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「行列状」を含む例文一覧

該当件数 : 8



また、図2は、撮像素子であるCMOSセンサの内部の画素が行列状に配置された画素配列を模式的に示した構成図である。

图 2是示出作为图像传感器的 CMOS传感器中的像素以矩阵布置的像素矩阵的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、図2および図3を参照して、図1の画素部111に行列状に配置されている単位画素131の具体的な構成について説明する。

接下来,将参照图 2和图 3描述图 1的像素部 111中以行和列的形式排列的单元像素 131的具体结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素アレイ部12には、行列状の画素配置に対して画素行ごとに画素駆動配線121が配線され、画素列ごとに垂直信号線122が配線されている。

在像素阵列 12中,为排列的像素中的每行像素形成一像素驱动配线 121,并且为每列像素形成一垂直信号线 122。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部111には、入射光量に応じた電荷量の光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子を有する単位画素(図2および図3の単位画素131)が、行列状に2次元配置されている。

在像素部 111中,以行和列二维设置具有光电转换元件的单元像素 (图 2和图 3的单元像素 131),所述光电转换元件能产生和内部累积具有对应于入射光量的电荷量的光电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、上記実施形態では、選択トランジスタ25を含む単位画素20(図1参照)が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサに適用した場合について説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。

在上面的实施例中,解释了其中本发明应用于 CMOS图像传感器 (其中,包括选择晶体管 25的单元像素 20(参考图 1)以矩阵形式布置 )的情形,但是本发明不限于该应用。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1を参照して、この半導体装置100は、CMOSイメージセンサであって、光を電気信号に変換する画素(CMOSセンサ)が行列状に配置された画素アレイ73と、列ごとに設けられ、画素アレイ73から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するコラムADC72とを備える。

参看图 1,半导体器件 100为 CMOS图像传感器,包括像素阵列 73和列 ADC 72。 像素阵列 73为以行和列布置的像素 (CMOS传感器 )矩阵,并且像素阵列 73用于将光转化为电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示す画素回路構成の単位画素20が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサ10では、一般的に、図4(A)に示すように、期間t1で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t2で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。

在 CMOS图像传感器 10(其中,包括图 1所示的像素电路配置的单元像素 20以矩阵形式排列 )中,一般如图 4A所示,在时段“t1”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平,复位光电二极管 21和 FD区 26,在时段“t2”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、図示は省略しているが、画素部111には、行列状の画素配列に対して行ごとに画素駆動線が図の左右方向(画素行の画素の配列方向)に沿って形成され、列ごとに垂直信号線が図の上下方向(画素列の画素の配列方向)に沿って形成されている。

此外,尽管未示出,在像素部 111中,关于为行和列形式的像素排列,沿着图的左 /右方向 (像素行上的像素排列方向 )为每一行形成像素驱动线,沿着图的上 /下方向 (像素列上的像素排列方向 )为每一列形成垂直信号线。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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