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「管」を含む例文一覧
該当件数 : 6658件
在图 4中,在沿列方向相互邻接的 3个像素 PX中,通过在半导体基板 SB2上形成扩散层 DF2而构成光电二极管 PD2、PD2′、PD2″。
図4において、カラム方向に互いに隣接する3個の画素PXでは、半導体基板SB2に拡散層DF2が形成されることでフォトダイオードPD2、PD2´、PD2´´が構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
光通信单元 12A包括作为发光单元的发光元件(如,激光二极管 (LD)),并输出已经根据从 A/D转换器 11A输出的电信号而调制的光信号。
光通信部12Aは、発光部としてレーザダイオード(LD)等の発光素子を有し、A/D変換部11Aから出力される電気信号に基づき変調した光信号を出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
光电二极管 (PD)106,其将光转换为电力 (信号电荷 ); FD放大器 107,其放大电信号;
画素100は、光を電気(信号電荷)に変換するフォトダイオード(PD)106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ(Tr)108を備える。 - 中国語 特許翻訳例文集
就这点而言,尽管外围系统 120显示为与用户接口系统 130分离,外围系统 120也可以作为一部分包括在用户接口系统 130内。
これに関して、周辺システム120がユーザインターフェースシステム130から離れて示されているが、周辺システム120はユーザインターフェースシステム130の一部として含まれ得る。 - 中国語 特許翻訳例文集
这出现在当短时间中缺陷增长在光电二极管 51-1中出现、并且超过正常传送到 FD 53的电荷量的电荷量传送到 FD 53时。
これは、フォトダイオード51−1において短時間で成長する欠陥が生じて、本来FD53に転送される電荷量を超えた電荷量がFD53に転送されることで発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在第一示例性实施例中,通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。
第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管上述处理与 DVR 102相关联,但是该方法也可以由任何其他的可以执行该步骤的装置执行,如 DVR 104、PC 101A或者便携式装置 101B。
上記の処理がDVR 102に関して記載されているが、その方法は、このようなステップ(例えば、DVR104、PC101Aまたは携帯機器101B)を実行できる、その他のデバイスによって実行させてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在 OLT设备 2中停止了对目标 ONU设备 1的用于 OAM信息的信道的监控的时间段期间,OLT设备 2不管来自目标 ONU设备 1的定期 OAM信息的缺失,而不中断通信。
OLT装置2において、当該対象のONU装置1のOAM情報用通信路の監視が停止している間、OLT装置2は、当該対象のONU装置1からの周期的なOAM情報がなくても、通信断にはしない。 - 中国語 特許翻訳例文集
该摄像元件102通过构成像素的光电二极管来接收通过镜头 1010而会聚的光并进行光电转换,从而将光量作为电荷量输出给模拟处理部 103。
この撮像素子102は、レンズ1010により集光された光を、画素を構成するフォトダイオードで受光して光電変換することで、光の量を電荷量としてアナログ処理部103へ出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6与图 7的方案之间的一个差异在于图 6的方案为以发射为中心的,其中每一发射脉冲标记其自身样本,而不管任何其它脉冲。
図6のスキームと図7のスキームとの間の1つの違いは、図6のスキームは、送信中心であることであり、ここで、各送信パルスは、他の何らかのパルスにかかわらず、それ自体のサンプルをマークする。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一个实施例中,收发器 10是包括 LED(发光二极管或半导体激光器 )和 PD(光电检测器 )的片上芯片收发器。
一実施形態において、送受信機10は、LED(発光ダイオードまたはレーザダイオード)およびPD(光検出器)を搭載したチップオンチップの送受信機である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在使用在捕获图像 343中包括的人作为基准的情况下,尽管捕获图像 343在纵向上长,但是构成合成图像的每个合成目标图像的尺寸也在纵向上长。
また、撮像画像343に含まれる人物を基準とする場合に撮像画像343は縦長であり、合成画像を構成する各合成対象画像のサイズも縦長である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前,所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。
なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている(図15(A)〜(C),図16(A)〜(C))。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外,尽管在上述说明中偏移信息被添加至 2D显示用字幕数据并被提供,但是偏移信息可预先存储在图像处理装置 10(50)内的存储单元 (未示出 )。
さらに、上述した説明では、オフセット情報は、2D表示用の字幕データに付加されて供給されるようにしたが、画像処理装置10(50)内の図示せぬ記憶部に予め記憶されているようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管在前述图 13A、图 13B、图 14A和图 14B中描述了设定的进深 D与进深程度信息 d成比例的示例,但是本发明并非局限于此。
上述の図13および図14では、設定される奥行Dが深度情報dに比例する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。 - 中国語 特許翻訳例文集
要注意的是,尽管在图 11的例子中,未关于 BUFS和 ISCR说明任何特定值,不过实际上类似于 TTO,向 ISSY分配预定值。
なお、図11の例では、BUFS,ISCRについては、具体的な値は記述していないが、実際には、これらのISSYについてもTTOと同様に所定の値が割り当てられている。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外,就第三实施例来说,尽管凸块 45并不朝着下壳体 2凸出,不过接触突出部分41能够经由反冲部件 46被凸块 45挤压。 因此,凸块 45并不朝着下壳体 2凸出。
また、この第3の実施例の場合、上記突出ブロック45を下筐体2側に突出させなくても、突出ブロック45で上記キック部材46を介して当接突出部41を押圧することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如,LED(发光二极管 )布置在成像装置 100的侧面作为该通知单元,并且可以允许 LED在 GPS模块 120的控制下发光。
この通知部として、例えば、撮像装置100の側面にLED(Light Emitting Diode)を設け、GPSモジュール120からの制御に基づいて、そのLEDを発光させることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
闪速 ROM 232存储控制软件和数据以及从应用程序服务器 12上适当下载的应用程序。
フラッシュROM232は、制御ソフトウェアの格納およびデータの保管を行う他、アプリケーションサーバ12から適宜ダウンロードしたアプリケーションを格納する。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管在图 34所示的数据结构示例中,每一个字节都具有带符号的值,但是本发明不限于这种示例,而是每一个字节都可以具有无符号的值。
図34に示したデータ構成例では、各バイトは符号付きの値であるとしたが、本発明はかかる例に限定されず、各バイトは符号無しの値をとることも出来る。 - 中国語 特許翻訳例文集
这样,尽管多个用户终端具有潜在不同的传播延迟,但来自这多个用户终端的后继上行链路(UL)传输可同时被AP所接收。
このようにして、複数のユーザ端末が潜在的に異なる伝搬遅延を有するにもかかわらず、複数のユーザ端末からの後続のアップリンク(UL)送信をAPによって同時に受信することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
会话创建单元 830、状态状况单元 835、以及会话拆毁单元 840可以是会话管理器 845的一部分。
セッション作成ユニット830、状態ステータスユニット835、及びセッションティアダウンユニット840は、セッションマネージャ845の一部であってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管一些图包括通信路径上的箭头来示出主通信方向,但应该理解,通信可发生在与描绘的箭头相反的方向上。
線図のうちのいくつかには通信路上に情報伝達の主方向矢印が含まれてはいるが、描かれている矢印に対して逆方向に通信が行われてもよいことを理解されたい。 - 中国語 特許翻訳例文集
应该理解,尽管为了便于说明和讨论,利用各种单独定义的元件在图 1和图 2中例示了示例性系统,但本发明不限于此。
例示及び解説を容易にするために、別々に定義された種々の要素と共に例示のシステムを図1及び図2に示したが、本発明はこれに限定されるものではないことを理解されたい。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如,术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构,其形成于半导体上。
例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一个实施方式中,照明源 116包括一个或多个发光二极管 (LED)和 /或冷阴极荧光灯 (CCFL),并且可以包括一个或多个彩光或白光。
一実施形態では、光源116は、1以上の発光ダイオード(LED)および/または冷陰極蛍光ランプ(CCFL)を含み、1以上のカラー光または白色光を含んでよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管描绘为与处理器 606分离,但应了解,封装模块610、解码模块 612、解调器 604和 /或调制器 614可为处理器 606或多个处理器 (未图示 )的一部分。
プロセッサ606と別に示されているが、パッケージ・モジュール610、復号モジュール612、復調器604、および/または、変調器614は、プロセッサ606または複数のプロセッサ(図示せず)のうちの一部でありうることが認識されるべきである。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管图 5显示每一 MAC包一个应用层数据包,但有可能将多个应用层数据包并入到一个 MAC包的有效负载中。
図5は、各MACパケットにつき、1つのアプリケーション層のデータパケットを示しているが、1つのMACパケットのペイロードに、複数のアプリケーション層のデータパケットを組み込むことも可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管以下揭示内容的若干部分将描述也支持 MIMO技术的接入终端,但接入点 110也可经配置以支持不支持 MIMO技术的接入终端。
下記の開示部分は、MIMO技術もサポートするアクセス端末を説明しているが、アクセスポイント110は、MIMO技術をサポートしないアクセス端末をサポートするようにも構成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管图 2对于每一 MAC包 210展示一个应用层数据包 208,但也可将多个应用层数据包并入到一个 MAC包的有效负载中。
図2は、MACパケット210当たり1つのアプリケーションレイヤデータパケット208を示しているが、1つのMACパケットのペイロード中に複数のアプリケーションレイヤデータパケットを組み込む可能性もある。 - 中国語 特許翻訳例文集
从老集群向新集群的控制转移可通过将连通性从老集群故障转移到新集群来执行。
古いクラスタから新しいクラスタへ接続性をフェイルオーバすることにより、古いクラスタから新しいクラスタへの移管を行うことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
一旦由入射到光敏二极管 PD0、PD1、PD2的光生成的电荷被传送至相应的电荷存储元件 F0、F1、F2,其以普遍已知的方式被放大并读出。
いったんフォトダイオードPD0、PD1、PD2に衝突する光によって生成される電荷が、それぞれの電荷貯蔵素子F0、F1F2へ転送されると、それらは、一般に周知の方法で増幅され、読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 9A的输入示例的第一页 901中,尽管作为锚字符串从说明区域 906提取了“图 1”,但是没有提取元数据字符串,因此处理从步骤 S1004进行到步骤 S1006至 S1007。
図9(a)の入力例の1ページ目901では、キャプション領域906からはアンカー文字列として「図1」が抽出されるがメタデータ文字列は抽出されないのでステップS1004からS1006、S1007へと進む。 - 中国語 特許翻訳例文集
调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器,沿着主扫描方向排列配置。
整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部(LED等)と受光部(フォトトランジスター等)とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
作为另一示例,在本实施例中,叠加控制部分 185执行控制,使得将电视 200的处理模式强制变为 2D模式,而不管叠加的信息,但是本发明不限于该示例。
また例えば、上記実施形態では、重畳する情報に関わらず、テレビ200の処理モードを強制的に2Dモードとするように重畳制御部185で制御したが、本発明はかかる例に限定されない。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过如此构成,可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。
このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过如此构成,可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压,因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。
このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外,由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化,所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。
また、信号電圧VP1,VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p,202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1,VN1の変動速度の劣化を軽減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过如此构成,可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。
このように構成することにより、供給ノードN201p,N201nの電圧が補助トランジスタ205p,205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p,N201nの電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在数据通信电路 31中,驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。
データ通信回路31において、ドライバ201,電圧緩和トランジスタ202p,202n,および信号ノードNP1,NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。 - 中国語 特許翻訳例文集
CK密钥及 IK密钥可用于驱动经指示为 KASME的接入安全管理实体 (ASME)基本密钥,其可被提供到 MME 130。
CKおよびIKを使用して、KASMEと表記される、アクセスセキュリティマネジメントエンティティ(ASME)ベース鍵を導出してもよく、KASMEをMME130に提供してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在特定实施例中,经编码宏块 402包括经编码视频信号的码字,且解码管线 400被实施为视频解码器系统的一部分。
特定の一実施形態では、符号化マクロブロック402は符号化ビデオ信号のコードワードを含み、復号パイプライン400はビデオ復号器システムの一部として実装される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在 520处,可从所述内部存储器读取所述经解码数据且可在所述宏块解码管线的第二级处重建所述特定宏块。
520において、内部メモリから復号データが読み取られ、マクロブロック復号パイプラインの第2のステージにおいて特定のマクロブロックが再構成され得る。 - 中国語 特許翻訳例文集
要注意的是,尽管 IC芯片 216和 IC芯片 218在本实施例中是单独 IC芯片,但是 IC芯片 216和 IC芯片 218可由同一 IC芯片实现。
なお、本実施の形態では、ICチップ216とICチップ218とは別々のICチップであるが、ICチップ216とICチップ218とは同一のICチップで実現されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
要注意的是,尽管在当前实施例中由充电设备 100传送功率,但是例如装配有非接触通信功能的移动电话的信息处理设备也可能传送功率。
なお、本実施の形態では、送電を行うのが充電装置100であったが、非接触通信機能を有する携帯電話などの情報処理装置が送電を行ってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
要注意的是,尽管在当前实施例中当充电设备 100传送功率时使用 6.78MHz频率的交流电,但是优选的是,使用较低次谐波频率的交流电,例如通过更大分频比产生的3.39MHz频率。
なお、本実施の形態では、充電装置100が送電の際に6.78MHzの周波数の交流を使用したが、より低周波で、例えば分周比の大きい、3.39MHzの周波数の交流を使用するのが好ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集
尽管已经参考附图详细描述了本发明的优选实施例,但是本发明不限于以上实施例。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一个实施例中,被输入到图 6B和图 6C的 PMOS晶体管 M2的信号“空闲”用于绕过斜坡产生器 610和 620。
一実施形態において、図6B及び図6CのPMOSトランジスタM2に入力される信号"アイドル"は、ランプ発生器610、620をバイパスするのに使用される。 - 中国語 特許翻訳例文集
虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计,但是可以使用其他晶体管技术 (例如,ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计,而不改变本发明的本质。
図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術(例えば、ECL、BJT、BiCOMS等)を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
PD 1的阴极与电源电压 VDD连接,PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。
PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
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