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「负电」を含む例文一覧
該当件数 : 25件
负电源的配置示例 >
＜負電源の構成例＞ - 中国語 特許翻訳例文集
所述负电压发生电路可被用作负电压发生电路 19。
この負電圧生成回路を負電圧生成回路19として用いることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是图示负电源 304的配置示例的图。
図3は、負電源304の一構成例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4是描述从负电源 304输出的负输出电压 Vout(与模拟负电压 AVSSw相称 )的调整示例的图。
図4は、負電源304から出力される負の出力電圧Vout （アナログ負電圧AVSSwに対応する）の調整例を説明する図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5是图示根据适于允许图 4中所示的负电压调整的第一示例的负电源 304的电路配置的图。
図5は、図4に示した負電圧調整を実現する第1例の負電源304の回路構成を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5A是图示适于允许图 4中所示的负电压调整的根据第二示例的负电源 304的电路配置的图。
図5Aは、図4に示した負電圧調整を実現する第2例の負電源304の回路構成を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5B是图示适于允许图 4中所示的负电压调整的根据第三示例的负电源 304的电路配置的图。
図5Bは、図4に示した負電圧調整を実現する第3例の負電源304の回路構成を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
相比之下，根据第二实施例的负电源 304B对于每一脉冲 RST、TRG和 VSEL包括根据第一实施例的负电源 304A。
これに対して、第2実施形態の負電源304Bは、各パルスRST ，TRG ，VSEL別に、第1実施形態の負電源304Aを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此，根据第四实施例的负电源 304D除了根据第一实施例的负电源 304A之外，还包括环境条件检测单元 306。
このため、第4実施形態の負電源304Dは、第1実施形態の負電源304Aの他に、環境条件検出部306を備える。 - 中国語 特許翻訳例文集
负输出电压 Vout与模拟负电压 AVSSw相称。
この負の出力電圧Vout は、アナログ負電圧AVSSwに対応する。 - 中国語 特許翻訳例文集
首先，对于负电压侧，用于复位脉冲 RST、传输脉冲 TRGa、传输脉冲 TRGb和垂直选择脉冲 VSEL中的每一个的电平移位器 146和驱动器 148的负电源端子连接在一起，以便提供模拟负电压 AVSS2。
負電圧側については先ず、リセットパルスRST 用、転送パルスTRGa用、転送パルスTRGb用、垂直選択パルスVSEL用のそれぞれでレベルシフタ146とドライバ148の負電源端子を共通に接続してアナログ負電圧AVSS2を供給するようにしている。 - 中国語 特許翻訳例文集
使用数字负电压 DVSS减小了引起暗电流的噪声。
デジタル負電圧DVSSを使用することで、暗電流起因のノイズを低減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
相比之下，根据第三实施例的负电源 304C包括根据第一实施例的三个负电源304A，一个用于复位脉冲RST和垂直选择脉冲VSEL，一个用于传输脉冲TRGa，且一个用于传输脉冲 TRGb。
これに対して、第3実施形態の負電源304Cは、リセットパルスRST 用と垂直選択パルスVSEL用には共通で、転送パルスTRGa用と転送パルスTRGb用には各別に、第1実施形態の負電源304Aを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 10是描述从根据第四实施例的负电源 304D输出的输出电压 Vout(与模拟负电压 AVSSw相称 )的调整示例的图。
図10は、第4実施形態の負電源304Dから出力される負の出力電圧Vout （アナログ負電圧AVSSwに対応する）の調整例を説明する図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
然后，选择脉冲 SEL被禁止 (inactivate)(例如，-1V的负电压 )，以关断选择晶体管 25。
しかる後、選択パルスSELを非アクティブ（負電圧、例えば−1V）にし、選択トランジスタ25をオフさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集
如上所述，通过使用适于通过调整误差放大单元 310的基准电压 Vref1来确定负电压的电路，可以根据累积时间设置以小规模电路容易地调整负电压电平，而不会不利地影响功耗。
このように、誤差増幅部310の参照電圧Vref1の調整により負電圧を決定するような回路を用いることにより、小規模の回路で蓄積時間設定に応じた負電圧レベルの調整を容易に、かつ、消費電力への影響もなく実現することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 4(1)中所示，例如，相对于累积时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压Vout(负电压电平 )在 0秒≤ TS＜ 0.5秒时为 -1.0V，在 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V，在 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V，在 1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V，而在 2.0秒≤ TS时为 -1.4V。 因此，累积时间越长，负电压就越高。
たとえば図4（1）に示すように、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V，2．0秒≦TSでは−1．4Vというように、蓄積時間が長くなるほど負電圧レベルを大きくする。 - 中国語 特許翻訳例文集
在这种情况下，当 0秒≤ TS＜ 0.5秒时相对于累计时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压 Vout(负电压电平 )为 -1.0V，当 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V-Δ1＝ -1.15V，当 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V-Δ2＝ -1.3V，当1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V-Δ3＝ -1.45V，且当 2.0秒≤ TS时为 -1.4V-Δ4＝ -1.6V。 因此，累积时间越长，或者周围温度越高，负电压就越高。
この場合、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V−Δ1＝−1．15V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V−Δ2＝−1．3V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V−Δ3＝−1．45V，2．0秒≦TSでは−1．4V−Δ4＝−1．6Vというように、蓄積時間が長く、また周囲温度が高くなるほど、負電圧レベルが大きくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集
开关 322_2使其另一端连接到负电源 304的输出端子 304out(其为平滑电容器 330的一端和反馈单元 340之间的连接点 )。
スイッチ322_2の他端は、平滑容量330の一端および帰還部340の接続点である当該負電源304の出力端子304out に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在本实施例中，配置负电源 304以便输出端子 304out的输出电压 Vout是可调整的。
本実施形態では、負電源304は、出力端子304out の出力電圧Vout を調整可能に構成しているが、その調整は撮像時における蓄積時間設定に応じて行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集
第五实施例是上述固态成像器件 1的实施例中使用的负电压调整的布置到作为物理信息获取装置的示例的成像装置的应用。
第5実施形態は、前述の固体撮像装置1の各実施形態に採用していた負電圧調整の仕組みを、物理情報取得装置の一例である撮像装置に適用したものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。
続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
进一步，在本实施例中与半导体区域 (半导体芯片 )(其中形成像素阵列部件 10、驱动控制部件 7、列 AD转换部件 26和基准信号产生部件 27)分离地提供包括正电源 302和负电源 304的电源部件 300。
さらに、本実施形態では、正電源302や負電源304を有する電源部300を、画素アレイ部10、駆動制御部7、カラムAD変換部26、および参照信号生成部27が形成される半導体領域（半導体チップ）とは別に設けている。 - 中国語 特許翻訳例文集
第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。
第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 3所示，根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18，以及负电压发生电路 19。
図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板（チップ）11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
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