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超耐熱合金素材

超耐热合金材料 - 中国語会話例文集

インターロイキン-6受容体

白细胞介素-6受体 - 中国語会話例文集

学習態度も素晴らしい。

学习态度也很好。 - 中国語会話例文集

図8に示すように、ホワイトユニットは、R（赤）画素51、G（緑）画素51、B（青）画素51の集合体として構成される。

如图 8所示，所述白色单元被构造为 R(红色 )像素 51、G(绿色 )像素 51和 B(蓝色 )像素 51的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7（c）は、図7（b）に示した各画素の内、黒文字のエッジに対応する画素を1で示し、他の画素を0で示した状態を示す。

图 7(C)表示用 1表示图 7(B)所示的各像素中与黑文字的边缘对应的像素，用 0表示其它像素的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5（c）は、図5（b）に示した各画素の内、黒文字のエッジに対応する画素を1で示し、他の画素を0で示した状態を示す。

图 5C表示用 1表示图 5B所示的各像素中与黑色文字的边缘对应的像素、且用 0表示其他像素的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5（d）は、図5（b）に示した各画素の内、色文字のエッジに対応する画素を1で示し、他の画素を0で示した状態を示す。

图 5D表示图 5B所示的各像素中用 1表示与彩色文字的边缘对应的像素、用 0表示其他像素的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

R画素、B画素、G2画素については、被写体像の結像位置が一致する場合を破線で表し、G1画素に対して半画素分シフトさせた状態を実線で表している。

对于 R像素、B像素、G2像素，用虚线表示被摄体像的成像位置一致的情况，对于 G1像素，用实线表示位移半个像素的量的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態の画素（1，1）においては、リセットトランジスタT1がオフの状態なので、続けて、画素信号読みを行う。

在该状态下，由于在像素 (1，1)处复位晶体管 T1保持断开，因此像素信号读取操作继续。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6は通常画素のポテンシャル状態を示し、図7は漏れ込み光補正用画素のポテンシャル状態を示す。

图 6A～图 6C示出了普通像素的电位状态，图 7A～图 7C示出了漏光修正用像素的电位状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図19に、発光期間におけるサブ画素内の動作状態を示す。

图 19显示了发光时段中子像素的操作状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

図21に、初期化動作時におけるサブ画素内の動作状態を示す。

图 21显示了初始化操作时所述子像素中的操作状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

同一画素列の2つの画素の信号を合成して読み出す動作においては、転送トランジスタ102−1〜104を同時にオン状態にすることによって、第1グループの画素行の画素と第2グループの画素行の画素から信号を同時に読み出すことができる。

在合成来自相同像素列中的两个像素的信号并且读取合成信号的操作中，可通过同时接通传输晶体管 102-1到 102-4来从第一组像素行中的像素和第二组像素行中的像素同时读取信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

相対的差異は、明るさおよび／または色のコントラストであってもよく、画素または複数組の画素は、周囲の暗い背景を表す画素または複数組の画素より明るく現れる対象を表す。

所述相对差异可为亮度和 /或色彩的对比度，代表所述对象的像素或像素组看起来比代表周围深色背景的像素或像素组为明亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

DMDは、各々がオン状態またはオフ状態で作動可能なマイクロミラーまたは画素の二次元アレイから成る。

DMD由微镜或像素的二维阵列构成，其中每一个微镜或像素可驱动于接通状态或关断状态中。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、有機EL素子OLEDはオン状態になる。

因此，所述有机 EL器件 OLED变为导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

このことは、各々の画素の偏光状態を変調することにより、それらの画素において光を変調しないことを意味している。

此意味着装置不通过调制像素的偏振状态来调制每一像素处的光。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図16】注目画素41が図15に示すような位置である場合の、K版における設定領域51〜54の各画素の状態を示す図である。

图 16例示在目标像素 41处于图 15中所示的位置的情况下 K板上的预设区域 51至 54中的各个像素的状态； - 中国語 特許翻訳例文集

【図17】注目画素41が図15に示すような位置である場合の、M版における設定領域51〜54の各画素の状態を示す図である。

图 17例示在目标像素 41处于图 15中所示的位置的情况下 M板上的预设区域 51至 54中的各个像素的状态； - 中国語 特許翻訳例文集

また、図6（C）及び図7（C）は、特定領域の中央位置の画素（例えば、図2（A）〜（C）の画素c）の露光タイミングを示している。

图 10C和图11C示出了位于特定区域中心的像素 (例如，图 6A至图 6C中的像素 c)的曝光定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

捕捉されたビデオの中の画素204、204’または複数組の画素205、205’の相対発光を見るよりむしろ、コーデック18は、隣接した画素204、204’または複数組の画素205、205’の異なる周波数成分の相対強度の差異から、対象の輪郭を識別するように配設される。

设置编译码器 18以识别对象的轮廓，这是根据邻近的像素 204、204’或像素组 205、205’的不同频率组分的相对强度的差别而识别对象的轮廓，而不是根据录制的视频的像素 204、204’或像素组 205、205’的相对亮度而识别对象的轮廓。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24のオーバーフローゲート（OFG）は常にオン状態となるように設計される。

漏光修正用像素 24的溢出栅极电极 (OFG)被设计成常开的。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。

在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像100上のある画素を注目画素101とした状態で、フィルタ111〜115を当該注目画素101を中心とした小領域に作用させることで、5つのフィルタ出力値が得られる。

在以图像 100上的某一像素为关注像素 101的状态下，通过使滤波器 111～ 115在以该关注像素 101为中心的小区域中发生作用，从而得到 5个滤波器输出值。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5に示すフレームでは、輪郭の画素のうちの3つが、高い相対発光画素になるように修正されており、204’等の輪郭の他の画素は、まだ変更するべきではない。

如图 5所示的帧中，轮廓的三个像素已被修改为高相对亮度像素，而轮廓的其他像素，例如 204’，未被修改。 - 中国語 特許翻訳例文集

通常画素22［22R，22G，22B］では、図6のポテンシャル状態で示すように、第1実施の形態と同様である。

普通像素 22(22R、22G、22B)的电位状态与图 6A～图 6C所示的第一实施例中普通像素 22的电位状态相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

通常画素22［22R，22G，22B］では、図6のポテンシャル状態で示すように、第1実施の形態と同様である。

普通像素 22(22R、22G、22B)的电位状态与图 6A～图 6C所示的第一实施例的普通像素 22的电位状态相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような画像において、注目画素41が図15に示すような位置である場合、K版における設定領域51〜54の各画素の状態は図16に示すようになり、M版における設定領域51〜54の各画素の状態は図17に示すようになる。

在此图像中，当目标像素 41位于图 15所示的位置时，K板的预设区域 51至 54中的各个像素的状态如图 16所示，并且 M板的预设区域 51至 54中的各个像素的状态如图 17所示。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、この時点でも、有機EL素子OLEDは消灯状態を維持する。

因此，此时所述有机 EL器件 OLED还维持为熄灭状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

今日大切な友人たちと素晴らしい時間を過ごしました。

我今天和重要的朋友们度过了美好的时间。 - 中国語会話例文集

しかし、撮像素子が多くの画素を持つ場合には、画素ブロック160（−0〜−3）は、対応するセンス回路121A（−0〜−3）を含む支持回路の上に異なる半導体基板で積層されて形成されることが望ましい。

然而，当成像器件具有多个像素时，希望像素块 160-0、160-1、160-2、160-3应该层叠地形成在包括各个感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図23に示されるデュアルビューディスプレイにおいて、画素の行は、自身の黒い状態に切り換えられた51のような画素によって互いから切り離された6つの画素からなるグループ内に配列される。

对于图 23所示的双视图显示，像素行排列成六个一组，各组由像 51这种已切换成黑色状态的像素来分隔。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1を参照して、この半導体装置100は、CMOSイメージセンサであって、光を電気信号に変換する画素（CMOSセンサ）が行列状に配置された画素アレイ73と、列ごとに設けられ、画素アレイ73から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するコラムADC72とを備える。

参看图 1，半导体器件 100为 CMOS图像传感器，包括像素阵列 73和列 ADC 72。 像素阵列 73为以行和列布置的像素 (CMOS传感器 )矩阵，并且像素阵列 73用于将光转化为电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部（いわゆる撮像領域）3と、周辺回路部とを有して構成される。

如图 1所示，本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部，上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2，每个像素 2都包括光电转换部。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように横筋発生状態が存在しているとき、フィールド間画素値差分の総和ΣVcnはフィールド内画素値差分の総和ΣVnより大きくなる。

当如上所述，存在水平条时，场间像素值差之和∑ Vcn大于场内像素值差之和∑ Vn。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、リセットまたは読み出しを行うための画素DPXの駆動回路の少なくとも一部は、画素DPXと同一の第1の半導体基板SUB1に形成されることが望ましい。

此外，希望用于要复位或经历数据读出的像素 DPX的驱动电路的至少一些形成在与形成像素 DPX相同的第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

換言すれば、画素ブロック160(−0〜−3、・・)を含む画素アレイ部110Aとセンス回路121A（−0〜−3、・・）を含むセンス回路部120Aは各々異なる半導体基板上にアレイ状に配置されることが望ましい。

换句话说，希望包括像素块 160-0、160-1、160-2、160-3的像素阵列部分 110A和包括感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的感测电路部分 120A应该被以阵列分别布置在不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

理由としては、図13A及び図13Bに示すように、活字の特徴として、手書きと比べて、隣接画素間の濃度変化が大きく、エッジが急峻になる画素が相対的に多いと考えられるからである。

其理由是因为如图 13A以及图 13B所示那样，考虑作为活字的特征是与手写相比，邻接像素之间的浓度变化较大，边缘陡峭的像素相对较多。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3（a）は上記ステップS2、S3の時の分割状態を図示したものであり、間引かれた画像データ100は横a（画素数）、縦b（画素数）からなるサイズを有するものとする。

图 3A图示了上述步骤 S2、S3时的分割状态，被间隔剔除后的图像数据 100具有由横向 a(像素数 )、纵向 b(像素数 )构成的尺寸。 - 中国語 特許翻訳例文集

OSE36が、対象の輪郭を識別するとすぐに、OSE36は、識別された輪郭に沿って高い相対発光を伴う画素の線（点で描いた画素208によって示す）を提供するように、フレームを修正する。

一旦 OSE 36识别出对象的轮廓，OSE 36修改该帧以沿着已识别的轮廓提供带有高相对亮度的一行像素线 (以带点的像素 208表示 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

即ち、画像量子化部26は、例えば画質の劣化が生じている画素については高階調画像Ihighの画素値を人間の視覚特性において相対的に感度の低い帯域に量子化誤差が変調されるように量子化した画素値、画質の劣化が生じていない画素については入力画像Iinの画素値を用いて、上記記録対象画像Irecを生成することができる。

也就是说，例如，图像量化单元 26可以通过使用其中出现图像质量劣化的像素的第一像素值和其中没有出现图像质量劣化的像素的第二像素值生成上述记录目标图像 Irec，该第一像素值通过量化所述高灰度图像Ihigh的像素值使得将量化误差调制到具有人类视觉特性的相对低的灵敏度的波段而获得，并且该第二像素值是输入图像 Iin的像素值。 - 中国語 特許翻訳例文集

12. 前記15個のサブピクセル位置は、すべてのハーフペルおよびクォーターペルのサブピクセルロケーションに対応し、前記8個のセット、前記係数対称性および前記ピクセル対称性は、すべてのハーフペルおよびクォーターペルのサブピクセルロケーションに対するフィルタサポートを定義する、請求項10の方法。

12.根据权利要求 10所述的方法，其中所述十五个子像素位置对应于每个半像素及四CN 分之一像素子像素位置，且所述八个集合、所述系数对称性及所述像素对称性针对每个半像素及四分之一像素子像素位置定义滤波器支持。 - 中国語 特許翻訳例文集

27. 前記15個のサブピクセル位置は、すべてのハーフペルおよびクォーターペルのサブピクセルロケーションに対応し、前記8個のセット、前記係数対称性および前記ピクセル対称性は、すべてのハーフペルおよびクォーターペルのサブピクセルロケーションに対するフィルタサポートを定義する、請求項25の装置。

27.根据权利要求 25所述的设备，其中所述十五个子像素位置对应于每个半像素及四分之一像素子像素位置，且所述八个集合、所述系数对称性及所述像素对称性针对每个半像素及四分之一像素子像素位置定义滤波器支持。 - 中国語 特許翻訳例文集

42. 前記15個のサブピクセル位置は、すべてのハーフペルおよびクォーターペルのサブピクセルロケーションに対応し、前記8個のセット、前記係数対称性および前記ピクセル対称性は、すべてのハーフペルおよびクォーターペルのサブピクセルロケーションに対するフィルタサポートを定義する、請求項40のデバイス。

42.根据权利要求 40所述的装置，其中所述十五个子像素位置对应于每个半像素及四分之一像素子像素位置，且所述八个集合、所述系数对称性及所述像素对称性针对每个半像素及四分之一像素子像素位置定义滤波器支持。 - 中国語 特許翻訳例文集

特徴量算出部351は、スクリーン処理がされた後の印刷色毎の複数の色版により構成された2値画像データにおいて、各画素を注目画素として順次選択し、選択されたその注目画素周辺の予め設定された複数の設定領域内の画素の状態に基づいて、各設定領域の特徴量をそれぞれ算出する。

特征量计算部 351在经过了网板处理后的由各打印颜色的多个色板组成的二进制图像数据上，顺序地选择像素作为目标像素，并且根据所选择目标像素周围的多个预设区域中的像素的状态，计算这些预设区域中的每一个中的特征量。 - 中国語 特許翻訳例文集