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「負荷トランジスター」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
第2負荷トランジスタ624ソース端子には、第2負荷トランジスタ624のソース単位の電位変動が示されている。
第二负载晶体管 624的源极端子示出第二负载晶体管 624的源极端子的电势改变。
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なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。
应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集
この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。
在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集
保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。
保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。
当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。
当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集
負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。
负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。
第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。
假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。 - 中国語 特許翻訳例文集
設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。
设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集
すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。
也就是说，在连接时段期间，负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。
更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、第2負荷トランジスタ624は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が負荷トランジスタ614のドレイン端子に接続される。
另一方面，第二负载晶体管 624使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子连接到负载晶体管 614的漏极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。
并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。
此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集
この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。
由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。
然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集
この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。
电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集
寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。
寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。
例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。
返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。 - 中国語 特許翻訳例文集
列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。
用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集
次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。
接着，将参照图 7所示的时序图来描述当应用根据第二实施例的方法时像素 20和负载晶体管 31的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。
图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图； - 中国語 特許翻訳例文集
この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。
在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集
この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。
在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集
図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。
图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。 - 中国語 特許翻訳例文集
寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。
寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集
そのため、図4に示すように、基準信号読み出し期間、最大値検出期間、最小値検出期間の順に動作を行うことで、出力線141の充放電を、負荷抵抗ではなく、トランジスタ116を流れるソース電流または119を流れるシンク電流によって行うことができる。
因此，如图 4所示，当以基准信号读取周期、最大值检测周期和最小值检测周期的次序执行操作时，不是通过负载电阻器而是通过流过晶体管 116的拉电流或流过晶体管 119的灌电流来对于输出线 141进行充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集
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