「電圧レベル」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

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「電圧レベル」の部分一致の例文検索結果

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モード検出器32は、消費電力、制御信号、活性化した送電網の部分の指示、直接感知した電力消費レベル(例えば、平均または名目上の電流または電圧)などに関連したパラメータ値に基づいたモードを有利に決定することができる。

模式检测器 32可有利地基于与功率消耗有关的参数值、控制信号、对在作用中的电力网的部分的指示、直接感测到的功率消耗电平 (例如,平均或标称电流或电压 )等来确定模式。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ(たとえばハイレベル)で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间,采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。

也就是说,当在步骤 S34确定,当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时,处理跳过步骤 S35,并且进行到步骤 S36。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34(図7のタイムチャートの時刻T7)において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。

也就是说,当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定,当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时,处理进行到步骤S35。 - 中国語 特許翻訳例文集

このリファレンス信号のシリアルコマンドデータ配置区間の直前には、最初のデータd21の電圧値をそのまま延長した前縁部分d34を設けてあり、さらにその前縁部分d34のレベルを反転させた反転前縁部分d33を設けてある。

紧接在该基准信号的串行命令数据布置区间之前,作为第一数据 d21的电压值的延长的前缘部分 d34被布置,并且通过反转前缘部分 d34的电平而得到的经反转的前缘部分d33被布置。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、電力線通信に電圧方式を用いる場合は、線路の長さと絶縁変圧器の個数に比例して、各絶縁変圧器を介して受信する電力線通信信号の信号レベルが小さくなるため、システム構成が困難となる。

即,由于经由每一个绝缘变压器接收的电力线通信信号变得较小,所以电压型电力线通信的系统配置变难。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態(選択パルスSELが低レベルの状態)で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ(例えば、電源電圧Vdd)とする。

当被连接到垂直信号线的全部像素的选择晶体管 25被关断时 (当选择晶体管处于低电平时 ),用于对开关负载晶体管 31进行开关的开关脉冲 LOAD被激活 (例如,电源电压 Vdd)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧(以下、リセットレベルR2と称する)を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里,由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极,表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

各近傍線上に誘導されるインダクタンスに支配されたクロストークは図11の下半分に表され、参照符号1107により示されるように各近傍線の電圧レベルで約0.3ボルトの負の「くぼみ」を生じ、抑制されないままであると、このクロストークはその線に沿って同時に送信された送信信号と干渉する可能性がある。

各个邻近线路上的电感主导型串扰在图 11的下半部中演示,并且如附图标记 1107所示的,在各个邻近线路的电压电平中产生接近 0.3伏的负“下沉”; 如不加以抑制,这种串扰可能干扰同时沿该线路发送的传输信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、時刻T6乃至T7の期間の、VSL57における電圧レベルの変化が所定の閾値より大きい場合、ステップS15において、検出部27は、欠陥検出対象となっている画素(フォトダイオード51−1)の位置を示すアドレスを、欠陥画素のアドレスとして、アドレス記憶部28に供給し、記憶させる。

当在从时间 T6到时间 T7的时段期间 VSL 57的电压电平的改变因此大于预定阈值时,检测部分 27在步骤 S15为地址存储部分 28提供指示设为缺陷检测的目标的像素 (光电二极管 51-1)的位置的地址作为缺陷像素的地址,并且使得地址存储部分 28存储该地址。 - 中国語 特許翻訳例文集


そして、期間(t12〜t15)の後に、制御部40Aから列選択用配線LH,1〜LH,Nに出力される列選択制御信号Hsel(1)〜Hsel(N)が順次に一定期間だけハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1〜HNそれぞれの出力用スイッチSW32が順次に一定期間だけ閉じて、各保持回路Hnの保持用容量素子C3に保持されている電圧値は出力用スイッチSW32を経て電圧出力用配線Loutへ順次に出力される。

然后,在期间 (t12~ t15)之后,从控制部 40A输出至列选择用配线 LH,1~ LH,N的列选择控制信号 Hsel(1)~ Hsel(N),依照顺序仅在一定期间成为高电平,由此,N个保持电路 H1~ HN的各个的输出用开关 SW32依照顺序仅在一定期间闭合,被保持于各保持电路 Hn的保持用电容器 C3的电压值,经由输出用开关 SW32依照顺序被输出至电压输出用配线 Lout。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、期間(t12〜t15)の後に、制御部40Aから列選択用配線LH,1〜LH,Nに出力される列選択制御信号Hsel(1)〜Hsel(N)が順次に一定期間だけハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1〜HNそれぞれの出力用スイッチSW32が順次に一定期間だけ閉じて、各保持回路Hnの保持用容量素子C3に保持されている電圧値は出力用スイッチSW32を経て電圧出力用配線Loutへ順次に出力される。

然后,在期间 (t12~ t15)之后,从控制部 40A输出至列选择用配线 LH,1~ LH,N的列选择控制信号 Hsel(1)~ Hsel(N),依照顺序仅在一定期间成为高电平,由此,N个保持电路 H1~ HN的各个的输出用开关 SW32依照顺序仅在一定期间闭合,被保持于各保持电路 Hn的保持用电容器 C3的电压值,经由输出用开关 SW32依照顺序被输出至电压输CN 10201761202 AA 说 明 书 11/17页出用配线 Lout。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、上述したデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

另外,在图 1及图 2所示的 TFT阵列基板 10上,添加上述数据线驱动电路 101,扫描线驱动电路 104等的驱动电路,也形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路,对多个数据线先于图像信号分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路,用于检查制造途中、负载时的该液晶装置 100的品质,缺陷等的检查电路等。 - 中国語 特許翻訳例文集

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