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「金属氧化物半导体」を含む例文一覧

該当件数 : 4



备选地,图像传感器可以是互补金属氧化物半导体 (CMOS)传感器。

代替として、画像センサは、相補型金属酸化物半導体(CMOS)センサでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构,其形成于半导体上。

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

图像传感器 110通常可以是电荷耦合器件 (CCD)或互补金属氧化物半导体 (CMOS)有源像素传感器,但并不是就只限于这两种传感器。

イメージセンサー110は、典型的には、電荷結合素子(CCD)または相補型金属酸化膜半導体(CMOS)アクティブピクセルセンサーであってよいが、決してこれら二つのタイプのセンサーのみに限定されない。 - 中国語 特許翻訳例文集

MFD 100包括壳体 102、激光模块 104、光学光电导体 (OPC)106、OPC匣 (cartridge)108、传动机构 110、上色辊 (fuser)112、面阵互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器 114、照明源 116、透明表面 118、输入托盘 120、拾取机构 122、导向器 124以及盖 /输出托盘 126,如图所示进行耦合。

MFD100においては、筐体102、レーザモジュール104、光学光伝導体(OPC)106、OPCカートリッジ108、転送メカニズム110、フューザ112、エリアアレイCMOS(相補型金属酸化膜半導体)画像センサ114、光源116、透明表面118、入力トレー120、ピックメカニズム122、ガイド124、およびカバー/出力トレー126が図示されているように連結されている。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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