「電子数」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

【図15】前記実験での入射光強度を示す総発生電子数と、各中間転送および最後の完全転送で出力として転送された電子数の関係を示す図である。

图 15是示出了在上面的实验中指明入射光强度的所产生的电子的总数和通过各个中间转移和最后的完全转移作为输出所转移的电子的数量之间的关系的图线； - 中国語 特許翻訳例文集

図15は、前記実験での入射光強度を示す総発生電子数と、各中間転送および最後の完全転送で出力として転送された電子数の関係を示す図である。

图 15是示出了在上面的实验中表明了入射光强度的所产生的电子的总数量和在各个中间转移和最后的完全转移中作为输出转移的电子的数量之间的关系。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図42】非特許文献1記載の従来技術での入射光強度と出力電子数の関係を示す図である。

图 42是示出了在非专利文件 1中记载的相关技术中的入射光强度和输出电子的数量之间的关系的图线。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9に示すように、フォトダイオード21の蓄積電子数は入射光量が一定の場合、露光時間に比例して増加する。

如图 9所示，当入射光的量固定时，在光电二极管 21中存储的电子的数量与曝光时间成比例地增加。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、タイミングT1,T2,T3での供給電圧は、図9における蓄積電子数Ne1，Ne2，Ne3から、電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3となる。

在此情况下，在定时 T1、T2和 T3的供应电压将为从图 9中的存储电子的数量 Ne1、Ne2和 Ne3得到的电压 Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、毎秒30フレームであれば1／30秒、毎秒60フレームであれば1／60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。

例如，当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如，当 30帧 /秒时 1/30秒，当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs，则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ部に漏れ込む光量は、電子数に換算して数10e-といった非常に小さい量を扱い、周辺の縦構造に大きく依存するためである。

泄漏到存储部中的光量在换算成电子数时只是几 10e-这样非常小的量，并且十分依赖于垂直周边结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、電圧Vtrg1，Vtrg3の供給の間隔を制御することで、入射光強度に対する中間転送の電子数の関係、つまり感度を制御することができる。

相应地，通过控制供应电压 Vtrg1、Vtrg3的间隔，可以控制中间转移的电子的数量和入射光强度之间的关系，即灵敏度。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図11に示すように、最初の中間転送までの露光時間（t31）を全体の4分の1として、1回目の中間転送から2回目の中間転送までの露光時間（t35）を全体の2分の1とすると、1回目の転送では入射光強度に対する読み出し電子数の感度は4分の1となり、ダイナミックレンジ拡大に貢献する。

例如，如图 11所示，当到第一次中间转移的曝光时间 (t31)为总曝光时间的 1/4，并且从第一次中间转移到第二次中间转移的曝光时间 (t35)为总曝光时间的 1/2时，在第一次转移中将被读出的电子的数量相对于入射光强度的灵敏度将为 1/4，这对于动态范围的扩展有贡献。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14では、フォトダイオード21のリセットから完全転送までの露光時間を約16msとして、最初の電圧Vtrg1による中間転送をフォトダイオード21のリセットから2ms後、2回目の電圧Vtrg2による中間転送を4ms後、3回目の中間転送を12ms後に実行した場合の、フォトダイオード21に残っている電子数を表している。

图 14表示在从光电二极管 21的复位到完全转移的曝光时间为大致 16ms的情形中，在通过第一电压 Vtrg1的中间转移比光电二极管 21的复位迟 2ms执行时，在通过第二电压 Vtrg2的中间转移比光电二极管 21的复位迟 4ms执行时，在第三次中间转移比光电二极管 21的复位迟 12ms执行时，分别在光电二极管 21中保留的电子的数量。 - 中国語 特許翻訳例文集