「電極」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上面结合图 11和图 12所述，数字像素 DPXE首先输出复位电平到输出电极部分119。

デジタル画素DPXEは、図11および図12に関連付けて説明したのと同様に、まず出力電極部119にリセットレベルを出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶显示面板 134包括液晶层、经过该液晶层的相对透明电极以及滤色器。

液晶表示パネル134は、液晶層、液晶層を挟んで対向する透明電極、カラーフィルタ等から構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶显示面板 134包括液晶层、彼此面对并且夹着液晶层的透明电极、滤色器等。

液晶表示パネル134は、液晶層、液晶層を挟んで対向する透明電極、カラーフィルタ等から構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 2B所示的结构中，例如当照相机 100移动时，电极 1063与此时的加速度对应地发生弯曲。

図2（b）に示すような構成において、例えばカメラ100が移動する等すると、その際の加速度に応じて電極1063が撓む。 - 中国語 特許翻訳例文集

向 MZI臂 130a的电极 132施加控制信号 106，在该 MZI臂的材料中产生电场。

制御信号106はMZIアーム130aの電極132に印加され、それによってそのMZIアームの材料に電界が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4为用于显示在四条线间采用了双扭绞二线电极结构的场合的结构的一例的附图；

【図4】4本のライン間においてダブルツイストペア電極構造が用いられた場合の構成の一例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5为在三相驱动 CCD的场合采用了双扭绞二线电极结构的场合的结构的一例；

【図5】3相駆動のCCDの場合にダブルツイストペア電極構造を用いた場合の構成の一例である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这些电极下部的信道部分中，不需要设置象两相驱动 CCD的情况下那样的杂质分布。

これらの電極下部におけるチャンネル部分においては、2相駆動の場合のような不純物分布を設ける必要はない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图所示，也能够跨越像素的边界线 X(信道间断区 303)，连接不同像素间的两个电极。

図示されるように、画素の境界線X（チャンネルストップ領域303）をまたいで、異なる画素間の電極同士を接続することもできる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S10。

なお、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加された状態は、ステップS10まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电容器 C1的电极的一个连接到单位像素 3上，另一个连接到比较器 COM1的输入 (-)端。

キャパシタC1の電極の一方は単位画素3に接続され、他方は比較器COM1の入力（−）に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该对透明电极之间没有施加电压的情况下，液晶层的液晶分子扭转 90度。 因而，从切换液晶 203发出的光依据该扭转而传播，并且其偏振方向旋转 90度。

スイッチ液晶203は、その表裏に1対の透明電極（不図示）を備え、透明電極間に電圧が印加されていない状態では、液晶層の液晶分子が90°ツイストしているため、スイッチ液晶203から出射された光は、ツイストに応じて伝播する偏光方向が90°回転する。 - 中国語 特許翻訳例文集

左眼快门STL和右眼快门 STR中的每个快门包括第一透明基板、在第一透明基板上形成的第一透明电极、第二透明基板、在第二透明基板上形成的第二透明电极、和夹在第一透明基板和第二透明基板之间的液晶层。

左目シャッターSTLと右目シャッターSTRそれぞれは、第1透明基板、第1透明基板上に形成された第1透明電極、第2透明基板、第2透明基板上に形成された第2透明電極、第1及び第2透明基板上に狭持された液晶層を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

当第一逻辑值的液晶快门控制信号 CST输入到液晶快门控制信号接收单元 17时，开电压被提供到左眼快门 STL的第二透明电极，而关电压被提供到右眼快门 STR的第二透明电极。

液晶シャッター制御信号CSTが第1論理値で液晶シャッター制御信号受信部17に入力される時、左目シャッターSTLの第2透明電極にON電圧が供給される反面、右目シャッターSTRの第2透明電極にOFF電圧が供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

当第二逻辑值的液晶快门控制信号 CST输入到液晶快门控制信号接收单元 17时，关电压被提供到左眼快门 STL的第二透明电极，而开电压被提供到右眼快门 STR的第二透明电极。

液晶シャッター制御信号CSTが第2論理値で液晶シャッター制御信号受信部17に入力される時、左目シャッターSTLの第2透明電極にOFF電圧が供給される反面、右目シャッターSTRの第2透明電極にON電圧が供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在液晶快门中，例如，TN模式液晶或 STN(超扭曲向列 )模式液晶被夹置在一对电极 (未示出 )之间。 通过经由这对电极将电压施加到液晶来控制对于入射光的透射率。

液晶シャッターは、図示しない一対の電極間に、例えばTNモードやSTN（Super Twisted Nematic）モードの液晶を挟み込んだものであり、それらの一対の電極を通じて液晶に電圧を印加することにより入射光の透過率を制御するものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3中所示，由无碱玻璃等构成的绝缘基板 1形成放射线图像成像装置 10的像素 20A，在该绝缘基板 1上形成有扫描线 101和栅极 2，其中扫描线 101连接到栅极 2(参见图 2)。

図3に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101（図2参照。）、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている（図2参照。）。 - 中国語 特許翻訳例文集

此处，在将双电极 MZ调制器用作光调制器的情况下，与执行通常的 OOK(On-Off Keying，开关键控 )传送时同样地，即使在执行多值调制时，为了使光传送信号质量稳定化，决定双电极MZ调制器的工作点的DC(Direct Current，直流)偏置的稳定化变得不可欠缺。

ここで、2電極MZ変調器を光変調器として用いる場合、通常のOOK（On−Off Keying）伝送を実行するときと同様に、多値変調を実行するときにおいても、光伝送信号品質を安定化させるためには、2電極MZ変調器の動作点を決定するDC（Direct Current）バイアスの安定化が不可欠となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，考虑使用并联连接了 2个相位调制器的双电极 MZ调制器 (DDMZM：Dual Drive MZM)来实现多值调制 (例如，参照非专利文献 2、非专利文献 3)。

そこで、位相変調器を2個並列に接続した2電極MZ変調器（DDMZM：Dual Drive MZM）を用いて多値変調を実現することが考えられている（例えば、非特許文献2、非特許文献3参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

双电极 MZ调制器由于是作为推挽 (push-pull)型光调制器而广泛应用于通常的光发送接收器的光部件，所以可以降低成本。

2電極MZ変調器は、プッシュプル型光変調器として、通常の光送受信器に広く適用されている光部品なので、コストの低減を図ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

对于使用了双电极 MZ调制器的 QPSK，此前，证实了采用图 5(a)所示的信号点配置的方式 (3值驱动 )(例如，参照非专利文献 3)。

2電極MZ変調器を用いたQPSKについては、これまでに、図5（a）に示した信号点配置をとる方式（3値駆動）が実証されている（例えば、非特許文献3参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5(a)示出通过 2倍过采样 (over sampling)对双电极 MZ调制器进行了驱动的情况下的光电场的复数平面上的迁移的轨迹，图中的黑圈对应于 QPSK的信号点。

図5（a）は、2倍オーバサンプリングで2電極MZ変調器を駆動した場合の光電界の複素平面上の遷移の軌跡を示しており、図中の黒丸がQPSKの信号点に対応する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，为了利用作为双电极 MZ调制器的特征的低插入损失，与 3值驱动相比，利用4值的电信号的调制器的驱动更有利。

なお、2電極MZ変調器の特徴である低挿入損失を生かすためには、3値駆動よりも、4値の電気信号による変調器の駆動の方が有利である。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过进行 4值驱动，与 3值驱动的情况相比，双电极MZ调制器中的损失得到约 3dB的改善 (例如，参照非专利文献 2)。

4値駆動を行うことにより、3値駆動の場合と比較して、2電極MZ変調器での損失が約3dB改善する（例えば、非特許文献2参照）。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5(a)、(b)是针对使用双电极 MZ调制器来执行 QPSK的情况下的信号点配置，示出 3值驱动以及 4值驱动的说明图。

【図5】（a）、（b）は、2電極MZ変調器を用いてQPSKを実行する場合の信号点配置を、3値駆動および4値駆動について示す説明図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，D/A转换器 11a、11b被设定成得到上述 4组的电压，所以作为从双电极 MZ调制器 14输出的调制光信号可得到光多值信号。

このとき、D／Aコンバータ11a、11bが、上述した4組の電圧が得られるように設定されているので、2電極MZ変調器14から出力される変調光信号として、光多値信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

光抽头耦合器 15对从双电极 MZ调制器 14输出的光多值信号的一部分进行分支，将所分支出的光多值信号输出到光输出功率监视器 16。

光タップカプラ15は、2電極MZ変調器14から出力される光多値信号の一部を分岐し、分岐した光多値信号を光出力パワーモニタ16に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2是示出在使用双电极 MZ调制器 14来执行了 4值驱动的 QPSK的情况下，DC偏置偏离最佳值时产生的信号点的变化的说明图。

図2は、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動のQPSKを実行した場合において、DCバイアスが最適値からずれた際に生じる信号点の変化を示す説明図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在上述实施方式 1中，说明了光抽头耦合器 15以及光输出功率监视器 16设置在双电极 MZ调制器 14的外部。

また、上記実施の形態1では、光タップカプラ15および光出力パワーモニタ16が2電極MZ変調器14の外部に設けられていると説明した。 - 中国語 特許翻訳例文集

但是，不限于此，也可以将光抽头耦合器 15以及光输出功率监视器 16的功能内置于双电极 MZ调制器 14中，并使用所内置的这些功能。

しかしながら、これに限定されず、光タップカプラ15および光出力パワーモニタ16の機能を2電極MZ変調器14に内蔵し、内蔵されたこれらの機能を用いてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2省略了该层叠构造的详细构成，该层叠构造上，包括ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物 )等的透明材料的像素电极 9a按像素以规定的图形形成岛状。

この積層構造の詳細な構成については図2では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ITO（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極9aが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3中，在构成图像显示区域 10a的矩阵状形成的多个像素中分别形成像素电极9a及 TFT30。

図3において、画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極9a及びTFT30が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，在固态图像拾取元件 1A中，在衬底 18的前表面或后表面上形成参照图 1描述的、且连接到控制 I/O 14A的各电极 (未示出 )。

また、固体撮像素子1Aでは、基板18の表面または裏面に、図1で説明した制御I／O14Aと接続される図示しない電極が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。

これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一信号布线层的一面上形成绝缘膜 15，并且各个栅极 2上方的位置充当 TFT开关 4中的栅绝缘膜。

この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏极门 40为设定有一定的电位的扩散区，一旦信号电荷向漏极 41输入，就能够将该信号电荷作为电流通过与该漏极 41连接的电极向外部排出。

ドレイン41は、一定の電位が設定される拡散領域であり、ドレイン41に信号電荷が入力されると、この信号電荷は電流としてドレイン41に接続された電極を介して外部に排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，如果采用该双扭绞二线电极结构，则能够在传输方向成为逆向的结构中，能够容易地形成施加四种传输脉冲的结构。

すなわち、このダブルツイストペア電極構造を用いれば、転送方向が逆方向となるラインが隣接した構造において、4種類の転送パルスを印加する構造を容易に形成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集