「阱」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

跌入陷阱

わなに落ちる． - 白水社 中国語辞典

美色的陷阱

色仕掛けの罠 - 中国語会話例文集

布设陷阱

わなを設ける． - 白水社 中国語辞典

老鼠中了陷阱。

ねずみが罠にかかった。 - 中国語会話例文集

陷阱套住了一只熊。

落としわなにクマがかかった。 - 中国語会話例文集

我中过那个陷阱。

その罠に嵌った事がある。 - 中国語会話例文集

狗熊掉在陷阱里。

クマが落とし穴に落ちた． - 白水社 中国語辞典

为了捕捉野兽而挖陷阱。

動物を捕まえるために落とし穴を掘る． - 白水社 中国語辞典

这房子已经变成了诱捕革命者的陷阱。

この家は革命者をおびき出して逮捕するわなに変わった． - 白水社 中国語辞典

此外，P型阱层 182在 N型嵌入层 184和 N型基板 181之间形成得较薄。

また、N型埋め込み層184とN型基板181との間において、P型ウェル層182が薄く形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

闷热的车厢对于被留在里面的孩子来说，可能成为了一个死亡的陷阱。

暑い車内は中に残された子供にとって死の落とし穴になり得る。 - 中国語会話例文集

他们要埋伏重兵，诱我们跳进陷阱。

彼らは強力な伏兵を置いて，我々を誘い込んでわなに陥れようとした． - 白水社 中国語辞典

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4是图像传感器的一部分的剖面图，所述图像传感器包括形成于该图像传感器的 p型衬底上的 n阱中的、图 2的 PMOS像素电路；

【図4】当該イメージセンサのp型基板上のnウエル内に形成された図2のpMOS画素回路を有するイメージセンサの一部の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号电荷 (图中用圆圈表示 )，在该电位阱的极小点积蓄，如图所示的那样，随着该极小点依次切换，从左侧向右侧高效地传输信号电荷。

信号電荷（図中丸印で表示）は、この電位井戸における極小点に蓄積され、図示されるように、この極小点が順次移動することによって信号電荷が左側から右側に高効率で転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号电荷在该电位阱的极小点积蓄，如图所示的那样，随着该极小点依次切换，信号电荷从左侧向右侧传输。

信号電荷は、この電位井戸における極小点に蓄積され、図示されるように、この極小点が順次移動することによって信号電荷が左側から右側に転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。

単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集

光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。

フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集