「関係の積」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

集積は、ステップ4に関係して上述されたのと同様の仕方で達成される。

聚合以类似于如上所述涉及步骤 4的方式完成。 - 中国語 特許翻訳例文集

各々をどのような比率を持って共有させるかは、上記アクセス時間と各回路の占有面積との関係によって最適化されることになる。

通过各个电路的上述存取时间和占用空间之间的关系来优化以什么比率共享那些电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図18】（a）は、2D再生モードでの動作中、図17に示されているリード・バッファ1721に蓄積されるデータ量DAの変化を示すグラフである。 （b）は、再生対象のエクステント・ブロック1810と2D再生モードでの再生経路1820との間の対応関係を示す模式図である。

图 18(a)是表示在 2D再现模式的动作中，在图 17所示的读缓冲器 1721中储存的数据量DA的变化的曲线图，图 18(b)是表示再现对象的区段块 1810与 2D再现模式的再现路径 1820之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶媒体の例には、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ、CD-ROM、ハードディスクドライブ、ROMまたは集積回路、磁気光ディスク、またはPCMCIAカード等のコンピュータ読取り可能なカードが含まれる。 このことは、このような装置が送信機サブシステム116の内部にあるか外部あるかに関係ない。

存储介质的示例包括软盘、磁带、CD-ROM、硬盘驱动器、ROM或集成电路、磁光盘、或诸如 PCMCIA卡的计算机可读卡等等，而不管该设备是在发送器子系统 116的内部或外部。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7および図8を参照すると、装置700および800が、たとえば、1つまたは複数の集積回路（たとえば、ASIC）によって実装される機能を表す、または本明細書で教示する何らかの他の方法で実装できる一連の相互に関係する機能ブロックとして表されている。

参看图 7及图 8，设备 700及 800被表示为一系列相关的功能块，所述功能块可表示由 (例如 )一个或一个以上集成电路 (例如，ASIC)实施或可以本文中所教示的某一其它方式来实施的功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9及び図10を参照すると、装置900及び1000が、例えば、1つまたは複数の集積回路（例えば、ASIC）によって実装される機能を表す、または本明細書で教示する何らかの他の方法で実装できる、一連の相互に関係する機能ブロックとして表されている。

参照图 9和图 10，将装置 900和 1000表示为一系列相关的功能模块，表示由 (例如 )一个或多个集成电路 (例如，ASIC)实现的功能，或者以本文中公开的其它方式实现的功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11および12を参照すると、例えば、1つ以上の集積回路（例えば、ASIC）により実現してもよい機能を表している、または、ここで教示したような他の何らかの態様で実現してもよい、相互に関係する一連の機能ブロックとして、装置1100および1200が表されている。

参看图 11和图 12，将设备 1100和 1200表示为一连串相关功能块，所述功能块可表示由 (例如 )一个或一个以上集成电路 (例如，ASIC)实施或可以如本文所教示的某一其它方式实施的功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

このシステムおよび方法では、全てのフレームで眼精疲労をディスパリティおよびディスパリティ変化と関係付ける関数が存在するものと仮定し、また、眼精疲労感はフレームをまたいで蓄積するが、時間とともに指数関数的に減衰すると仮定する。

该系统和方法假设存在将眼睛疲劳与在每帧处的视差和视差改变相关的函数，并且眼睛疲劳感跨越各帧得到累积，但是随着时间指数衰减。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V−Δ1＝−1．15V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V−Δ2＝−1．3V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V−Δ3＝−1．45V，2．0秒≦TSでは−1．4V−Δ4＝−1．6Vというように、蓄積時間が長く、また周囲温度が高くなるほど、負電圧レベルが大きくなる。

在这种情况下，当 0秒≤ TS＜ 0.5秒时相对于累计时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压 Vout(负电压电平 )为 -1.0V，当 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V-Δ1＝ -1.15V，当 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V-Δ2＝ -1.3V，当1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V-Δ3＝ -1.45V，且当 2.0秒≤ TS时为 -1.4V-Δ4＝ -1.6V。 因此，累积时间越长，或者周围温度越高，负电压就越高。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば図4（1）に示すように、蓄積時間設定TSと出力端子304out の出力電圧Vout （負電圧レベル）との関係は、0秒≦TS＜0．5秒では−1．0V，0．5秒≦TS＜1．0秒では−1．1V，1．0秒≦TS＜1．5秒では−1．2V，1．5秒≦TS＜2．0秒では−1．3V，2．0秒≦TSでは−1．4Vというように、蓄積時間が長くなるほど負電圧レベルを大きくする。

如图 4(1)中所示，例如，相对于累积时间设置 TS的输出端子 304out的输出电压Vout(负电压电平 )在 0秒≤ TS＜ 0.5秒时为 -1.0V，在 0.5秒≤ TS＜ 1.0秒时为 -1.1V，在 1.0秒≤ TS＜ 1.5秒时为 -1.2V，在 1.5秒≤ TS＜ 2秒时为 -1.3V，而在 2.0秒≤ TS时为 -1.4V。 因此，累积时间越长，负电压就越高。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図66】（a）、（b）は、図65に示されている再生処理系統によるL／Rモードでの3Dエクステント・ブロックの再生処理中、各リード・バッファ4921、4922に蓄積されるデータ量DA1、DA2の変化を示すグラフであり、（c）は、その3Dエクステント・ブロック5810とL／Rモードでの再生経路5820との間の対応関係を示す模式図である。

图 66(a)、 (b)是示出在图 65所示的再现处理系统的 L/R模式下的 3D区段块的再现处理中存储在各读取缓冲器 4921、4922中的数据量 DA1、DA2的变化的图表，图66(c)是示出该3D区段块5810和L/R模式下的再现路径5820之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図67】（a）、（b）は、図65に示されている再生処理系統によるデプス・モードでの3Dエクステント・ブロックの再生処理中、各リード・バッファ4921、4922に蓄積されるデータ量DA1、DA2の変化を示すグラフであり、（c）は、その3Dエクステント・ブロック5910とデプス・モードでの再生経路5920との間の対応関係を示す模式図である。

图 67(a)、 (b)示出在图 65所示的再现处理系统的深度模式下的 3D区段块的CN 10202775616 AA 说 明 书 7/123页再现处理中存储在各读取缓冲器 4921、4922中的数据量 DA1、 DA2的变化的图表，图67(c)是示出在该 3D区段块 5910和深度模式下的再现路径 5920之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図21】（a）、（b）は、一つのエクステント・ブロックから3D映像がシームレスに再生されるとき、図20に示されている各リード・バッファ2021、2022に蓄積されるデータ量DA1、DA2の変化を示すグラフである。 （c）は、そのエクステント・ブロック2110と3D再生モードでの再生経路2120との間の対応関係を示す模式図である。

图 21(a)、图 21(b)是表示在从一个区段块中无缝地再现 3D影像时，在图 20所示的各个读缓冲器 2021、2022中储存的数据量 DA1、DA2的变化的曲线图，图 21(c)是表示该区段块 2110与 3D再现模式的再现路径 2120之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図63】（a）は、図62に示されている再生処理系統による2Dエクステントの再生処理中、リード・バッファ4602に蓄積されるデータ量DAの変化を示すグラフであり、（b）は、それらの2Dエクステントを含む3Dエクステント・ブロック5510と2D再生モードでの再生経路5520との間の対応関係を示す模式図である。

图 63(a)是示出在图 62所示的再现处理系统的 2D区段的再现处理中、存储到读取缓冲器 4602中的数据量 DA的变化的图表，图 63(b)是示出包含这些 2D区段的 3D区段块 5510和 2D再现模式下的再现路径 5520之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図22】（a）は、複数のエクステント・ブロックから連続して3D映像がシームレスに再生されるとき、図20に示されている各リード・バッファ2021、2022に蓄積されるデータ量DA1、DA2の変化、及びそれらの和DA1＋DA2の変化を示すグラフ群である。 （b）は、M番目（整数Mは2以上である。）のエクステント・ブロック2201と（M＋1）番目のエクステント・ブロック2202、及び、それら二つのエクステント・ブロック2201、2202と3D再生モードでの再生経路2220との間の対応関係を示す模式図である。

图 22(a)是表示在从多个区段块连续地无缝地再现 3D影像时，在图 20所示的各个读缓冲器 2021、2022中储存的数据量 DA1、 DA2的变化、以及这些数据量之和DA1+DA2的变化的曲线图组，图 22(b)是表示第M个 (M为 2以上的整数 )区段块 2201和第 (M+1)个区段块 2202、以及这两个区段块 2201、2202与 3D再现模式的再现路径2220之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図69】（a）、（b）は、図65に示されている再生処理系統によって、拡大された最小エクステント・サイズ以上のサイズを持つデータ・ブロック群から成る3Dエクステント・ブロックが読み出されるときにおける、各リード・バッファ4921、4922の蓄積データ量DA1、DA2の変化を示すグラフであり、（c）は、その3Dエクステント・ブロック6110とL／Rモードでの再生経路6120との間の対応関係を示す模式図である。

图 69(a)、(b)是示出利用图 65所示的再现处理系统读取由具有扩大后的最小区段大小以上的大小的数据块组构成的3D区段块时的、各读取缓冲器4921、4922的存储数据量 DA1、DA2的变化的图表，图 69(c)是示出该 3D区段块 6110和 L/R模式下的再现路径 6120之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集