。

即，在电子装置 101A中的凸出形状配置 198A的部分中放置传输线耦合部分108(特别地，天线耦合部分 )，并且在存储卡 201A的凹陷形状配置 298A的部分中放置传输线耦合部分 208(特别地，天线耦合部分 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

限定ではなく例によって、非揮発性メモリは読み取り専用メモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、EPROM（EPROM）、電気的に消去可能なPRROM（EEPROM）あるいはフラッシュメモリを含むことができる。

通过举例说明而非限制性地，非易失存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程 ROM(EEPROM)或闪速存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換部601で得られた信号電荷は、CCDメモリ602中を下側に転送され、垂直CCD603、水平CCD604を介し、出力部605で電気信号に変換されて読み出される。

将在光电转换部 601得到的信号电荷，在 CCD存储器中向下侧传输，通过垂直 CCD603和水平 CCD604，用输出部 605转换为电信号后读出。 - 中国語 特許翻訳例文集

この信号電荷をメモリCCD30内で1段転送した後に、次の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号電荷を、新たに入力転送段31に転送する。

在将该信号电荷在 CCD存储器 30内一段传输后，将在下一次的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷重新向输入传输段 31传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、「プロセッサ」の用語は、例えばレジスタ及び／又はメモリなどからの電子データを処理し、その電子データを例えばレジスタ及び／又はメモリなどの中に記憶されればよい他の電子データに変換する任意のデバイスまたはデバイスの部分を指すものであればよい。

以类似的方式，术语“处理器”可指处理例如来自寄存器和 /或存储器的电子数据以将该电子数据变换成例如可被存储于寄存器和 /或存储器中的其它电子数据的任何设备或设备的一部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

送受信制御部21は、電気／光変換部31、インタフェース部32、フォーマット変換部33、ベースバンド処理部34、クロック回路35、制御部36、スイッチ37、メモリ38aおよび38bを有している。

发送和接收控制部件 21包括电光转换部件 31、接口部件 32、格式转换部件 33、基带处理部件 34、时钟电路 35、控制部件 36、开关 37和存储器 38a、38b。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、合成画像メモリ32をフレームメモリ31や参照画像メモリ33と共有化して記憶部3をDRAM等の1つの大容量メモリで構成するような場合は、画像合成や符号化の処理において発生するメモリアクセスが1つのメモリに集中することになり、高速な大容量のDRAMを備える必要があり、小型化と省電力化の実現が困難であった。

另外，在帧存储器 31和参考图像存储器 33共用合成图像存储器 32，使用 DRAM等一个大容量存储器构成存储部 3的情况下，图像合成和编码的处理中产生的存储器访问集中到一个存储器，因此需要具备高速的大容量DRAM，小型化和省电化的实现较为困难。 - 中国語 特許翻訳例文集

筺体190には、メモリカード201Aが開口部192に挿入されたときに、凹形状構成298Aの位置に対応する部分に、誘電体伝送路9Aを構成するように凸形状構成198Aが形成されている。

外壳190具有凸出形状配置198A，其被形成为使得当将存储卡201A插入开口部分192时，在与凹陷形状配置 298A的位置对应的部分中组成介质传输线 9A。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ220は、1または複数の電気、磁気、または光メモリ（たとえばランダム・アクセス・メモリ（RAM）、キャッシュ、ハード・ドライブ、または他のメモリ・デバイス）を含む揮発性および不揮発性のデータ記憶装置を含んでいても良い。

存储器 220可以包括易失性和非易失性数据存储装置，包括一个或多个电存储器、磁存储器或光存储器，诸如随机存取存储器 (RAM)、高速缓冲存储器、硬盘驱动或其他存储器设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（RAM）、同期ダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）、読取り専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。

计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体，例如随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（RAM）、シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ（SDRAM）、読取り専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。

计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体，例如，随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、メモリ(310)の受動部分および/またはリモートメモリから、地理的位置に関連する連絡先情報312をモバイル装置メモリ310(例えば、電話帳アプリケーションの連絡先リスト)内にアップロードして戻すことができる。

因此，可将与地理位置相关联的联系人信息 312从存储器(310)的无源部分和 /或从远程存储器上载回到移动装置存储器 310中 (例如，电话簿应用程序的联系人列表中 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェア・モジュールは、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読込専用メモリ（ROM）、プログラマブル読込専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読込専用メモリ（EPROM）、電子消去可能プログラマブル読込専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、コンパクト・ディスク読込専用メモリ（CD−ROM）、あるいは当該技術分野において周知のその他任意の形態の記憶媒体に存在しうる。

软件模块可驻留于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式盘、压缩光盘只读存储器 (CD-ROM)或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子機器101Aのスロット構造4A（特に開口部192）にメモリカード201Aが挿入されたときの構造例（断面透視）が図9（3）に示されている。

图 12C示出了当将存储卡 201A插入电子装置 101A的槽结构 4A(特别地，开口部分 192)时的结构示例 (截面透视图 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子機器101Jのスロット構造4J（特に開口部192）にメモリカード201Jが挿入されたときの構造例（断面透視）が図13（3）に示されている。

在图 16C中示出了当在电子装置 101J的槽结构 4J(特别地，开口部分 192)中插入存储卡 201J时的结构示例 (截面透视图 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

上書きモードにおいては、前記の通りに、CCDメモリ30内の38個の転送段が38回分の撮像タイミングの信号電荷を記憶する。

就覆盖模式而言，如上所述，CCD存储器 30内的 38个的传输段存储 38次份的摄像定时的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子機器101Bのスロット構造4（特に開口部192）にメモリカード201Bが挿入されたときの構造例（断面透視）が図13（3）に示されている。

图 13C示出当存储卡 201B插入电子设备101B的插槽结构 4(具体是开口 192)中时的结构示例 (剖视图 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

分散型サブシステム10に自律的メモリ装置102を使用して直線的サーチを遂行することは、メモリ装置102のアレイのコスト、並びに熱管理及び電力制約によって限定される。

使用在分布式子系统 10中的自主存储器装置 102来执行线性搜索将受存储器装置 102阵列的成本以及热管理和功率约束的限制。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ1010の外部にあるものとして示されているが、電気コンポーネント1004、1006、および1008の1つまたは複数は、メモリ1010の内部に存在することができることを理解されたい。

虽然展示为在存储器 1010外部，但应理解，电组件 1004、1006和 1008中的一者或一者以上可存在于存储器 1010内。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、1週間の満了時に、モバイル連絡先管理機器200は、顧客サービス電話番号を保存することができる(例えば、顧客サービス電話番号を連絡先リストから除去し、顧客サービス電話番号をリモートサーバのリモートメモリ、またはアクティブな連絡先リストの部分として表示されないモバイル装置上のメモリの一部の中に格納するなど)。

因此，在一周过期之后，移动联系人管理设备 200可即刻将客户服务电话号码归档 (例如，将其从联系人列表移除并将其存储在远程服务器处的远程存储器中，或移动装置上存储器的未作为现用联系人列表的部分而显示的一部分中，或其类似物中 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、所定の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号電荷を、入力ゲート21を介してメモリCCD30中の入力転送段31に転送する。

首先，将在规定的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷，通过输入门 21向 CCD存储器 30中的输入传输段 31传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、プログラマブル読取り専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EPROM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（CD−ROM）、または当技術で知られている記憶媒体の他の任意の形式に存在し得る。

软件模块可驻存于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図示を省略しているが、図1における光電変換部20以外の領域、特に、CCDメモリ30、垂直CCD50、水平CCD60には、光電変換部20で得られた信号電荷以外の電荷が混入しない構成とすることが好ましい。

另外，虽然省略了图示，但是在图 1中光电转换部 20以外的区域，特别是在 CCD存储器 30、垂直 CCD50、水平 CCD60，优选采用不会混入用光电转换部 20得到的信号电荷以外的电荷的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Zの接続端子280と対応するように、電子機器101Zには、接続端子280と接続される接続部180（コネクタ）が設けられる。

电子装置 101Z具有要连接到存储卡201Z的连接端子 280的连接部分 180(连接器 )，以便与连接端子 280对应。 - 中国語 特許翻訳例文集