「記憶素子」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

また、メモリ41の各記憶素子に対する書き込み及び読み出し回数は8回となる。

存储器 41中每个存储器元件的写入和读取执行 8次。 - 中国語 特許翻訳例文集

eFuse部45は、比較部24の比較結果に基いて、メモリ41の欠陥部分（故障した記憶素子）の機能を停止させる。

电熔丝部分 45基于由比较部分 24执行的比较的结果停止存储器 41的缺陷部分(故障的存储器元件 )的功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

17. 前記記憶素子（10）は、32ビット幅を有することを特徴とする、請求項16に記載のフィルタ構成（6）。

17.根据权利要求 16所述的过滤设备 (6)，其特征在于，存储元件 (10)具有 32比特的宽度。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明において、比較識別子が、記憶素子10に格納される識別子ペアのリストとして提示される。

在本发明中，比较标识符作为标识符对的列表存在，所述标识符对被存放在存储元件 10中。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3を用いて、規格型11ビットCAN識別子のための記憶素子10の32ビット・データワードの可能な構造が例示される。

参照图 3示例性地示出了用于标准的 11比特 CAN标识符的存储元件 10的 32比特数据字的可能的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4を用いて、拡張型29ビットCAN識別子のための記憶素子10の2つの32ビット・データワードの可能な構造が例示される。

参照图 4示例性地示出了用于扩展的 29比特 CAN标识符的存储元件 10的两个32比特的数据字的可能结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで生体情報が取得されると、当該生体情報と、記憶素子52に格納されている認証キー情報とを比較する。

当获得到生物信息时，将所获得的生物信息与存储器元件 52内存储的认证密钥信息进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、「0」の上書き、「0」が書き込まれている状態での「1」の書き込み、「1」の上書き、「1」が書き込まれている状態での「0」の書き込みをメモリ41の各記憶素子に行い、その後、メモリ41の各記憶素子からデータを読み出す。

以此方式，存储器控制电路 31在存储器 41的每个存储器元件中重写 (write over)“0”，在写有“0”的情况下在其中写入“1”，在其中重写“1”，并且在写有“1”的情况下在其中写入“0”，然后从存储器 41中每个存储器元件读取数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ41の各記憶素子の欠陥が検出されなかった場合は、メモリ41に書き込まれたデータと同じ画素値を有する画像データが生成される。

当在存储器 41中的各个存储器元件没有检测到缺陷时，生成具有与写入存储器41中的数据相同像素值的图像数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、Rの輝度値が記憶される記憶素子のうち上位2ビット目が常にHighとなる欠陥を有する場合には、本来「000h」となるべき値が「400h」となり、「AAAh」となるべき値が「EAAh」となる。

在存储 R的亮度值的存储器元件中的第二有效位总是变为高的缺陷的情况下，应该为“000h”的值变为“400h”，并且应该为“AAAh”的值变为“EAAh”。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶素子10は、好適に、随意アクセスが行なわれる記憶装置（例えば、RAM）として、又は、読み出し専用記憶装置（例えば、フラッシュメモリ、ROM、EEPROM）として構成される。

存储元件 10优选地被构造为随机存取存储器 (例如 RAM)或者被构造为只读存储器 (例如快闪 (Flash)存储器、ROM、EEPROM)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この制御素子51は、コントローラ装置2側から、記憶素子52に格納されている情報の要求を受けると、所定の認証処理を実行する。

在从控制器设备 2侧接收到对于存储元件 52中存储的信息的请求后，控制元件 51执行预定的认证处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶素子52は、EEPROMなどの不揮発性のメモリ素子であり、図4に示したように、少なくとも一つのユーザ識別情報（ID）と、ユーザの年齢情報（Y）と、認証キー情報（K）とを保持している。

存储元件52是非易失性存储元件，例如EEPROM。 其存储用户标识信息(ID)、用户年龄信息 (Y)、以及认证密钥信息 (K)中的至少一种，如图 4所示。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、設定部101は、ステップS1で受信した設定要求情報に含まれているSSID、Security Type、パスワードなどを、ネットワークの設定値として所定の記憶素子（レジスターなど）に登録する。

具体而言，设定部 101将在步骤 S1中接收到的设定请求信息所含有的 SSID、Security Type、密码等作为网络的设定值而登记到规定的存储元件 (寄存器等 )中。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合のメモリカード40は、例えば所定規格に従ったカード形式の外形形状を有し、内部には、フラッシュメモリなどの不揮発性の半導体記憶素子を備えた構成を採る記録媒体である。

在该情况下，存储卡 40例如是具有与预定标准相符的卡片形式外观的记录介质，并且其中具有例如闪存的非易失性半导体存储元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合のメモリカード40は、例えば所定規格に従ったカード形式の外形形状を有し、内部には、フラッシュメモリなどの不揮発性の半導体記憶素子を備えた構成を採る記録媒体である。

在此情况下，存储卡 40是具有符合预定标准的卡形状的外观的记录介质，并在其中具有诸如闪存之类的非易失性半导体存储元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号処理IC12には、受光部10r、10g、10bから出力された光電変換信号（光電変換出力値）が入力されるアナログ信号をA／D変換（アナログ・デジタル変換）してデジタル信号に変換するA／D変換部13、画素（受光部）毎の黒レベルのばらつきを低減する黒補正部14、黒レベル補正に使用する補正値があらかじめ格納された黒補正用記憶素子（黒補正ROM）14a、画素（受光部）毎の白レベルのばらつきを低減する白補正部15、白レベル補正に使用する補正値があらかじめ格納された白補正用記憶素子（白補正ROM）15aが設けられている。

A/D转换部 13，该 A/D转换部将被输入的从受光部 10r、10g、10b输出的光电转换信号 (光电转换输出值 )的模拟信号通过 A/D转换 (模拟数字转换 )转换成数字信号； 黑修正部 14，该黑修正部对每个像素 (受光部 )的黑电平的偏差进行降低； - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、動作（1）でアドレス1の記憶領域にデータを書き込み、動作（2）でアドレス3の記憶領域からデータを読み出す場合、アドレス3の記憶素子から読み出されたデータはエラーを生じ欠陥データとなる。

具体地，当在操作 (1)中将数据写入地址 1的存储器区域、并且在操作 (2)中读取地址 3的存储器区域时，从地址 3的存储器区域读取的数据变为包含错误的缺陷数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合において、図6（B）に示すように、動作（1）、…、（J）の順で画素データを書き込み、同時に、動作（1）、…、（J）の順で画素データを読み出すときには、アドレスjの記憶素子の欠陥は、固体撮像装置1の動作に影響を与えない。

在此情况下，当像素数据以操作 (1)、...、(J)的顺序写入并且同时以操作 (1)、...、(J)的顺序读取像素数据时，如图 6B所示，在地址 j的存储器元件的缺陷不影响固态成像设备 1的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、診断部102は、設定値として登録されているSSIDを所定の記憶素子（レジスターなど）から読み出し、ネットワークインターフェイス（例えば、無線LANアダプター）160で検出される電波（アクセスポイント300から出力されるビーコンを含む）から得られるSSIDと比較する。

具体而言，诊断部 102从规定的存储元件 (寄存器等 )中读出被作为设定值而被登记的 SSID，与根据由网络接口 (例如无线 LAN适配器 )160检测出的电波 (包括从访问点 300输出的信标 )而得到的 SSID进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

16. 前記フィルタ構成（6）は、前記リストの前記識別子ペア（ID1、ID2）を格納するための記憶素子（10）、特に、随意アクセスが行なわれる記憶装置（RAM）、読み出し専用記憶装置（ROM、PROM、EPROM、EEPROM）、又は、不揮発性記憶装置（NVRAM、フラッシュメモリ、FeRAM、MRAM、PCRAM）を有することを特徴とする、請求項15に記載のフィルタ構成（6）。

16.根据权利要求 15所述的过滤设备 (6)，其特征在于，所述过滤设备 (6)具有存储元件 (10)、尤其是随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM、PROM、EPROM、EEPROM)或者非易失性存储器 (NVRAM、快闪存储器、FeRAM、MRAM、PCRAM)，用于存储列表的标识对 (ID1，ID2)。 - 中国語 特許翻訳例文集

50. ここまでの説明では、外部メモリ装置50は、例えば、半導体メモリデバイスで構わないものとしていたが、コントローラ装置2に接続する外部メモリ装置50は、これに限られるものではなく、例えば図10に示すように、制御素子51と、記憶素子52と、バイオメトリクスセンサ部53とを備えてもよい。

应当注意，尽管外部存储设备 50在上述说明中可以是半导体存储设备，待连接到控制器设备 2的外部存储设备 50并不限于半导体存储设备。 控制器设备 2可包括例如控制元件 51、存储元件 52、以及生物传感器部分 53，如图 10所示。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明の第4の態様によれば、本発明の第2の態様に従って移動通信デバイスでメディアコンテンツを出力する方法を実行するように信号処理ロジックをプログラムする、格納されたコンピュータ可読コードを有するコンピュータ可読記憶素子が提供される。

根据本发明的第四方面，提供了一种其上存储有计算机可读代码的计算机可读存储元件，该计算机可读代码用于对信号处理逻辑进行编程以执行根据本发明的第二方面的在移动通信装置上输出媒体内容的方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11に示すように、コントローラ134は、基地局ノード28の共通パイロット信号のためのCostasアレイパターンおよび基地局ノード28の専用パイロット信号のためのCostasアレイパターンを含む、ブロックに利用されるCostasアレイパターンの知識を含む、メモリ、レジスタ、または他の適切な記憶素子136などを含む。

如图 11所示，控制器 134包括例如存储器、寄存器或者其它适当存储元件 136，它包含用于块的 Costas阵列模式的知识，其中包括基站节点 28的公共导频信号的 Costas阵列模式和基站节点 28的专用导频信号的 Costas阵列模式。 - 中国語 特許翻訳例文集

その文脈によって明示的に限定されない限り、「得る」という語は、（例えば、別のコンポーネント、ブロックまたはデバイスから）計算する、導出する、受信する、および／または、（例えば、記憶レジスタまたは記憶素子のアレイから）検索するなど、その通常の意味のいずれかを示すように使用される。

除非明确地受到其上下文限制，否则术语“获得”用以指示其通常意义中的任何者，例如计算、导出、接收 (例如，从另一组件、块或装置 )和 /或检索 (例如，从存储器寄存器或存储元件的阵列 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5において、170は欠陥画素検出回路部16で検出された欠陥画素に対して再補正処理を加える欠陥画素再補正回路部、170aは欠陥画素のデータ補正に使用する欠陥画素の画素位置（特定された受光部の画素アドレス）データがあらかじめ格納された欠陥画素補正用記憶素子（再補正ROM）である。

图5中，170是对缺陷像素检测电路部 16所检测出的缺陷像素加以再修正处理的缺陷像素再修正电路部，170a是预先存储有缺陷像素数据修正所使用的缺陷像素的像素位置 (被确定的受光部的像素地址 )数据的缺陷像素修正用存储元件 (再修正 ROM)。 - 中国語 特許翻訳例文集

これとともに、設定部101は、アクセスポイント300と情報処理装置200の間のネットワークで設定されている、通信方式（インフラストラクチャーモード、アドホックモードなど）、無線モード（例えば、IEEE802．11b／g／nなど）、セキュリティ方式、MACアドレスフィルタリング、暗号方式（例えば、WEP、WPAなど）、セキュリティキー、設定方式（DHCP設定、Auto−IP設定、手動設定）、デフォルトゲートウェイ（ルーター機能を有するアクセスポイント300）に割り当てられているIPアドレス、などの各種情報を所定の記憶素子に登録する。

与此同时，设定部 101将在访问点 300与信息处理装置 200之间的网络中设定的通信方式 (基础设施模式、特定模式等 )、无线模式 (例如 IEEE802.11b/g/n等 )、安全方式、MAC地址过滤、加密方式 (例如 WEP、WPA等 )、安全密钥、设定方式 (DHCP设定、Auto-IP设定、手动设定 )、分配给默认网关 (具有路由器功能的访问点 300)的 IP地址等各种信息登记到规定的存储元件中。 - 中国語 特許翻訳例文集

また信号処理IC12には、A／D変換部13の出力から分岐させた光電変換信号が入力される欠陥画素検出回路部(画素検出回路)16、欠陥画素検出回路部16で検出された欠陥画素（特定された受光部の画素）に再補正処理を加える欠陥画素再補正回路部（画素補正回路部)17、欠陥画素のデータ補正に使用する欠陥画素の画素位置（特定された受光部の画素アドレス）データがあらかじめ格納された欠陥画素補正用記憶素子（再補正ROM）17a、及び信号処理IC12の動作を制御するCPU18が設けられている。

缺陷像素检测电路部 (像素检测电路 )16，从 A/D转换部 13的输出中分岔出的光电转换信号被输入该缺陷像素检测电路部； 缺陷像素再修正电路部 (像素修正电路部 )17，该缺陷像素再修正电路部对缺陷像素检测电路部 16检测出的缺陷像素 (被确定的受光部像素 )加以再修正处理； - 中国語 特許翻訳例文集